一种包括光敏层的电子照相感光体，所述光敏层含有钛氧基酞菁晶体和具有预定结构的联苯乙烯化合物，所述钛氧基酞菁晶体在可见－红外吸收光谱中在波长７８０±１０ｎｍ处具有主吸收峰并且在波长６９０±１０ｎｍ处具有强度为主吸收峰３／４或更低的次吸收峰。还提供一种使用该电子照相感光体的电子照相成像设备。所述电子照相感光体和电子照相成像设备通过使用新晶型的高光敏性钛氧基酞菁和作为与该钛氧基酞菁相容的电荷传输材料的联苯乙烯化合物的最佳组合而具有良好的光敏性和充电性能以及重复充电后的良好稳定性。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子照相感光体(electrophotographic photoreceptor)和电子照相成像设备，更具体而言，涉及具有高光敏性和重复充电后具有良好稳定性的电子照相感光体。本专利技术还涉及使用该电子照相感光体的成像设备。
技术介绍
酞菁化合物对于可见光到近红外区域的光表现出良好的光电导性，因此作为光电材料而广泛用于电子照相感光体或有机太阳能电池的电荷产生材料。具有与氢分子键合的四价钛原子作为主要金属的钛氧基酞菁化合物主要由于它们的良好光敏性和稳定性而得以使用。如同许多其他酞菁化合物一样，钛氧基酞菁化合物在室温下具有多种晶型。例如，美国专利US 4664997公开一种在波长约760nm处具有主吸收峰的钛氧基酞菁晶体。该晶体类型通常已知为β-型，在目前使用的钛氧基酞菁晶体中具有最高稳定性和最低光敏性。美国专利US 4728592公开一种在波长约830nm处具有主吸收峰的α-型钛氧基酞菁晶体。该α-型钛氧基酞菁晶体的光敏性比β-型钛氧基酞菁晶体的光敏性大1.5倍，这对于获得高效电子照相感光体是有效的。美国专利US 4898799公开一种在X-射线衍射光谱中在27.3°的布拉格角(2θ)具有主吸收峰的酞菁晶体类型。该晶体类型通常被称为Y-型或γ-型，并在普通电场强度下具有90％或更高的高量子效率，在实践中用于超高光敏性感光体。该Y-型晶体在长波长范围内表现出多个主吸收峰，一般在波长约800nm和约850nm处具有吸收峰，并且它们的强度比可以根据制造条件而变化。该晶体类型是准稳态的，通过暴露在热或机械压力下或与溶剂接触可能使其稳定化，从而降低光敏性。而且还已知该晶体类型在晶体结构中包含水分子，因此其性质根据环境湿度而改变。此外，美国专利US 5252417还公开一种从用一氯苯和水处理的无定形钛氧基酞菁获得的钛氧基酞菁晶体。该钛氧基酞菁晶体与Y-型钛氧基酞菁晶体相似，在X-射线衍射光谱中在约27.3°的布拉格角(2θ)具有主吸收峰，但是其表现出不同的可见-红外吸收光谱，因此在波长约790nm处具有主吸收峰并在波长约710nm处具有次吸收峰。然而，当使用这样高敏感的钛氧基酞菁电荷产生材料时，感光体的敏感性会提高，但这种提高可能不够，因而应适当选择要与钛氧基酞菁电荷产生材料组合使用的电荷传输材料。当电荷产生材料和电荷传输材料的组合不合适时，高光敏性的钛氧基酞菁电荷产生材料不能适当地发挥其功能，因此即使当使用高光敏性的钛氧基酞菁电荷产生材料时，使用该电荷产生材料制造的电子照相感光体的光敏性也不足够，和/或重复充电后感光体的稳定性会迅速降低。
技术实现思路
本专利技术通过恰当使用具有新晶型的高光敏性钛氧基酞菁而提供一种具有良好光敏性和重复稳定性的电子照相感光体。本专利技术还提供一种使用该电子照相感光体的电子照相成像设备。根据本专利技术的一个方面，所提供的电子照相感光体包括导电基质；和在该导电基质上形成的光敏层，其中所述光敏层含有钛氧基酞菁晶体和以下式1所示的联苯乙烯化合物，所述钛氧基酞菁晶体在可见-红外吸收光谱中在波长780±10nm处具有主吸收峰并且在波长690±10nm处具有强度为主吸收峰3/4或更低的次吸收峰 其中苯基和亚苯基的至少一个氢原子可以被C1-C6烷基或C1-C6烷氧基所取代。根据本专利技术的另一方面，所提供的电子照相成像设备包括电子照相感光体，包括导电基质；和在该导电基质上形成的光敏层，其中所述光敏层含有钛氧基酞菁晶体和以下式1所示的联苯乙烯化合物，所述钛氧基酞菁晶体在可见-红外吸收光谱中在波长780±10nm处具有主吸收峰，并且在波长690±10nm处具有强度为主吸收峰3/4或更低的次吸收峰 其中苯基和亚苯基的至少一个氢原子可以被C1-C6烷基或C1-C6烷氧基所取代；充电设备，用来为该电子照相感光体充电；成影像式(imagewise)光照射装置，用来向充电的电子照相感光体照射成影像式光，以在该电子照相感光体上形成静电潜像；显影单元，用调色剂使静电潜像显影，以在该电子照相感光体上形成调色剂图像；和转印单元，用来将调色剂图像转印到图像受体上。