发光设备及其制造方法、打印机、显示设备、光电转换设备、电子装备、照明设备和移动体技术

一种发光设备，其包括：绝缘层，其具有包括发光元件的发光区域；以及设置在绝缘层中的槽。槽设置在发光区域和绝缘层的端部之间的部分中，并且具有锯齿状图案或包绕图案。并且具有锯齿状图案或包绕图案。并且具有锯齿状图案或包绕图案。

【技术实现步骤摘要】
发光设备及其制造方法、打印机、显示设备、光电转换设备、电子装备、照明设备和移动体


[0001]本专利技术涉及发光设备及其制造方法、打印机、显示设备、光电转换设备、电子装备、照明设备和移动体。

技术介绍

[0002]已知作为打印机的曝光光源的使用有机EL(电致发光)元件的发光设备。已知的是，有机EL元件的特性会因水分而劣化。因此，已经提供了用于改善有机EL元件的耐湿性的各种技术。在日本特开2006-120635号公报中说明的发光设备中，形成在基板上的像素由钝化膜密封。在基板的发光区域与基板的端部之间形成有槽。通过用钝化膜填充该槽，与没有槽的情况相比，水分从基板的端部渗透到发光区域的路径(基板与钝化膜之间的界面)变长。结果，发光设备的耐湿性改善。
[0003]在日本特开2006-120635号公报中说明的发光设备中，具有低耐湿性的有机层形被成为不存在于基板的端部与槽之间，而仅存在于槽内。因此，考虑到有机层的沉积精度，必须确保发光区域与槽之间的额外距离。这导致发光设备的尺寸增加。此外，如果有机层无任何措施地形成在基板的整个表面上，则有机层从基板的端部到发光区域连续地形成，这会降低发光设备的耐湿性。

