可控硅整流多绕组变压器的绕组结构制造技术

本实用新型专利技术涉及变压器设备领域，具体涉及可控硅整流多绕组变压器的绕组结构，包括铁芯和多个绕组，绕组包括在铁芯周向上按幅向结构依次排列的LV1低压绕组、LV2低压绕组、LV3低压绕组、LV4低压绕组、LV5低压绕组、LV6低压绕组、LV7低压绕组、LV8低压绕组和LV9低压绕组。本实用新型专利技术减小了铁芯的尺寸，在相同尺寸铁芯的条件下能够配合更多的绕组，并能够在后续整流时进行更多组合叠加得到多个直流电流。进行更多组合叠加得到多个直流电流。进行更多组合叠加得到多个直流电流。

【技术实现步骤摘要】
可控硅整流多绕组变压器的绕组结构


[0001]本技术涉及变压器设备领域，具体涉及可控硅整流多绕组变压器的绕组结构。

技术介绍

[0002]目前，直流电机调速系统已经在实际生产生活中得到了广泛的应用，特别是将可控硅整流系统应用到电力系统中，能够有效的实现平滑的调速、调压功能。宽幅调压变压器是可控硅整流系统中重要的电压变换设备，将交流电压变为可组合的交流电压组，通过可控硅整流系统转化为直流电压进行叠加。
[0003]可控硅整流多绕组变压器首次应用在高校实验系统中，为了满足实验直流100-10000V要求，可控硅整流多绕组变压器既要满足各组阻抗压降小，又要考虑任意叠加时绕组间绝缘耐压水平，现有的可控硅整流多绕组变压器无法满足这个要求，所以急需一种能够实现克服上述问题实现在整流时多组合叠加的绕组结构。

