半导体封装结构制造技术

本发明专利技术公开一种半导体封装结构，包括：基板，具有第一表面和相对的第二表面，其中该基板包括布线结构；第一半导体晶粒，设置在该基板的该第一表面上并电耦合至该布线结构；第二半导体晶粒，设置在该第一表面上并电连接到该布线结构，其中该第一半导体晶粒和该第二半导体晶粒并排布置；模塑料，围绕该第一半导体晶粒和该第二半导体晶粒，其中该第一半导体晶粒通过该模塑料与该第二半导体晶粒分离；以及环形框架，安装在该基板的该第一表面上，其中该环形框架围绕该第一半导体晶粒和该第二半导体晶粒，其中该环形框架包括在该环形框架的外角处的收缩区域。从而当使用具有较宽宽度的框架时消除或减小了基板角落处的翘曲。架时消除或减小了基板角落处的翘曲。架时消除或减小了基板角落处的翘曲。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体封装结构。

技术介绍

[0002]半导体封装不仅可以为半导体晶粒提供环境污染物的保护，而且还可以提供半导体封装所封装的半导体晶粒与基板(例如印刷电路板(PCB，printed circuit board))之间的电连接。例如，半导体晶粒可以封装在封装材料(encapsulating material)中，并且以迹线(trace)电连接到基板。
[0003]然而，这样的半导体封装的问题在于在封装过程中半导体封装经受了不同的温度。由于各种基板和半导体晶粒材料的不同热膨胀系数(CTE，coefficients of thermal expansion)，半导体封装可能会承受很高地应力。结果，半导体封装可能会出现翘曲(warping)或破裂(cracking)，从而可能损坏半导体晶粒和基板之间的电连接，并且可能降低半导体封装的可靠性。
[0004]在相对较大的封装，例如50mm
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50mm或更大的封装的情况中，这种问题更加严重。因此，希望有一种新型的半导体封装结构。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本专利技术提供一种半导体封装结构，以减小翘曲，提高半导体封装的可靠性。
[0006]根据本专利技术的第一方面，公开一种半导体封装结构，包括：
[0007]基板，具有第一表面和相对的第二表面，其中该基板包括布线结构；
[0008]第一半导体晶粒，设置在该基板的该第一表面上并电耦合至该布线结构；
[0009]第二半导体晶粒，设置在该第一表面上并电连接到该布线结构，其中该第一半导体晶粒和该第二半导体晶粒并排布置；
[0010]模塑料，围绕该第一半导体晶粒和该第二半导体晶粒，其中该第一半导体晶粒通过该模塑料与该第二半导体晶粒分离；以及
[0011]环形框架，安装在该基板的该第一表面上，其中该环形框架围绕该第一半导体晶粒和该第二半导体晶粒，其中该环形框架包括在该环形框架的外角处的收缩区域。
[0012]根据本专利技术的第二方面，公开一种半导体封装结构，包括：
[0013]基板，具有第一表面和相对的第二表面，其中该基板包括布线结构；
[0014]第一半导体晶粒，设置在该基板的该第一表面上并电耦合至该布线结构；
[0015]第二半导体晶粒，设置在该第一表面上并电连接到该布线结构，其中该第一半导体晶粒和该第二半导体晶粒并排布置；
[0016]模塑料，围绕该第一半导体晶粒和该第二半导体晶粒，其中该第一半导体晶粒通过该模塑料与该第二半导体晶粒分离；以及
[0017]环形框架，安装在该基板的该第一表面上，其中该环形框架围绕该第一半导体晶
粒和该第二半导体晶粒，其中该环形框架包括在该环形框架的外角处的至少一个斜角。
[0018]本专利技术的半导体封装结构的基板包括环形框架，安装在该基板的该第一表面上，其中该环形框架围绕该第一半导体晶粒和该第二半导体晶粒，其中该环形框架包括在该环形框架的外角处的收缩区域。从而当使用具有较宽宽度的框架时消除或减小了基板角落处的翘曲。
附图说明
[0019]图1是根据本专利技术的一个实施例的半导体封装结构的截面图；
[0020]图2是图1所示的半导体封装结构的基板中的孔的布置的平面图，图1是沿图2的虚线I-I'的半导体封装结构的截面图；
[0021]图3是根据本专利技术的另一实施例的半导体封装结构的截面图；
[0022]图4是根据本专利技术的又一实施例的半导体封装结构的示意性平面图；
[0023]图5是沿着图4中的虚线II-II'截取的示意性截面图；
[0024]图6是根据本专利技术的又一实施例的半导体封装结构的示意性平面图；
[0025]图7是根据本专利技术的又一个实施例的半导体封装结构的示意性平面图。
具体实施方式
[0026]以下描述是实施本专利技术的最佳构想模式。进行该描述是为了说明本专利技术的一般原理，而不应被认为是限制性的。本专利技术的范围由所附权利要求书确定。
