磁头及磁记录装置制造方法及图纸

提供能够实现记录密度的提高的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括磁极、第1屏蔽件、设置于所述磁极与所述第1屏蔽件之间的第1磁性层、设置于所述第1磁性层与所述第1屏蔽件之间的第2磁性层和设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的非磁性的中间层。所述磁极与所述第1磁性层之间的沿着从所述第1磁性层向所述第2磁性层的第1方向的第1距离，为所述磁极与所述第1屏蔽件之间的沿着所述第1方向的第2距离的1％以上且10％以下。方向的第2距离的1％以上且10％以下。方向的第2距离的1％以上且10％以下。

【技术实现步骤摘要】
磁头及磁记录装置
[0001]本申请以日本专利申请2019-163029(申请日：2019年9月6日)为基础，根据该申请享有优先权。本申请通过参照该申请而包括该申请的所有内容。


[0002]本专利技术的实施方式涉及磁头及磁记录装置。

技术介绍

[0003]使用磁头而向硬盘驱动器即HDD(Hard Disk Drive)等磁存储介质记录信息。在磁头及磁记录装置中，希望提高记录密度。

技术实现思路

[0004]本专利技术的实施方式提供能够实现记录密度的提高的磁头及磁记录装置。
[0005]根据本专利技术的实施方式，磁头包括：磁极；第1屏蔽件；设置于所述磁极与所述第1屏蔽件之间的第1磁性层；设置于所述第1磁性层与所述第1屏蔽件之间的第2磁性层；以及设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的非磁性的中间层。所述磁极与所述第1磁性层之间的沿着从所述第1磁性层向所述第2磁性层的第1方向的第1距离，为所述磁极与所述第1屏蔽件之间的沿着所述第1方向的第2距离的1％以上且10％以下。
[0006]根据上述构成的磁头及磁记录装置，能够提供能够实现记录密度的提高的磁头及磁记录装置。
附图说明
[0007]图1是例示第1实施方式所涉及的磁头的示意性俯视图。
[0008]图2是例示第1实施方式所涉及的磁记录装置的示意性立体图。
[0009]图3是例示第1实施方式所涉及的磁头的示意性剖视图。
[0010]图4是例示第1实施方式所涉及的磁头的示意性剖视图。
[0011]图5是例示磁头的特性的曲线(graph)图。
[0012]图6的(a)及图6的(b)是例示磁头的特性的曲线图。
[0013]图7的(a)～图7的(c)是例示磁头的特性的曲线图。
[0014]图8的(a)～图8的(c)是例示磁头的特性的曲线图。
[0015]图9的(a)～图9的(c)是例示磁头的特性的曲线图。
[0016]图10的(a)～图10的(c)是例示磁头的特性的曲线图。
[0017]图11是例示磁头的特性的曲线图。
[0018]图12的(a)及图12的(b)是例示磁头的特性的曲线图。
[0019]图13是例示磁头的特性的曲线图。
[0020]图14是例示磁头的特性的曲线图。
[0021]图15是例示磁头的特性的曲线图。
[0022]图16是例示磁头的特性的曲线图。
[0023]图17是例示磁头的特性的曲线图。
[0024]图18是例示第1实施方式所涉及的磁头的示意性俯视图。
[0025]图19是例示实施方式所涉及的磁记录装置的一部分的示意性立体图。
[0026]图20是例示实施方式所涉及的磁记录装置的示意性立体图。
[0027]图21的(a)及图21的(b)是例示实施方式所涉及的磁记录装置的一部分的示意性立体图。
[0028]附图标记说明
[0029]20
…
层叠体，20D
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电气电路，21
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第1磁性层，21a、21b
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第1磁性膜、第2磁性膜，22
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第2磁性层，23
…
中间层，24
…
第1非磁性层，25
…
第2非磁性层，30
…
磁极，30D
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记录电路，30F
…
介质对置面，30c
…
线圈，30i
…
绝缘部，31、32
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第1屏蔽件、第2屏蔽件，60
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记录部，70
…
再现部，71
…
磁再现元件，72a、72b
…
第1再现磁屏蔽件、第2再现磁屏蔽件，80
…
磁记录介质，81
…
磁记录层，82
…
介质基板，83
…
磁化，85
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介质移动方向，θ1
…
角度，110、111
…
磁头，150
…
磁记录装置，154
…
悬架，155
…
臂，156
…
音圈马达，157
…
轴承部，158
…
头万向节组件，159
…
头滑块，159A
…
空气流入侧，159B
…
空气流出侧，160
…
头堆叠组件，161
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支承框架，162
…
线圈，180
…
记录用介质盘，180M
…
主轴马达，181
…
记录介质，190
…
信号处理部，210
…
磁记录装置，AMx(21)、AMx(22)、AMx(30)
…
绝对值，AR、AR1
…
箭头，BLs
…
最短位长，C1、C2
…
第1条件、第2条件，D1～D3
…
第1方向～第3方向，Iw
…
记录电流，L3
…
第3长度，Mst
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磁厚度，Mx(21)、Mx(22)、Mx(30)
…
磁化，OA
…
振荡振幅，OS
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振荡强度，R1、R2
…
比，Rb1、Rb2
…
比，T1、T2
…
第1端子、第2端子，W1、W2
…
布线，d1～d2
…
第1距离～第3距离，f1
…
频率，iD
…
电流密度，t21
…
第1厚度，t22、t23、t24、t25
…
厚度，tm
…
时间，w1、w2
…
第1宽度、第2宽度
具体实施方式
[0030]以下，一边参照附图一边对本专利技术的各实施方式进行说明。
[0031]附图是示意性或概念性的，各部分的厚度与宽度的关系、部分间的大小的比率等不限于一定与现实中的相同。在表示相同部分的情况下，也存在互相的尺寸和/或比率根据附图而不同地表示的情况。
[0032]在本申请说明书与各图中，对与关于出现过的图在之前叙述过的要素同样的要素，赋予同一附图标记，详细的说明适当进行省略。
[0033](第1实施方式)
[0034]图1是例示第1实施方式所涉及的磁头的示意性俯视图。
[0035]图2是例示第1实施方式所涉及的磁记录装置的示意性立体图。
[0036]图3及图4是例示第1实施方式所涉及的磁头的示意性剖视图。
[0037]如图2所示，实施方式所涉及的磁头110与磁记录介质80一起使用。实施方式所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁头，具备：磁极；第1屏蔽件；设置于所述磁极与所述第1屏蔽件之间的第1磁性层；设置于所述第1磁性层与所述第1屏蔽件之间的第2磁性层；和设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的非磁性的中间层，所述磁极与所述第1磁性层之间的沿着从所述第1磁性层向所述第2磁性层的第1方向的第1距离,为所述磁极与所述第1屏蔽件之间的沿着所述第1方向的第2距离的1％以上且10％以下。2.如权利要求1所述的磁头，所述第1距离为1nm以上且4nm以下。3.如权利要求1所述的磁头，还具备设置于所述磁极与所述第1磁性层之间的第1非磁性层,所述第1非磁性层包含选自由Ru、Ta、Cr及Ti构成的组中的至少1种，所述第1非磁性层的沿着所述第1方向的厚度为3nm以下。4.如权利要求1所述的磁头，所述第1磁性层的沿着所述第1方向的第1厚度为所述第2距离的20％以上且40％以下。5.如权利要求1所述的磁头...

【专利技术属性】
技术研发人员：高岸雅幸，成田直幸，前田知幸，首藤浩文，永泽鹤美，菅原克也，
申请(专利权)人：东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：