技术实现思路

[0004]本技术意在提供一种可控硅整流多绕组变压器的绕组结构，以提供便于在整流时进行多组合叠加的绕组结构。
[0005]本方案中的可控硅整流多绕组变压器的绕组结构，包括铁芯和多个绕组，所述绕组包括在铁芯周向上按幅向结构依次排列的LV1低压绕组、LV2低压绕组、LV3低压绕组、LV4低压绕组、LV5低压绕组、LV6低压绕组、LV7低压绕组、LV8低压绕组和LV9低压绕组。
[0006]本方案的有益效果是：
[0007]将九个低压绕组在铁芯周向上进行幅向结构的依次排列，与依次绕制在铁芯上的方式相比，减小了铁芯的尺寸，在相同尺寸铁芯的条件下能够配合更多的绕组，并能够在后续整流时进行更多组合叠加得到多个直流电流。
[0008]进一步，所述幅向结构为LV1低压绕组、LV2低压绕组、LV3低压绕组、LV4低压绕组、LV5低压绕组、LV6低压绕组、LV7低压绕组、LV8低压绕组和LV9低压绕组按输出电压的从小至大依次排列。
[0009]有益效果是：多个绕组以从小至大依次排列，方便后续进行组合叠加时进行区分。
[0010]进一步，所述绕组还包括高压绕组，所述高压绕组位于LV6低压绕组和LV7低压绕组之间。
[0011]有益效果是：能够满足10kV高压绕组对LV1低压绕组-LV9低压绕组的漏磁最小，且保证阻抗电压均小于4％技术要求，各组阻抗偏差小于15％，且满足耐压要求。
[0012]进一步，所述高压绕组采用D连接。
[0013]有益效果是：便于消除三次谐波，让三次谐波与零序的三相方向相同。
[0014]进一步，所述LV1低压绕组、LV2低压绕组、LV3低压绕组、LV4低压绕组、LV5低压绕组和LV6低压绕组采用铜箔绕制，所述高压绕组、LV7低压绕组、LV8低压绕组和LV9低压绕组
采用铜线层式绕制。
[0015]有益效果是：保证每个绕组较大的容量。
[0016]进一步，所述LV1低压绕组、LV2低压绕组、LV3低压绕组、LV4低压绕组、LV5低压绕组、LV6低压绕组、LV7低压绕组、LV8低压绕组和LV9低压绕组依次按y连接、D连接进行交替联接。
[0017]有益效果是：在消除三次谐波的同时能够增大绕组容量。
[0018]进一步，所述LV1低压绕组、LV2低压绕组、LV3低压绕组和LV4低压绕组的三相引出端排列成四行三列的第一阵列，所述第一阵列在组内的三相引出端间距均为310mm，所述第一阵列在相邻组间的三相引出端的中心间距为210mm，所述LV5低压绕组、LV6低压绕组、LV7低压绕组、LV8低压绕组和LV9低压绕组的三相引出端排列成五行三列的第二阵列，所述第二阵列在组内的三相引出端间距为300mm，所述第二阵列在相邻组间的三相引出端的中心间距为150mm，所述第一阵列与第二阵列并排设置且间距为300mm。
[0019]有益效果是：三相引出端的排列方式能够保证内部出线方便不交叉，各个间距能够满足各绕组电压绝缘距离，使油箱体积最小，经济成本效果最佳。
[0020]进一步，所述高压绕组的三相高压输入端位于第一阵列的正下方。
[0021]有益效果是：排列结构紧凑，减小引出端占用太大的面积。
附图说明
[0022]图1为本技术可控硅整流多绕组变压器的绕组结构实施例一的绕组排列图；
[0023]图2为本技术可控硅整流多绕组变压器的绕组结构实施例二的绕组引线图。
具体实施方式
[0024]下面通过具体实施方式进一步详细说明。
[0025]说明书附图中的附图标记包括：铁芯11、外壳12、三相高压输入端13、三相引出端14。
[0026]实施例一
[0027]可控硅整流多绕组变压器的绕组结构，如图1所示：包括位于外壳12中的铁芯11和多个绕组，绕组包括高压绕组、LV1低压绕组、LV2低压绕组、LV3低压绕组、LV4低压绕组、LV5低压绕组、LV6低压绕组、LV7低压绕组、LV8低压绕组和LV9低压绕组。
[0028]LV1低压绕组、LV2低压绕组、LV3低压绕组、LV4低压绕组、LV5低压绕组、LV6低压绕组、LV7低压绕组、LV8低压绕组和LV9低压绕组在铁芯11的周向上按幅向结构依次排列，幅向结构为LV1低压绕组、LV2低压绕组、LV3低压绕组、LV4低压绕组、LV5低压绕组、LV6低压绕组、LV7低压绕组、LV8低压绕组和LV9低压绕组按输出电压的从小至大依次排列，例如LV1低压绕组和LV2低压绕组的交流电压74V，LV3低压绕组的交流电压148V，LV4低压绕组的交流电压296V，LV5低压绕组的交流电压593V，LV6低压绕组的交流电压1185V，LV7低压绕组的交流电压1689V，LV8低压绕组的交流电压1689V，LV9低压绕组的交流电压1689V。
[0029]高压绕组位于LV6低压绕组和LV7低压绕组之间，高压绕组采用D连接；LV1低压绕组、LV2低压绕组、LV3低压绕组、LV4低压绕组、LV5低压绕组、LV6低压绕组、LV7低压绕组、LV8低压绕组和LV9低压绕组依次按y连接、D连接进行交替联接，y连接和D连接方式为现有
技术，在此不再赘述。
[0030]LV1低压绕组、LV2低压绕组、LV3低压绕组、LV4低压绕组、LV5低压绕组和LV6低压绕组采用铜箔绕制，如以现有线圈的绕制方式进行绕制，高压绕组、LV7低压绕组、LV8低压绕组和LV9低压绕组采用铜线层式绕制，层式绕制是指按照现有线圈的绕制方式进行绕制。
[0031]图1中的a1表示LV1低压绕组的a相首端出头，x1表示LV1低压绕组的a相绕组末端出头；a2表示LV2低压绕组的a相首端出头，x2表示LV2低压绕组的a相绕组末端出头；
……
；a9表示LV9低压绕组的a相首端出头，x9表示LV9低压绕组的a相绕组末端出头。
[0032]具体实施过程如下：
[0033]将上述技术特征设计制成油浸式可控硅整流多绕组变压器，其具体参数为：额定等效容量3400kVA，频率50HZ，高压额定本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.可控硅整流多绕组变压器的绕组结构，包括铁芯和多个绕组，其特征在于：所述绕组包括在铁芯周向上按幅向结构依次排列的LV1低压绕组、LV2低压绕组、LV3低压绕组、LV4低压绕组、LV5低压绕组、LV6低压绕组、LV7低压绕组、LV8低压绕组和LV9低压绕组。2.根据权利要求1所述的可控硅整流多绕组变压器的绕组结构，其特征在于：所述幅向结构为LV1低压绕组、LV2低压绕组、LV3低压绕组、LV4低压绕组、LV5低压绕组、LV6低压绕组、LV7低压绕组、LV8低压绕组和LV9低压绕组按输出电压的从小至大依次排列。3.根据权利要求2所述的可控硅整流多绕组变压器的绕组结构，其特征在于：所述绕组还包括高压绕组，所述高压绕组位于LV6低压绕组和LV7低压绕组之间。4.根据权利要求3所述的可控硅整流多绕组变压器的绕组结构，其特征在于：所述高压绕组采用D连接。5.根据权利要求3所述的可控硅整流多绕组变压器的绕组结构，其特征在于：所述LV1低压绕组、LV2低压绕组、LV3低压绕组、LV4低压绕组、LV5低压绕组和LV6低压绕组采用铜箔绕制，所述高压绕组、LV7低压绕组、LV8低压绕...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈恒云，
申请(专利权)人：重庆祥龙电气股份有限公司，
类型：新型
国别省市：