[0027]关于特定实施例并且参考某些附图描述了本专利技术，但是本专利技术不限于此，而是仅由权利要求书来限制。所描述的附图仅是示意性的而非限制性的。在附图中，出于说明的目的，一些元件的尺寸可能被放大并且未按比例绘制。在本专利技术的实践中，尺寸和相对尺寸不对应于实际尺寸。
[0028]图1是根据本专利技术的一些实施例的半导体封装结构100a的横截面图。图2是图1所示的半导体封装结构100a的基板101中的孔布置的平面图，并且图1是沿着图2中的虚线I-I'截取的半导体封装结构100a的横截面图。
[0029]附加的特征可以添加到半导体封装结构100a。对于不同的实施例，下面描述的一些特征可以替换或消除。为了简化图示，在图1和图2中仅示出了半导体封装结构100a的一部分。在一些实施例中，半导体封装结构100a可以包括晶圆级(wafer-level)半导体封装，例如倒装芯片(flip-chip)半导体封装。
[0030]参照图1，半导体封装结构100a可以安装在基座(图未示)上。在一些实施例中，半导体封装结构100a可以是系统级芯片(SOC，system-on-chip)封装结构。而且，基座可以包括印刷电路板(PCB，printed circuit board)，并且可以由聚丙烯(PP，polypropylene)形成。在一些实施例中，基座可以包括封装基板。半导体封装结构100a通过接合(bonding)制程安装在基座上。例如，半导体封装结构100a包括凸块结构111。在一些实施例中，凸块结构111可以是导电球结构(例如球栅阵列(BGA，ball grid array))，导电柱(pillar)结构或导电膏(paste)结构，并且通过接合制程电耦合到基座。
[0031]在本实施例中，半导体封装结构100a包括基板101。基板101中具有布线(wiring)结构。在一些实施例中，基板101中的布线结构是扇出(fan-out)结构，并且可以包括一个或
多个导电焊盘103、导电通孔105、导电层107和导电柱109。在这种情况下，基板101中的布线结构可以设置在一个或多个金属间介电(IMD，inter-metal dielectric)层中。在一些实施例中，IMD层可以由有机材料形成，所述有机材料包括聚合物基础材料(polymer base material)，包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、石墨烯等的非有机材料(non-organic material)。例如，IMD层由聚合物基材制成。应该注意的是，图中示出的IMD层、导电焊盘103、导电通孔105、导电层107和导电柱109的数量和构造仅是一些示例，而不是对本专利技术的限制。
[0032]此外，半导体封装结构100a还包括通过多个导电结构119接合到基板101上的第一半导体晶粒115a和第二半导体晶粒115b。基板101具有第一表面1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：基板，具有第一表面和相对的第二表面，其中该基板包括布线结构；第一半导体晶粒，设置在该基板的该第一表面上并电耦合至该布线结构；第二半导体晶粒，设置在该第一表面上并电连接到该布线结构，其中该第一半导体晶粒和该第二半导体晶粒并排布置；模塑料，围绕该第一半导体晶粒和该第二半导体晶粒，其中该第一半导体晶粒通过该模塑料与该第二半导体晶粒分离；以及环形框架，安装在该基板的该第一表面上，其中该环形框架围绕该第一半导体晶粒和该第二半导体晶粒，其中该环形框架包括在该环形框架的外角处的收缩区域。2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该框架在该收缩区域内的一部分从该环形框架截去，从而在该环形框架的外角处形成斜角。3.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括布置在该基板的该第二表面上的凸块结构。4.如权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，该凸块结构是焊盘阵列LGA。5.如权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，在该环形框架上设置有固定装置，以将该基板固定至基底。6.如权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于，该基座包括PCB或系统板。7.如权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于，该固定装置包括插座。8.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括在该环形框架与该基板的该...

【专利技术属性】
技术研发人员：张嘉诚，林子闳，彭逸轩，林仪柔，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：