一种闪存浅擦除的测试方法、系统、设备及介质技术方案

本发明专利技术公开了一种闪存浅擦除的测试方法、系统、设备和存储介质，方法包括：获取一组磨损次数为第一数量的块，对块进行一次普通擦除操作，记录擦除时间和出错的位的数量；按照块数据写入量将块分成多个第一小组，并按照数据保持时间将每个第一小组分成多个第二小组；对每个第二小组进行预定次数的浅擦除操作，并记录擦除时间和出错的位的数量；以及将磨损次数增加为第二数量，继续上述步骤直到磨损次数达到最大值。本发明专利技术实施例是一种通用的浅擦除的测试方法，通过本发明专利技术实施例可以得到不同条件及整个闪存生命周期中浅擦除对Nand颗粒的影响，并根据测试结果在不同的使用场景中，提前给出应对方法，减少数据出错的可能性，提高系统效率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
一种闪存浅擦除的测试方法、系统、设备及介质


[0001]本专利技术涉及测试领域，更具体地，特别是指一种闪存浅擦除的测试方法、系统、计算机设备及可读介质。

技术介绍

[0002]Nand Flash(闪存)广泛应用于SSD(Solid State Drive，固态硬盘)、U盘、手机等电子设备中。但是Nand flash由于自身原理、制作工艺等存在位反转的问题，即写入里边的数据再读出时某些Bit(位)会出错，影响数据的正确性，出错的Bit数量称为FBC，当FBC小于一定值时可以通过ECC算法进行数据还原恢复，但是当FBC超过一定值时，数据就有可能恢复不了，进而造成数据丢失。
[0003]对于不同厂家的Nand颗粒，Shallow Erase(浅擦除)操作到底是否需要特殊处理，是否会导致FBC增高或者其他隐患问题，这个不得而知，所以为了确保数据安全性，有必要对所使用的Nand颗粒的Shallow Erase操作进行测试。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术实施例的目的在于提出一种闪存浅擦除的测试方法、系统、计算机设本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种闪存浅擦除的测试方法，其特征在于，包括以下步骤：获取一组磨损次数为第一数量的块，对所述块进行一次普通擦除操作，记录擦除时间和出错的位的数量；按照块数据写入量将所述块分成多个第一小组，并按照数据保持时间将每个所述第一小组分成多个第二小组；对每个第二小组进行预定次数的浅擦除操作，并记录擦除时间和出错的位的数量；以及将磨损次数增加为第二数量，继续上述步骤直到磨损次数达到最大值，并根据测试结果在不同的闪存应用场景设置对应最佳的运行条件。2.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，还包括：对每个第二小组进行块读取操作，并响应于到达采样次数，记录对应的擦除时间和出错的位的数量。3.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，还包括：在每个所述第一小组中选择相同数据保持时间的第二小组进行块读取操作，并响应于到达采样次数，记录对应的擦除时间和出错的位的数量。4.根据权利要求3所述的测试方法，其特征在于，还包括：判断是否存在第二小组未进行块读取操作；响应于存在第二小组未进行块读取操作，改变所述数据保持时间，并对改变后的数据保持时间对应的第二小组进行块读取操作。5.根据权利要求3所述的测试方法，其特征在于，还包括：判断是否存在未记录擦除时间和出错的位的数量的采样次数；以及响应于存在未记录擦除时间和出错的位的数量的采样次数，按照所述未记录的采样次数进行块读取操作。6.根据权利要求1所述的测试...

【专利技术属性】
技术研发人员：李栋，
申请(专利权)人：苏州浪潮智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：