一种超声提升阻变存储器可靠性和容量的方法技术

本发明专利技术公开一种超声提升阻变存储器可靠性和容量的方法，属于超声应用领域。本发明专利技术通过压电衬底在两对叉指电极产生的电场作用下，同时激发XY平面内振动、相位相同的两个声表面波，阵列中每个处于初始超高阻态的阻变存储器在两个声表面波于中间区域叠加形成的驻波声场作用下，驻波声场在XY平面拉伸阻变存储器功能层，有利于软介电击穿，“电形成”过程所需平均电压明显降低，提高存储阵列可靠性。处于低阻态的阻变存储器在第一声表面波和第二声表面波在中间区域叠加形成的驻波声场作用下，对其施加负电压进行复位操作，器件回到高阻态，撤掉超声信号，器件高阻进一步增大，对器件进行正常置位操作，从而显著提高阻变存储器开关比，提高存储容量。提高存储容量。提高存储容量。

【技术实现步骤摘要】
一种超声提升阻变存储器可靠性和容量的方法


[0001]本专利技术属于超声应用
，更具体地，涉及一种超声提升阻变存储器可靠性和容量的方法。

技术介绍

[0002]电子信息时代，处理器的性能按照摩尔定律每年快速提升，而内存存取速度的提升严重滞后于处理器的计算速度，导致计算机的算力达到瓶颈。为了解决上述“存储墙”问题，必须发展下一代新型存储器，它们需要具有以下特征：存储密度高，功耗低，存取速度快，耐反复擦写。
[0003]阻变存储器是一种新型存储器件，其通过控制电流的变化可改变其阻值，从而实现高低不同的阻态，因此相当于一种有记忆功能的非线性电阻。阻变存储器由于其非易失性，数据在掉电后仍然可以保持，并且具有读写速度快，功耗低的优点，具有取代现有主流内存的潜力，未来可以用于大容量存储，神经网络以及存算一体系统等方面。传统的阻变存储器是三明治结构，包括从上至下的上电极，功能层和下电极，在外加电压的作用下，功能层发生导电丝的形成和断裂，从而实现低阻态和高阻态之间的转换。
[0004]随着需要处理的数据量逐渐增大，存储系统向着大容量，低功本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超声提升阻变存储器可靠性和容量的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：S1.对第一对叉指电极、第二对叉指电极同时施加幅值频率均相同的正弦电压信号，从而在叉指电极之间建立电场，其中，若干阻变存储器组成的阵列、第一对叉指电极、第二对叉指电极和压电衬底必须同时满足以下条件：压电衬底位于底层，采用沿特定方向的切割处理后的压电单晶材料，所述特定方向是指该压电单晶材料在沿该方向切割处理后，能在叉指电极形成的电场作用下产生水平剪切的声表面波的方向；阻变存储器阵列位于压电衬底上表面中间区域，所述阵列Y方向的长度不超过叉指电极Y方向的长度；第一对叉指电极、第二对叉指电极分别位于压电衬底上表面、阵列左右两侧并呈对称分布，第一对叉指电极和第二对叉指电极的材料相同并且尺寸相同；S2.压电衬底在第一对叉指电极产生的电场作用下，激发XY平面内振动的第一声表面波，压电衬底在第二对叉指电极产生的电场作用下，激发XY平面内振动的第二声表面波，所述第一声表面波与所述第二声表面波同时激发并且相位相同；S3.阵列中每个处于初始超高阻状态的阻变存储器在第一声表面波和第二声表面波在中间区域叠加形成的驻波声场作用下，初始电形成过程所需要的平均电压明显降低；阵列中每个处于低阻态的阻变存储器在第一声表面波和第二声表面波在中间区域叠加形成的驻波声场作用下，对其施加负电压进行复位操作，器件阻值回到高阻态，接着撤掉超声信...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱本鹏，薛堪豪，王萌，黄晓弟，李祎，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：