一种分析逆冲断层演化特征的方法及装置制造方法及图纸

技术编号:27561222 阅读:18 留言:0更新日期:2021-03-09 22:03
本发明专利技术涉及断层演化技术领域,公开了一种分析逆冲断层演化特征的方法及装置。这种方法包括以下步骤:获取静态断层断距参数;以相邻两套地层所产生的断层图形曲线为依据,对相邻两套地层的断层断距叠加关系进行分类;以分类结果为依据,计算相邻两套沉积地层中,前一沉积时期在前一沉积层上产生的断距;按沉积时期由后到先的顺序,依次计算各个沉积时期在相应的沉积层上产生的断距。本发明专利技术提供的分析逆冲断层演化特征的方法,以相邻两套地层所产生的断层图形曲线为依据,对相邻两套地层之间的叠加关系进行详细的分类,再此基础上进行断距的逐层计算,对整个地层的断面进行整体的考虑,有利于断层的发展情况进行定量分析。有利于断层的发展情况进行定量分析。有利于断层的发展情况进行定量分析。

【技术实现步骤摘要】
一种分析逆冲断层演化特征的方法及装置


[0001]本专利技术涉及断层演化
,特别涉及一种分析断层演化特征的方法及装置。

技术介绍

[0002]分析多期叠合逆冲环境下断层的演化特征是构造研究的基础,也是成藏研究的关键。恢复不同沉积时期中,同一断层的不同部位在不同形变层的活动强度,对动态评价油气成藏具有重要的意义。
[0003]如何恢复并表征不同时期断层的活动强度,国内外学者提出不同的评价方法和技术标准,其中较为流行的有断层活动率法、断层位移法、断层落差法、断层生长指数法等(C.E.Thorsen,1963;赵孟为,1989;单业华,2003)。自从C.E.Thorsen于1963年提出断层生长指数以来,生长指数在国内外,尤其是在我国含油气盆地同生断层的研究中得到了较为广泛的应用,并被许多教科书介绍与引用。R.E.Chapman、朱世新等普遍认为断层生长指数是研究同生断层的有效手段。C.E.Thorsen将断层生长指数定义为断层两侧同一地层单元的下降盘厚度与上升盘厚度的比值,认为在生长指数图上比较不同时代断层生长指数的大小,可以了解断层在不同时代的活动强度。赵孟为提出断层活动速率法,指的是地质时期某一阶段的断层落差与沉积时间比值,沉积时间为整套地层的沉积时间取平均值或用生物化石划分沉积时间;单业华依据的单条断层破裂扩展,分析观察点与断层生长核之间的变化关系提出了断层位移法来定义断层的活动强度。
[0004]这些方法分别从不同角度评价了断层的活动强度。断层在形成发展中的过程中,随着应力场的变化,在不同部位发生了扩展、链接、合并、复活等变化。但以上这些方法只是从断层某个部位运用几何学特征参数的变化去评价断层活动性,用局部代替整体,对分析断层整体演化特征存在缺陷。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于克服现有技术中所存在的只是从断层某个部位运用几何学特征参数的变化去评价断层活动性,用局部代替整体,对分析断层整体演化特征存在缺陷的不足,提供一种分析逆冲断层演化特征的方法及装置。
[0006]为了实现上述专利技术目的,本专利技术提供了以下技术方案:
[0007]一种分析逆冲断层演化特征的方法,包括以下步骤:
[0008]获取静态断层断距参数;
[0009]以相邻两套地层所产生的断层图形曲线为依据,对单峰状态下相邻两套地层的断层断距叠加关系进行分类;
[0010]以分类结果为依据,计算相邻两套沉积地层中,前一沉积时期在前一沉积层上产生的断距;
[0011]按沉积时期由后到先的顺序,依次计算各个沉积时期在相应沉积层上产生的断距。
[0012]本专利技术提供一种分析逆冲断层演化特征的方法。该方法以当前时期能够观测到的静态断层断距为计算参数,通过对上下两套地层之间断层断距图像的关系进行运动特征的定义、分类,形成分析叠加断层断距计算的基础,得出对上套地层的断距对下套地层的断距影响量;依次回剥消除上套地层对下套地层断层断距的影响量,从而得到每一个沉积时期在相应的沉积层上产生的断距,进而能够对断层的每个沉积时期的发展特征行定量分析。
[0013]作为本专利技术的优选方案,还包括以下步骤:
[0014]计算地层的塑性变形调节量。
[0015]作为本专利技术的优选方案,所述塑性变形调节量的计算方法为:
[0016]△
K=max(f
X1n
)-gX1K、
[0017]其中,

K为塑性地层K已累积的塑性形变调节量总值;
[0018]max(f
X1n
)为脆性地层的最大断距;
[0019]g
X1K
为塑性地层K的断距。
[0020]本专利技术提供的分析逆冲断层演化特征的方法,引入了塑性形变调节量,考虑了地层本身的塑性对断层演化特征的影响。
[0021]作为本专利技术的优选方案,在获取静态断层断距参数之后,对单峰状态下相邻两套地层的断层断距叠加关系进行分类之前,还包括以下步骤:
[0022]对于同一沉积层,判断断层图形曲线为单峰曲线还是多峰曲线;
[0023]对于多峰曲线,对多峰曲线分段,将多峰曲线分为单峰曲线。
[0024]作为本专利技术的优选方案,相邻两套地层的断层断距叠加关系包括以下种类:
[0025]A.前一沉积时期产生的断层图形曲线包含后一沉积时期产生的断层图形曲线;
[0026]B.前一沉积时期产生的断层图形曲线与后一沉积时期产生的断层图形曲线相交;
[0027]C.后一沉积时期产生的断层图形曲线包含前一沉积时期产生的断层图形曲线。
[0028]作为本专利技术的优选方案,相邻两套地层的断层断距叠加关系为A类时,前一沉积时期在前一沉积层上产生的断距函数为:
[0029]f