技术实现思路

[0004]本专利技术的一些方面提供了一种用于在抑制发光设备的尺寸增加的同时改善发光设备的耐湿性的技术。
[0005]考虑到上述问题，在实施方式中，提供了发光设备，其包括：绝缘层，其包括配置有第一发光元件和第二发光元件的发光区域，第二发光元件相对于第一发光元件配置在第一方向上；有机层，其配置在绝缘层的上方，并且包括形成第一发光元件的一部分和第二发光元件的一部分的部分；以及保护层，其配置在有机层的上方，其中，设备在绝缘层中包括处于发光区域和绝缘层的端部之间的槽，两端是槽的边缘上的两个点的线段的长度的最大值大于发光区域的在第一方向上的长度，并且满足D/Wg≥0.5，Wg表示两端是槽的边缘上的两个点并且不与槽的边缘相交的线段的长度的最大值，D表示槽的深度。在另一实施方式中，提供了发光设备，其包括：绝缘层，其包括具有发光元件的发光区域；以及槽，其设置在所述绝缘层的在所述发光区域和绝缘层的端部之间的部分中，其中，满足D/Wg≥0.5，Wg表示两端是槽的边缘上的两个点并且不与槽的边缘相交的线段的长度的最大值，D表示槽的深度。在又一实施方式中，提供了发光设备，其包括：绝缘层，其包括具有发光元件的发光区域，以及槽，其设置在绝缘层中，其中，槽设置在发光区域和绝缘层的端部之间的部分中，并且具有锯齿状图案或包绕图案。在再一实施方式中，提供了发光设备的制造方法，方法包括：在绝缘层的包括发光区域的一部分中形成槽，在发光区域中配置有第一发光元件和第二发光元件，第二发光元件相对于第一发光元件配置在第一方向上，并且槽位于发光区域与绝缘
层的端部之间；通过气相沉积在绝缘层的上方形成有机层；以及以使得保护层的一部分进入槽的方式在有机层的上方形成保护层，其中，两端是槽的边缘上的两个点的线段的长度的最大值大于发光区域的在第一方向上的长度，并且满足D/Wg≥0.5，Wg表示两端是槽的边缘上的两个点并且不与槽的边缘相交的线段的长度的最大值，D表示槽的深度。
[0006]通过示例性实施方式的以下说明(参照附图)，本专利技术的其它特征将变得显而易见。
附图说明
[0007]图1A和图1B是用于说明根据本专利技术的一些实施方式的发光设备的配置示例的图；
[0008]图2A至图2C是用于说明由于气相沉积而使材料附着在槽内的情况的图；
[0009]图3A和图3B是用于说明槽内气相沉积有有机膜的区域的比率的曲线图；
[0010]图4A和图4B是用于说明图1A和图1B所示的发光设备的槽的详细形状的图；
[0011]图5A和图5B是用于说明比较例中的槽的形状的图；
[0012]图6A和图6B是用于说明图1A和图1B所示的发光设备的槽的变形例的图；
[0013]图7A和图7B是用于说明图1A和图1B所示的发光设备的变形例的图；
[0014]图8A和图8B是用于说明图1A和图1B所示的发光设备的槽的变形例的图；
[0015]图9是示出根据本专利技术的一些实施方式的显示设备的配置示例的图；
[0016]图10A是示出根据本专利技术的一些实施方式的显示设备的配置示例的图；
[0017]图10B是示出根据本专利技术的一些实施方式的电子装备的配置示例的图；
[0018]图11A是示出根据本专利技术的一些实施方式的显示设备的配置示例的图；
[0019]图11B是示出根据本专利技术的一些实施方式的电子装备的配置示例的图；
[0020]图12A是示出根据本专利技术的一些实施方式的照明设备的配置示例的图；
[0021]图12B是示出根据本专利技术的一些实施方式的移动体的配置示例的图。
具体实施方式
[0022]在下文中，将参照附图详细说明实施方式。注意，以下实施方式并非旨在限制要求保护的专利技术的范围。在实施方式中说明了多个特征，但是并不限制本专利技术需要所有这种特征，并且可以适当地组合多个这种特征。此外，在附图中，相同的附图标记被赋予相同或相似的构造，并且省略其重复说明。
[0023]参照图1A和图1B，将说明根据一些实施方式的发光设备100的配置示例。图1A示出了发光设备100的一部分的平面图，图1B示出了沿着图1A中的线A-A'截取的截面图。例如，可以将发光设备100安装在诸如基于电子照相技术的打印机等的图像形成设备上。此外，发光设备100可以安装在显示器(显示设备)上。
[0024]发光设备100包括绝缘层110、下部电极120、绝缘膜130、有机层140、上部电极150和保护层160。各个下部电极120、有机层140的一部分和上部电极150的一部分形成各个发光元件101。绝缘层110可以设置在硅基板或玻璃基板上。绝缘膜130还可以被称为堤(bank)。保护层160还可以被称为密封层。
[0025]多个发光元件101以二维矩阵配置在绝缘层110的发光区域111中。发光区域111可以是包括多个发光元件101的最小矩形区域。本实施方式中的发光元件101是顶部发光型发
光元件。代替地，发光元件101可以是底部发光型发光元件。另外，多个发光元件101可以如图1A所示被配置成条状阵列，或者可以被配置成德尔塔阵列(delta array)或正方形阵列。绝缘层110可以是长基板。在这种情况下，多个发光元件101可以沿着长基板的长度方向配置。此外，在图像形成设备中，这种长基板可以以交错的图案配置。交错配置的中心位置可以与将发光元件101和感光体连接的透镜的中心重叠。
[0026]在绝缘层110的发光区域111中，多个下部电极120被配置成条状阵列。对于各发光元件101，下部电极120是分离的。即，发光元件101包括彼此分离的多个下部电极120中的一个下部电极，并且为每个下部电极120形成发光元件101。下部电极120通过绝缘膜130彼此电分离。下部电极12本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光设备，其包括：绝缘层，其包括配置有第一发光元件和第二发光元件的发光区域，所述第二发光元件相对于所述第一发光元件配置在第一方向上；有机层，其配置在所述绝缘层的上方，并且包括形成所述第一发光元件的一部分和所述第二发光元件的一部分的部分；以及保护层，其配置在所述有机层的上方，其特征在于，所述发光设备在所述绝缘层中包括处于所述发光区域和所述绝缘层的端部之间的槽，两端是所述槽的边缘上的两个点的线段的长度的最大值大于所述发光区域的在所述第一方向上的长度，并且满足D/Wg≥0.5，Wg表示两端是所述槽的边缘上的两个点并且不与所述槽的边缘相交的线段的长度的最大值，D表示所述槽的深度。2.根据权利要求1所述的发光设备，其中，进一步满足D/Wg≥0.8。3.根据权利要求1所述的发光设备，其中，所述槽包括呈锯齿状延伸的部分或包括包绕图案的部分。4.根据权利要求1所述的发光设备，其中，所述槽包括彼此连接的多个圆周状的槽。5.根据权利要求1所述的发光设备，其中，所述槽包括彼此连接的多个多边形的槽。6.根据权利要求1所述的发光设备，其中，所述槽的上端的宽度小于所述槽的下端的宽度。7.根据权利要求1所述的发光设备，其中，所述保护层包含硅化合物。8.根据权利要求1所述的发光设备，其中，所述保护层具有包含硅化合物的第一层和包含Al2O3、TiO2和/或SiO2的第二层的堆叠结构。9.根据权利要求1所述的发光设备，其中，所述保护层的一部分进入所述槽，以及所述有机层在所述槽中通过所述保护层分离。10.一种发光设备，其包括：绝缘层，其包括具有发光元件的发光区域；以及槽，其设置在所述绝缘层的在所述发光区域和所述绝缘层的端部之间的部分中，其特征在于，满足D/Wg≥0.5，Wg表示两端是所述槽的边缘上的两个点并且不与所述槽的边缘相交的线段的长度的最大值，D表示所述槽的深度。11.根据权利要求10所述的发光设备，其中，所述发光元件是第一发光元件，所述发光区域还包括在第一方向上与所述第一发光元件相邻配置的第二发光元件，并且两端是所述槽的边缘上的两个点的线段的长度的最大值大于所述发光区域的在所述第一方向上的长度。12.一种发光设备，其包括：绝缘层，其包括具有发光元件的发光区域，以及槽，其设置在所述绝缘层中，

【专利技术属性】
技术研发人员：梶本典史，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：