本发明专利技术涉及电子照相光感受器和使用该光感受器的成像方法、成像仪器及其处理暗盒，其中电子照相光感受器中，包括至少一个导电衬底；以及位于该导电衬底之上的感光层，其中该感光层包含选自式（１）至（２２）的氨基化合物，式（１）至（２２）如说明书所述。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子照相光感受器和使用该光感受器的成像方法、成像仪器及其处理暗盒(process cartridge)。
技术介绍
最近，利用电子照相法的数据处理系统取得显著进展。确切地说，利用光记录数据并通过将数据变为数字信号的激光打印机(printer)和数字复印机在它们的印刷质量和可靠性上取得了显著改进。进而，用在这些打印机和复印机中的技术也可应用于能够以高速印刷技术印刷全色图像的激光打印机和数字复印机。由于这些原因，所以要求光感受器既可产生高质量图像，又具有高耐久性。由于成本、生产力和无污染性等原因，使用有机感光材料的光感受器广泛用于这些激光打印机和数字复印机中。有机光感受器一般分为单层类型(single-layered type)和功能独立类型(functionally-separated type)。第一种实用的有机光感受器，PVK-TNF电荷交换复合光感受器是早先的单层类型。Hayashi先生和Regensburger先生在1968年独立专利技术了PVK/a-Se多层光感受器。Melz先生在1977年和Schlosser先生在1978年公开了一种多层光感受器，它的感光层都是由有机材料制成的，也就是有机颜料分散的层和有机小分子量材料分散的聚合物层。它们被称为功能独立的光感受器，因为具有通过吸收光而生成电荷的电荷生成层(chargegeneration layer，CGL)和在光感受器表面上传输电荷和中和电荷的电荷传输层(charge transport layer，CTL)。多层光感受器比单层光感受器大大提高了敏感性和耐久性。另外，由于能够分别选择电荷生成材料(charge generation material，CGM)和电荷传输材料(charge transport material，CTM)，所以大大扩展了材料的选择范围。由于这些原因，所以多层光感受器目前在市场上颇为盛行。在多层光感受器中生成静电潜象的机理如下将光感受器充电，然后用光照射(irradiate)；光线通过CTL，在CGL中被CGM吸收，生成电荷；该电荷被注入CTL到达CGL与CTL的界面；电荷受静电场的作用在CTL中移动，中和光感受器表面上的电荷，形成静电潜像。不过，由于反复使用，有机光感受器的感光层容易被磨损，因此光感受器的电位和感光性会慢慢恶化(deteriorate)，由于其表面上的划痕和所得图像密度与质量的恶化，导致背景污染。因此，有机光感受器的耐磨性已经成为重要的课题。进而，最近，随着印刷速度的加快和成像仪器的小型化，光感受器也不得不随之具有更小的直径，其耐久性成为更重要的课题。关于提高光感受器耐磨性的方法，赋予感光层以润滑性、硬化感光层、在其中包括填充剂和使用高分子量CTM代替小分子量CTM的方法是普遍已知的。不过，当利用这些方法防止光感受器磨损时，出现了其他问题。也就是说，因使用条件或环境而产生的氧化气体如臭氧和NOx附着于感光层的表面，降低了其表面电阻，产生了所得图像模糊等问题。迄今为止，已经在一定程度上避免了这样一种问题，因为随着感光层的磨损，导致图像模糊的材料逐渐被擦去。不过，为了满足上述对光感受器更高敏感性与耐久性的最新需要，需要使用新的工艺。为了减少导致图像模糊的材料的影响，有一种方法是为光感受器装备加热器，这对仪器小型化和减少电能消耗来说是一大缺点。另外，在感光层中包括添加剂如抗氧化剂的方法是有效的，但是由于简单的添加剂不具有光电导性，而在感光层中大量包含这类添加剂则会导致敏感性恶化和所得光感受器剩余电位增加等问题。另外，日本专利申请公开号2000-231204公开了具有二烷基氨基的芳族化合物。该化合物对反复使用后光感受器得到的图像质量是有效的，但是由于电荷传输性低，它难以满足更高敏感性与印刷速度的需要，并且其加入量有限。如上所述，通过赋予耐磨性或围绕此而设计的方法减少磨损的电子照相光感受器不可避免地产生模糊和低分辨率的图像，并且所得图像难以兼备高耐久性和高质量。这是因为感光层的高表面电阻优先防止图像模糊，它的低表面电阻优先防止剩余电位增加。由于这些原因，所以需要对这样一种电子照相光感受器，它具有抗长时间反复使用的高耐久性，防止图像密度恶化和图像模糊，稳定地产生优质图像。
技术实现思路
