一种SE电池的碱抛制备工艺制造技术

本发明专利技术一种SE电池的碱抛制备工艺，依次包括清洗制绒

【技术实现步骤摘要】
一种SE电池的碱抛制备工艺


[0001]本专利技术属于太阳能光伏领域，具体涉及一种SE电池的碱抛制备工艺。

技术介绍

[0002]目前的太阳电池
，高效电池技术应用不断进步，背钝化技术已充分应用于大批量生产，常规P型单晶产线大部分会采用背钝化工艺。SE技术为选择性发射极技术，能通过正面的局部重掺杂方式，降低电池片接触电阻，提升电池转换效率。新增产线大部分为包含背钝化技术及SE技术的电池产线。
[0003]现有SE技术背钝化电池使用酸抛光的方式进行背面抛光，硅片漂浮在酸溶液表面，对硅片的下表面进行抛光，但是该方式整体抛光效果差，电池片效率提升空间小，而且使用酸溶液进行抛光，反应过程产生废气和废水，排放指标难以购买，排放受限制，投入成本高。

技术实现思路

[0004]鉴于以上，本专利技术提供一种SE电池的碱抛制备工艺，结合碱抛SE背钝化电池技术，解决了酸抛排放和成本问题，而且本工艺在激光重掺杂后，使用高温通氧化性气体的方式进行硅片激光加工区域氧化保护，使激光加工区域形成致密的氧化层，在碱抛过程中对硅片形成有效保护，实现发挥碱抛优势的同时，有效保护激光重掺杂区域，保持正面SE带来的效率提升，综合提升电池效率。
[0005]本专利技术具体技术方案如下：一种SE电池的碱抛制备工艺，其特征在于，包括如下工艺步骤：S1、清洗制绒：对基材硅片进行清洗，去除损伤及污染物，对硅片表面进行碱腐蚀，使单晶硅片表面形成金子塔绒面，减少表面反射，增强硅片对太阳光的吸收；S2、扩散：使用高温扩散炉管，将制绒后的硅片送入扩散炉管，炉管内通入含磷的气体源，在高温条件下，使硅片表面形成PN结；S3、激光重掺杂：扩散处理后，使用激光对硅片的扩散面进行图形化加工，使硅片表面形成图形化的局部重掺杂区域，用于与电池正面电极银浆形成接触，改善电池片的接触特性；S4、高温快速氧化：激光重掺杂后的硅片在高温条件下制备致密氧化层；S5、碱抛：使用碱性化学品对高温快速氧化后的硅片背面进行抛光。
[0006]S6、氧化：使用高温氧化炉管，在碱抛后的硅片表面制备氧化层。
[0007]S7、镀膜：使用PECVD设备在氧化后的硅片正面制备减反射膜，背面制备钝化膜。
[0008]S8、金属化：使用丝网印刷机在镀膜后的硅片正面及背面制备金属化电极，使用高温烧结炉完成电池电极制备。
[0009]S9、测试分选：使用IV测试仪器对成品电池的电性能进行测试，按测试的电性能参数进行分类归档。
[0010]进一步，步骤S4选择直通式快速氧化炉进行，使硅片在传输过程中进行快速热氧化。
[0011]进一步，对直通式快速氧化炉内可选择通入0.5 m
³
/h-10m
³
/h流量的洁净压缩空气。
[0012]进一步，对直通式快速氧化炉内可选择通入0.05m
³
/h-5m
³
/h流量的氧气和0.5m
³
/h-5m
³
/h流量的氮气。
[0013]进一步，对直通式快速氧化炉内可选择通入0.5 m
³
/h-10m
³
/h流量的其他氧化性气体。
[0014]进一步，步骤S4中将直通式快速氧化炉内温度设定为400~900℃。
[0015]进一步，高温快速氧化的氧化持续时间为30~600s。
[0016]本专利技术附加的方面和优点将在下面的描述中进一步给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
附图说明
[0017]图1为本专利技术SE电池的碱抛制备工艺流程示意图。
具体实施方式
[0018]下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能解释为对本专利技术的限制。
[0019]本实施例的一种SE电池的碱抛制备工艺，其特征在于，包括如下工艺步骤：S1、清洗制绒：对基材硅片进行清洗，去除损伤及污染物，对硅片表面进行碱腐蚀，使单晶硅片表面形成金子塔绒面，减少表面反射，增强硅片对太阳光的吸收；S2、扩散：使用高温扩散炉管，将制绒后的硅片送入扩散炉管，炉管内通入含磷的气体源，在高温条件下，使硅片表面形成PN结；S3、激光重掺杂：扩散处理后，使用激光对硅片的扩散面进行图形化加工，使硅片表面形成图形化的局部重掺杂区域，用于与电池正面电极银浆形成接触，改善电池片的接触特性；S4、高温快速氧化：激光重掺杂后的硅片在高温条件下制备致密氧化层；S5、碱抛：使用碱性化学品对高温快速氧化后的硅片背面进行抛光；S6、氧化：使用高温氧化炉管，在碱抛后的硅片表面制备氧化层；S7、镀膜：使用PECVD设备在氧化后的硅片正面制备减反射膜，背面制备钝化膜；S8、金属化：使用丝网印刷机在镀膜后的硅片正面及背面制备金属化电极，使用高温烧结炉完成电池电极制备；S9、测试分选：使用IV测试仪器对成品电池的电性能进行测试，按测试的电性能参数进行分类归档。