X2
=f
X2-f
X1
[0030]其中,f
X2
为前一沉积时期产生的断层图形曲线函数;
[0031]f
X1
为后一沉积时期产生的断层图形曲线函数;
[0032]f

X2
为前一沉积时期在前移沉积层上产生的断距函数;
[0033]作为本专利技术的优选方案,相邻两套地层的断层断距叠加关系为C类时,若断层在后一沉积时期后发生了断距产状变化,则前一沉积时期在前一沉积层上产生的断距函数为:
[0034][0035]若后一沉积层存在塑性变形量,则前一沉积时期在前一沉积层上产生的断距函数为:
[0036]f

X2
=f
X2-f
X1-ΔK
X1
[0037]其中,f
X2
为前一沉积时期产生的断层图形曲线函数;
[0038]f
X1
为后一沉积时期产生的断层图形曲线函数;
[0039]α为前一沉积时期形成的断层的倾角;
[0040]β为后一沉积时期形成断层的倾角;
[0041]ΔK
X1
为后一沉积时期时,已累积的塑性形变调节量总值。
[0042]作为本专利技术的优选方案,所述前一沉积时期产生的断层图形曲线与后一沉积时期产生的断层图形曲线相交,相邻两套地层的断层断距单峰曲线叠加关系包括以下种类:
[0043]B1.前一时期产生的断层图形曲线与后一沉积时期产生的断层图形曲线相似;
[0044]B2.后一沉积时期产生的断层图形曲线的峰值与前一时期产生的断层图形曲线峰值接近,且前一时期产生的断层图形曲线的峰值大于后一沉积时间产生的断层图形曲线的峰值;
[0045]B3.后一沉积时期产生的图形的峰值位置与前一时期产生的断层入刑曲线峰值接近,且前一时期产生的断层图形曲线的峰值小于后一沉积时间产生的断层图形曲线的峰值;
[0046]B4.后一沉积时期产生的断层图形曲线的峰值远离前一时期产生的断层图形曲线峰值,且前一时期产生的断层图本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种分析逆冲断层演化特征的方法,其特征在于,包括以下步骤:获取静态断层断距参数;以相邻两套地层所产生的断层图形曲线为依据,对单峰状态下相邻两套地层的断层断距叠加关系进行分类;以分类结果为依据,计算相邻两套沉积地层中,前一沉积时期在前一沉积层上产生的断距;按沉积时期由后到先的顺序,依次计算各个沉积时期在相应的沉积层上产生的断距。2.根据权利要求1所述的分析逆冲断层演化特征的方法,其特征在于,还包括以下步骤:计算地层的塑性变形调节量。3.根据权利要求2所述的分析逆冲断层演化特征的方法,其特征在于,所述塑性变形调节量的计算方法为:

K=max(f
X1n
)-g
X1K
、其中,

K为塑性地层K已累积的塑性形变调节量总值;max(f
X1n
)为脆性地层的最大断距;g
X1K
为塑性地层K的断距。4.根据权利要求1-3中任意一项所述的分析逆冲断层演化特征的方法,其特征在于,在所述获取静态断层断距参数之后,所述对单峰状态下相邻两套地层的断层断距叠加关系进行分类之前,还包括以下步骤:对于同一沉积层,判断断层图形曲线为单峰曲线还是多峰曲线;对于多峰曲线,对多峰曲线分段,将多峰曲线分为单峰曲线。5.根据权利要求4中所述的分析逆冲断层演化特征的方法,其特征在于,相邻两套地层的断层断距单峰曲线叠加关系包括以下种类:A.前一沉积时期产生的断层图形曲线包含后一沉积时期产生的断层图形曲线;B.前一沉积时期产生的断层图形曲线与后一沉积时期产生的断层图形曲线相交;C.后一沉积时期产生的断层图形曲线包含前一沉积时期产生的断层图形曲线。6.根据权利要求5所述的分析逆冲断层演化特征的方法,其特征在于,当相邻两套地层的断层断距叠加关系为A类时,前一沉积时期在前一沉积层上产生的断距函数为:f

X2
=f
X2-f
X1
其中,f
X2
为前一沉积时期产生的断层图形曲线函数;f
X1
为后一沉积时期产生的断层图形曲线函数;f

X2
为前一沉积时期在前移沉积层上产生的断距函数。7.根据权利要求6所述的分析逆冲断层演化特征的方法,其特征在于,当相邻两套地层的断层断距叠加关系为C类时,若断层在后一沉积时期后发生了断距产状变化,则前一沉积时期在前一沉积层上产生的断距函数为:若后一沉积层存在塑性变形量,则前一沉积时期在前一沉积层上产生的断距函数为:
f

X2
=f
X2-f
X1-ΔK
X1
其中,f
X2
为前一沉积时期产生的断层图形曲线函数;f
X1
为后一沉积时期产生的断层图形曲线函数;α为前一沉积时期形成的断层的倾角;β为后一沉积时期形成断...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨映涛郑元财朱丽张庄操延辉张玲叶素娟张世华付菊何建磊伍玲王玲辉杨永剑
申请(专利权)人:中国石油化工股份有限公司西南油气分公司
类型:发明
国别省市:

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