C波段降频电路和降频器制造技术

技术编号:27572227 阅读:19 留言:0更新日期:2021-03-09 22:20
本实用新型专利技术公开了一种C波段降频电路和降频器,包括双工器;中频放大电路,输入端与双工器的输出端连接,输出端用于对外输出信号;结构相同的垂直极化支路和水平极化支路,均包括:极化探针,连接有第一放大电路;多级级联放大电路,与第一放大电路的输出端连接;多级射频窄带滤波器,与多级级联放大电路间隔连接;锁相环集成电路,与最后一级射频窄带滤波器连接;介质滤波器,与锁相环集成电路连接;输出滤波电路,与介质滤波器连接,输出滤波电路与双工器连接。多级射频窄带滤波器可以实现抗干扰,射频信号进入介质滤波器,可以进一步将异频信号进行抑制,并通过输出滤波电路进一步滤除干扰信号,有利于提高降频器的抗干扰能力。有利于提高降频器的抗干扰能力。有利于提高降频器的抗干扰能力。

【技术实现步骤摘要】
C波段降频电路和降频器


[0001]本技术涉及卫星通讯
,特别涉及一种C波段降频电路和降频器。

技术介绍

[0002]卫星电视经历了半个世纪的发展和普及,现已覆盖全球。随着卫星网络技术的不断发展,越来越多的设备需要不同频率的卫星信号的支持,导致越来越多的信号相互辐射干扰。此外,近年来新兴的5G技术,其信号频段与卫星电视C波段的接收频段部分重叠(3.4GHz~3.7GHz),对市面上C波段降频器造成极大的辐射干扰,导致卫星电视的部分节目无法接收。