[0020]本实施例中步骤S4选择直通式快速氧化炉进行，使硅片在传输过程中进行快速热氧化，对直通式快速氧化炉内通入0.5 m
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/h-10m
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/h流量的洁净压缩空气，也可选择通入0.05m
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/h-5m
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/h流量的氧气和0.5m
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/h-5m
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/h流量的氮气或通入0.5 m
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/h-10m
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/h流量的其他氧化性气体，同时优选的，步骤S4中将直通式快速氧化炉内温度设定为400~900℃，高
温快速氧化的氧化持续时间为30~600s。
[0021]本实施例的SE电池的碱抛制备工艺，结合碱抛SE背钝化电池技术，解决了酸抛排放和成本问题，而且本工艺在激光重掺杂后，使用高温通氧化性气体的方式进行硅片激光加工区域氧化保护，使激光加工区域形成致密的氧化层，在碱抛过程中对硅片形成有效保护，实现发挥碱抛优势的同时，有效保护激光重掺杂区域，保持正面SE带来的效率提升，综合提升电池效率。
[0022]尽管参照本专利技术的示意性实施例对本专利技术的具体实施方式进行了详细的描述，但是必须理解，本领域技术人员可以设计出多种其他的改进和实施例，这些改进和实施例将落在本专利技术原理的精神和范围之内。具体而言，在前述公开、附图以及权利要求的范围之内，可以在零部件和/或者从属组合布局的布置方面作出合理的变型和改进，而不会脱离本专利技术的精神。除了零部件和/或布局方面的变型和改进，其范围由所附权利要求及其等同物限定。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SE电池的碱抛制备工艺，其特征在于，包括如下工艺步骤：S1、清洗制绒：对基材硅片进行清洗，去除损伤及污染物，对硅片表面进行碱腐蚀，使单晶硅片表面形成金子塔绒面，减少表面反射，增强硅片对太阳光的吸收；S2、扩散：使用高温扩散炉管，将制绒后的硅片送入扩散炉管，炉管内通入含磷的气体源，在高温条件下，使硅片表面形成PN结；S3、激光重掺杂：扩散处理后，使用激光对硅片的扩散面进行图形化加工，使硅片表面形成图形化的局部重掺杂区域，用于与电池正面电极银浆形成接触，改善电池片的接触特性；S4、高温快速氧化：激光重掺杂后的硅片在高温条件下制备致密氧化层；S5、碱抛：使用碱性化学品对高温快速氧化后的硅片背面进行抛光；S6、氧化：使用高温氧化炉管，在碱抛后的硅片表面制备氧化层；S7、镀膜：使用PECVD设备在氧化后的硅片正面制备减反射膜，背面制备钝化膜；S8、金属化：使用丝网印刷机在镀膜后的硅片正面及背面制备金属化电极，使用高温烧结炉完成电池电极制备；S9、测试分选：使用IV测试仪器对成品电池的电性能进行测试，按测试的电性能参数进行分类归档。2.根据权利要求1所述的SE电池的碱抛...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱俊，陈如龙，陶龙忠，杨灼坚，
申请(专利权)人：江苏润阳悦达光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：