因此，本专利技术的一个目的是提供这样的电子照相光感受器(electrophotographic photoreceptor)，它具有抗长时间反复使用的高耐久性，防止图像密度恶化和图像模糊，稳定地产生高质量图像。本专利技术的另一个目的是提供使用该光感受器的成像方法、成像仪器(image forming apparatus)和处理暗盒，其中该光感受器不必交换，这能够随着高速印刷或光感受器直径更小而使仪器小型化，并且即使长时间反复使用后也稳定地产生高质量图像。简而言之，本专利技术的这些目的和下述其他目的将通过阅读本专利技术的下述说明将更加容易明白。本专利技术提供了电子照相光感受器，包含导电衬底(electroconductive substrate)；和位于导电衬底之上的感光层(photosensitive layer)，其中该感光层包含选自下式(1)至(22)的氨基化合物 其中R1和R2独立地代表具有1至4个碳原子的烷基，并且任选地共享键连接(share bond connectivity)构成包括氮原子的杂环基；n1代表1至4的整数；Ar代表取代或未取代的芳环基(aromatic ring group)； 其中R21和R22独立地代表具有1至4个碳原子的烷基，并且任选地共享键连接构成包括氮原子的杂环基；l2、m2和n2独立地代表0或1至3的整数，其中l2、m2和n2不同时是0；Ar21、Ar22和Ar23独立地代表取代或未取代的芳环基；Ar21和Ar22、Ar22和Ar23，以及Ar23和Ar21的每种组合任选地共享键连接构成包括氮原子的杂环基； 其中R31和R32独立地代表具有1至4个碳原子的烷基，并且任选地共享键连接构成包括氮原子的杂环基；k3、l3、m3和n3独立地代表0或1至3的整数，其中k3、l3、m3和n3不同时是0；Ar31、Ar32、Ar33和Ar34独立地代表取代或未取代的芳环基；Ar31和Ar32、Ar31和Ar34，以及Ar33和Ar34的每种组合任选地共享键连接构成环； 其中R41和R42独立地代表具有1至4个碳原子的烷基，并且任选地共享键连接构成包括氮原子的杂环基；k4、l4、m4和n4独立地代表0或1至3的整数，其中k4、l4、m4和n4不同时是0；Ar41、Ar42、Ar43和Ar44独立地代表取代或未取代的芳环基；Ar41和Ar42、Ar41和Ar43，以及Ar43和Ar44的每种组合任选地共享键连接构成环； 其中R51和R52独立地代表具有1至4个碳原子的烷基，并且任选地共享键连接构成包括氮原子的杂环基；k5、l5、m5和n5独立地代表0或1至3的整数，其中k5、l5、m5和n5不同时是0；Ar51、Ar52、Ar53和Ar54独立地代表取代或未取代的芳环基；Ar51和Ar52、Ar51和Ar53，以及Ar51和Ar54的每种组合任选地共享键连接构成环；X代表亚甲基、亚环己基(cyclohex本文档来自技高网...
【技术保护点】
电子照相光感受器，包含： 导电衬底；和 位于导电衬底之上的感光层， 其中该感光层包含选自下式（１）至（２２）的氨基化合物： ＊＊＊ （１） 其中Ｒ↑［１］和Ｒ↑［２］独立地代表具有１至４个碳原子的烷基，并且任选地共享键连接构成包括氮原子的杂环基；ｎ１代表１至４的整数；Ａｒ代表取代或未取代的芳环基； ＊＊＊ （２） 其中Ｒ↑［２１］和Ｒ↑［２２］独立地代表具有１至４个碳原子的烷基，并且任选地共享键连接构成包括氮原子的杂环基；ｌ２、ｍ２和ｎ２独立地代表０或１至３的整数，其中ｌ２、ｍ２和ｎ２不同时是０；Ａｒ↑［２１］、Ａｒ↑［２２］和Ａｒ↑［２３］独立地代表取代或未取代的芳环基；Ａｒ↑［２１］和Ａｒ↑［２２］、Ａｒ↑［２２］和Ａｒ↑［２３］，以及Ａｒ↑［２３］和Ａｒ↑［２１］中的每种组合任选地共享键连接构成包括氮原子的杂环基； ＊＊＊ （３） 其中Ｒ↑［３１］和Ｒ↑［３２］独立地代表具有１至４个碳原子的烷基，并且任选地共享键连接构成包括氮原子的杂环基；ｋ３、ｌ３、ｍ３和ｎ３独立地代表０或１至３的整数，其中ｋ３、ｌ３、ｍ３和ｎ３不同时是０；Ａｒ↑［３１］、Ａｒ↑［３２］、Ａｒ↑［３３］和Ａｒ↑［３４］独立地代表取代或未取代的芳环基；Ａｒ↑［３１］和Ａｒ↑［３２］、Ａｒ↑［３１］和Ａｒ↑［３４］，以及Ａｒ↑［３３］和Ａｒ↑［３４］中的每种组合任选地共享键连接构成环； ＊＊＊ （４） 其中Ｒ↑［４１］和Ｒ↑［４２］独立地代表具有１至４个碳原子的烷基，并且任选地共享键连接构成包括氮原子的杂环基；ｋ４、ｌ４、ｍ４和ｎ４独立地代表０或１至３的整数，其中ｋ４、ｌ４、ｍ４和ｎ４不同时是０；Ａｒ↑［４１］、Ａｒ↑［４２］、Ａｒ↑［４３］和Ａｒ↑［４４］独立地代表取代或未取代的芳环基；Ａｒ↑［４１］和Ａｒ↑［４２］、Ａｒ↑［４１］和Ａｒ↑［４３］，以及Ａｒ↑［４３］和Ａｒ↑［４４］中的每种组合任选地共享键连接构成环； ＊＊＊ （５） 其中Ｒ↑［５１］和Ｒ↑［５２］独立地代表具有１至４个碳原子的烷基，并且任选地共享键连接构成包括氮原子的杂环基；ｋ５、ｌ５、ｍ５和ｎ５独立地代表０或１至３的整数，其中ｋ５、ｌ５、ｍ５和ｎ５不同时是０；Ａｒ↑［５１］、Ａｒ↑［５２］、Ａｒ↑［５３］和Ａｒ↑［５４］独立地代表取代或未取代的芳环基；Ａｒ↑［５１］和Ａｒ↑［５２］、Ａｒ↑［５１］和Ａｒ↑［５３］，以及Ａｒ↑［５１］和Ａｒ↑［...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：池上孝彰，铃木康夫，岛田知幸，田元望，纸英利，
申请(专利权)人：株式会社理光，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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