垂直腔面发射激光器以及具有其的摄像模组制造技术

技术编号:27574884 阅读:20 留言:0更新日期:2021-03-09 22:24
本实用新型专利技术公开了一种垂直腔面发射激光器,包括:衬底层、外延层、多个发光芯片、绝缘层、多个第一电极、多个第二电极,外延层位于衬底层的上表面;多个发光芯片以阵列方式排布于外延层的上表面;绝缘层设置在外延层的上表面,且填充在发光芯片的外侧;每个第一电极对应连接一个发光芯片一一对应,多个发光芯片划分为多组,每组内的各个发光芯片的第一电极彼此电连接到一起,以对多组发光芯片进行独立点亮;每个第二电极对应连接一个发光芯片一一对应,多个第二电极电连接到一起。由此,通过对发光芯片进行分组,给不同组的第一电极驱动电流来达到控制不同区域发射激光,进而达到激光器能够分区点亮的目的。能够分区点亮的目的。能够分区点亮的目的。

【技术实现步骤摘要】
垂直腔面发射激光器以及具有其的摄像模组


[0001]本技术涉及激光器领域,尤其是涉及一种垂直腔面发射激光器以及具有其的摄像模组。

技术介绍

[0002]VCSEL全名为垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser),以砷化镓材料为基础研制。目前3D摄像模组中使用的VCSEL都是正负极异面的芯片,如图1所示,负极103

通过胶等方式贴合在陶瓷基板或者其他电路板上,正极102

通过打金线101

的方式打在陶瓷基板或者其他电路板上。现有的发光芯片104

没有分区点亮功能,且正极102

和陶瓷基板通过金线连接,金线101

容易塌陷,会造成短路或者其他不良。
[0003]现有的VCSEL在电路上没有设定一个金线定向控制那片区域,会出现多种不良情况,比如有些点随机不亮,或者整体不太亮。

技术实现思路

[0004]本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种垂直腔面发射激光器,其特征在于,包括:衬底层;外延层,所述外延层位于所述衬底层的上表面;多个发光芯片,多个所述发光芯片以阵列方式排布于所述外延层的上表面,每个所述发光芯片均包括自下向上依次层叠设置的下DBR层、有源层、上DBR层,所述上DBR层内具有氧化层以及形成在氧化层内侧的发射孔;绝缘层,所述绝缘层设置在所述外延层的上表面,且填充在所述发光芯片的外侧;多个第一电极,每个所述第一电极对应连接一个发光芯片,多个所述发光芯片划分为多组,每组内的各个发光芯片的第一电极彼此电连接到一起,以对多组发光芯片进行独立点亮;以及多个第二电极,每个所述第二电极对应连接一个发光芯片,多个所述第二电极电连接到一起,所述第二电极和所述第一电极中的一个为正极且另一个为负极。2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,还包括公共电极连接部,所述第一电极为负极、所述第二电极为正极,多个所述第二电极均连接到所述公共电极连接部,所述公共电极连接部形成为公共正极。3.根据权利要求2所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,多个所述发光芯片的第二电极为形成在绝缘层顶部表面或内侧的电连接线。4.根据权利要求3所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述公共电极连...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈智前舒海健
申请(专利权)人:欧菲微电子技术有限公司
类型:新型
国别省市:

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