半导体聚酰亚胺薄膜制造技术

技术编号:2753046 阅读:178 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供了一种半导体聚酰亚胺薄膜,具有在25℃和60%RH表面电阻率的常用对数为9至15logΩ/平方;体积电阻率的常用对数为8至15logΩ.cm;按照JIS  K7118进行疲劳试验重复次数为10↑[7]时,疲劳应力为160MPa或更大;和按照JIS  P8115进行MIT测试的耐弯曲次数为2,000次或更大,以及使用该半导体聚酰亚胺薄膜的中间传输带和输送带。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种耐用性优异的半导体聚酰亚胺薄膜,特别是可用 于以电子照相方法形成和记录图像的装置中的中间传输带和输送带。专利技术背景由于近来图像质量、速度和紧凑性的改进,用电子照相方法的形 成和记录图像的装置例如复印机、激光印刷机、图像印刷机、传真机和多功能打印机(MFP)中的中间传输带、输送带等与传统条件相比,使 用条件更加苛刻。特别是,由于装置的小型化,用于中间传输带和输 送带的辊滚筒更小,因而施加在辊弯曲部分的压力增加,并且由于速 度高,施加至带的张力增加,因而导致带伸长和断裂的因素增加,从 而增加了对耐用性优异的无缝带的需求。作为用于中间传输带的半导体带,迄今为止已知的有由橡胶材料、 氟基材料(偏二氟乙烯)、聚碳酸酯树脂材料、聚酰亚胺树脂材料、聚酰 胺酰亚胺树脂材料等制成的薄膜形成的半导体带(例如参见文献1-3)。然而,这种传统的带具有由于近来速度、紧凑性和图像质量的改 进,在运行过程中施加在带上的载荷增加,因而存在长期使用中的变 形、转印图像的改变、破裂等问题。 JP-A-5-200904 JP-A-6-228335 JP-A-10-63115专利技术概述本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体聚酰亚胺薄膜,具有:    在25℃和60%RH下表面电阻率的常用对数为9至15logΩ/平方;    体积电阻率的常用对数为8至15logΩ.cm;    按照JIS  K7118进行疲劳试验重复次数为10↑[7]时,疲劳应力为160MPa以上;和    按照JIS  P8115进行MIT测试的耐弯曲次数为2,000次以上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:中村正雄上林政博太田义夫
申请(专利权)人:日东电工株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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