技术实现思路

[0003]本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本技术提出一种C波段降频电路和降频器,能够提高降频器的抗干扰能力。
[0004]第一方面,根据本技术实施例的C波段降频电路,包括双工器;中频放大电路,输入端与所述双工器的输出端连接,所述中频放大电路的输出端用于对外输出信号;结构相同的垂直极化支路和水平极化支路,均包括:极化探针,连接有第一放大电路;多级级联放大电路,第一级所述级联放大电路的输入端与所述第一放大电路的输出端连接;多级射频窄带滤波器,所述射频窄带滤波器与所述级联放大电路间隔连接;介质滤波器,输入端与所述锁相环集成电路的输出端连接;输出滤波电路,输入端与所述介质滤波器的输出端连接,所述输出滤波电路的输出端与所述双工器的输入端连接。
[0005]根据本技术的一些实施例,C波段降频电路还包括信号源电路,所所述信号源电路分别与所述垂直极化支路和所述水平极化支路的第一放大电路连接。
[0006]根据本技术的一些实施例,所述第一放大电路包括MOS管Q1,所述MOS管Q1的栅极通过第一射频微带传输线与所述极化探针连接,所述第一射频微带传输线连接有第一分压滤波电路,并通过所述第一分压滤波电路与所述信号源电路的输出端G1连接,所述MOS管Q1的漏极连接有第一滤波电路,并通过所述第一滤波电路与所述信号源电路的输出端D1连接,所述MOS管Q1的源极接地。
[0007]根据本技术的一些实施例,所述级联放大电路和所述射频窄带滤波器的数量均为两级,所述级联放大电路包括三极管Q2和三极管Q3,所述射频窄带滤波器包括第一级微带滤波器和第二级微带滤波器;
[0008]所述三极管Q2的基极连接有电容C2,并通过所述电容C2与所述第一放大电路的输出端连接,所述三极管Q2的发射极接地,所述三极管Q2的集电极连接有第二分压滤波电路,并通过所述第二分压滤波电路与工作电源连接,所述三极管Q2的集电极还连接有电容C6,并通过所述电容C6与所述第一级微带滤波器连接,所述第一级微带滤波器连接有电容C4,并通过所述电容C4与所述三极管Q3的基极连接;
[0009]所述三极管Q3的发射极接地,所述三极管Q3的集电极连接有第三分压滤波电路,
并通过所述第三分压滤波电路与所述工作电源连接,所述三极管Q3的集电极还连接有电容C9,并通过所述电容C9与所述第二级微带滤波器连接,所述第二级微带滤波器与所述锁相环集成电路的输入端连接。
[0010]根据本技术的一些实施例,所述第二分压滤波电路和/或所述第三分压滤波电路包括分压电阻、滤波电容和第一微带电感线,所述分压电阻的第一端与所述工作电源连接,所述分压电阻的第二端与所述第一微带电感线连接,并通过所述第一微带电感线与相应的三极管连接,所述分压电阻还与所述滤波电容连接,并通过所述滤波电容接地。
[0011]根据本技术的一些实施例,所述锁相环集成电路包括锁相环芯片以及与所述锁相环芯片连接的晶振。
[0012]根据本技术的一些实施例,所述输出滤波电路包括多个输出滤波电容和多个第二微带电感线,多个所述输出滤波电容和多个所述第二微带电感线组成LC滤波电路。
[0013]根据本技术的一些实施例,所述双工器包括电容C27和电阻R10,所述电容C27和所述电阻R10并联后的两端分别与所述垂直极化支路和所述水平极化支路的输出滤波电路连接,所述电容C27和所述电阻R10并联后的两端还连接有电容C25,并通过所述电容C25与所述中频放大电路连接。
[0014]第二方面,根据本技术实施例的降频器,包括上述的C波段降频电路。
[0015]根据本技术的一些实施例,所述C波段降频电路连接有多个级联连接的分配器
[0016]根据本技术实施例的一个或多个技术方案,至少具有如下有益效果:
[0017]第一放大电路和多级级联放大电路可以增强射频信号的接收,多级射频窄带滤波器在射频信号的传输过程中可以有效地将3.4GHz~3.7GHz波段的信号进行抑制,从而实现抗干扰,射频信号经过锁相环集成电路处理后,进入介质滤波器,可以进一步将异频信号进行抑制,并通过输出滤波电路进一步滤除干扰信号,得到高窄频的中频带宽,有利于提高降频器的抗干扰能力。
[0018]本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本技术的实践了解到。
附图说明
[0019]本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
[0020]图1为本技术实施例的C波段降频电路的电路原理框图;
[0021]图2为本技术实施例的C波段降频电路的电路原理图;
[0022]图3为本技术实施例的降频器的结构示意图。
具体实施方式
[0023]下面详细描述本技术的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本技术,而不能理解为对本技术的限制。
[0024]在本技术的描述中,若干的含义是一个或者多个,多个的含义是两个以上,大于、小于、超过等理解为不包括本数,以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。
[0025]本技术的描述中,除非另有明确的限定,设置、安装、连接等词语应做广义理解,所属
技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本技术中的具体含义。
[0026]请参照图1,本实施例公开了一种C波段降频电路,包括垂直极化支路100、水平极化支路200、双工器300和中频放大电路400,垂直极化支路100和水平极化支路200的结构相同,垂直极化支路100和水平极化支路200分别与双工器300的输入端连接,双工器300的输出端与中频放大电路400的输入端连接,中频放大电路400的输出端用于对外输出信号,垂直极化支路100和水平极化支路200均包括极化探针110、第一放大电路120、多级级联放大电路130、多级射频窄带滤波器140、锁相环集成电路150、介质滤波器160和输出滤波电路170,第一本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种C波段降频电路,其特征在于,包括:双工器(300);中频放大电路(400),输入端与所述双工器(300)的输出端连接,所述中频放大电路(400)的输出端用于对外输出信号;结构相同的垂直极化支路(100)和水平极化支路(200),均包括:极化探针(110),连接有第一放大电路(120);多级级联放大电路(130),第一级所述级联放大电路(130)的输入端与所述第一放大电路(120)的输出端连接;多级射频窄带滤波器(140),所述射频窄带滤波器(140)与所述级联放大电路(130)间隔连接;锁相环集成电路(150),输入端与最后一级所述射频窄带滤波器(140)连接;介质滤波器(160),输入端与所述锁相环集成电路(150)的输出端连接;输出滤波电路(170),输入端与所述介质滤波器(160)的输出端连接,所述输出滤波电路(170)的输出端与所述双工器(300)的输入端连接。2.根据权利要求1所述的C波段降频电路,其特征在于,还包括信号源电路(500),所述信号源电路(500)分别与所述垂直极化支路(100)和所述水平极化支路(200)的第一放大电路(120)连接。3.根据权利要求2所述的C波段降频电路,其特征在于,所述第一放大电路(120)包括MOS管Q1,所述MOS管Q1的栅极通过第一射频微带传输线(101)与所述极化探针(110)连接,所述第一射频微带传输线(101)连接有第一分压滤波电路,并通过所述第一分压滤波电路与所述信号源电路(500)的输出端G1连接,所述MOS管Q1的漏极连接有第一滤波电路,并通过所述第一滤波电路与所述信号源电路(500)的输出端D1连接,所述MOS管Q1的源极接地。4.根据权利要求1所述的C波段降频电路,其特征在于,所述级联放大电路(130)和所述射频窄带滤波器(140)的数量均为两级,所述级联放大电路(130)包括三极管Q2和三极管Q3,所述射频窄带滤波器(140)包括第一级微带滤波器(141)和第二级微带滤波器(142);所述三极管Q2的基极连接有电容C2,并通过所述电容C2与所述第一放大电路(120)的输出...

【专利技术属性】
技术研发人员:叶远龙
申请(专利权)人:珠海市普斯赛特科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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