一种高稳定度位移传感器的设计方法技术

本发明专利技术提供了一种高稳定度位移传感器的设计方法，其可保证高稳定度温度特性；首先在LVDT位移传感器的结构初步确定后，通过试验得到温度

【技术实现步骤摘要】
一种高稳定度位移传感器的设计方法


[0001]本专利技术涉及传感器
，具体为一种高稳定度位移传感器的设计方 法。

技术介绍

[0002]LVDT位移传感器全称为：Linear Variable Differential Transformer,线性可 变差动变压器,LVDT位移传感器的工作原理简单地说是铁芯可动变压器，结 构如图1所示，LVDT由一个初级线圈P、两个次级线圈S1和S2、铁芯等部 件组成，当铁芯在线圈中心位置时，次级线圈S1、S2所感应的电压相等，由 于输出是反向串接，所以输出电压为零(实际上还有很小的零位电压)；如图 2的电路原理图和图3的次级线圈感应电压与铁芯距离之间关系，即输出特性 曲线图所示，当铁芯向左移动时，线圈S1和线圈P之间互感量增加，次级线 圈S1的感应电压V1升高，同时线圈S2与线圈P之间互感量减小，次级线圈 S2的感应电压V2降低，两线圈电压的代数和V＝V1+V2(因为S1和S2是反向 串接，V1和V2相位差180
°
，实际值V＝V
1-V2)随着铁芯向左移动呈线性增加； 当铁芯本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高稳定度位移传感器的设计方法，其特征在于：其包括以下步骤：S1、在LVDT位移传感器的结构初步确定后，制定温度-频率特性曲线，找到使所述LVDT位移传感器的次级电压V零温度系数点的频率，其中，V＝Va-Vb，Va、Vb分别是所述LVDT位移传感器的两个次级电压；S2、选取在零温度系数点的频率下的品质因数Q，且所述LVDT位移传感器初级电流I
P
温度糸数与感抗X
L
温度糸数相等,符号相反互相抵消；其中，Q＝ωL
P
/R
P
ꢀꢀꢀꢀ
(1)其中，线圈密度n＝N/l；l为初级线圈绕线长度；N为初级线圈总匝数；r为初级线圈平均半径；l
c
为铁芯长度；r
c
为铁芯半径；μ
m
为相对导磁率；L
P
为初级线圈电感；I
P
为初级电流；R
P

【专利技术属性】
技术研发人员：张冰，张裕悝，卫海燕，
申请(专利权)人：安徽感航电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：