根据本专利技术的电子照相感光体和电子照相成像设备通过使用具有新晶型的高光敏性钛氧基酞菁和与该钛氧基酞菁相容的电荷传输材料的最佳组合可以表现出良好的静电特性，例如良好的光敏性和重复充电后的稳定性。附图说明本专利技术的上述和其他特征和优点通过参考以下附图详细描述其示范性实施方案将会更明显图1是根据本专利技术一个实施方案使用电子照相感光体的电子照相成像设备的示意图； 图2表示在制备实施例1中获得的钛氧基酞菁晶体的可见-红外吸收光谱；图3表示在制备实施例1中获得的钛氧基酞菁的X-射线衍射光谱；图4表示在比较实施例1中所用的Y-型钛氧基酞菁晶体的可见-红外吸收光谱；图5表示在比较实施例1中所用的Y-型钛氧基酞菁晶体的X-射线衍射光谱。具体实施例方式现在参考其中显示了本专利技术示范性实施方案的附图而更全面地描述本专利技术。根据本专利技术一个实施方案的电子照相感光体包括导电基质和在该导电基质上形成的光敏层，其中该光敏层包含作为电荷产生材料的钛氧基酞菁晶体和作为电荷传输材料的以下式1所示的联苯乙烯化合物，所述钛氧基酞菁晶体在可见-红外吸收光谱中在波长780±10nm处具有主吸收峰，并且在波长690±10nm处具有强度为主吸收峰3/4或更低的次吸收峰 其中苯基和亚苯基的至少一个氢原子可以被C1-C6烷基或C1-C6烷氧基所取代。换句话说，根据本专利技术当前实施方案的电子照相感光体包括在导电基质上形成的光敏层，其中该光敏层包括作为电荷产生材料的具有上述特征的钛氧基酞菁晶体和作为电荷传输材料的上述式1所示的联苯乙烯化合物。本专利技术中用作电荷产生材料的钛氧基酞菁晶体的可见-红外吸收光谱图明显不同于常规钛氧基酞菁晶体的光谱图。就是说，除具有低敏感性的β-型钛氧基酞菁晶体之外的常规高光敏性钛氧基酞菁晶体在800nm或更大波长处具有主吸收峰。然而，用于本专利技术当前实施方案中的钛氧基酞菁晶体在波长约780±10nm处具有主吸收峰，并且在波长约690±10nm处具有强度为主吸收峰3/4或更低的次吸收峰。对次吸收峰强度最低值并没有限制，只要其作为单个峰可以被识别出即可。而且，本专利技术当前实施方案中的钛氧基酞菁晶体在800nm或更大波长处基本没有独立的吸收峰。用于本专利技术当前实施方案中的钛氧基酞菁晶体表现出明显不同于常规钛氧基酞菁晶体的X-射线衍射光谱。就是说，用于本专利技术当前实施方案中的钛氧基酞菁晶体在9.2°、14.5°、18.1°、24.1°和27.3°(都包含±0.2°的误差)的布拉格角(2θ)表现出明显的峰。这些峰大都还可以在Y-型酞菁晶体中观察到。但是，用于本专利技术当前实施方案中的钛氧基酞菁晶体没有其他多个峰，例如在9.6°、11.7°和15.0°(都包含±0.2°的误差)观察到的峰。该区别说明用于本专利技术当前实施方案中的钛氧基酞菁晶体具有与Y-型钛氧基酞菁晶体相似的晶格常数，但是具有不同的晶格对称性。将美国专利US 5252417中公开的钛氧基酞菁晶体和用于本专利技术当前实施方案中的钛氧基酞菁晶体进行比较，两者相似处在于，它们在可见-红外吸收光谱中在800nm或更大波长处都没有吸收峰，但不同处在于X-射线衍射峰的位置、本文档来自技高网...
【技术保护点】
电子照相感光体，包括：导电基质；和在该导电基质上形成的光敏层，其中所述光敏层包括钛氧基酞菁晶体和下式１所示的联苯乙烯化合物，所述钛氧基酞菁晶体在可见－红外吸收光谱中在波长７８０±１０ｎｍ处具有主吸收峰并且在波长６９０±１０ｎ ｍ处具有强度为主吸收峰３／４或更低的次吸收峰：［式１］＊＊＊，其中苯基和亚苯基的至少一个氢原子可以被Ｃ↓［１］－Ｃ↓［６］烷基或Ｃ↓［１］－Ｃ↓［６］烷氧基所取代。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：横田三郎，金承柱，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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