微电子机械毫米波压控相移器的制造方法技术

一种微电子机械（ＭＥＭＳ）毫米波压控相移器的制造方法，属微电子固体器件制造的技术领域，以产品的半成品，即经加工的、表面刻蚀有接地导带２、信号线４和接线端５的条带图案和信号线４上生长有氮化硅层７的基片１为原料，通过采用调配的环化橡胶负性光刻胶作牺牲层６和光刻胶涂布技术，在该半成品上制成２０～３０多个高低一致、宽度相同、排列整齐的金属微桥３，有成品率高、电性能优越：开启电压低、相移量大，且连续可调的优点，特别适于作毫米波压控相移器。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种微电子机械毫米波压控相移器的制造方法，以产品半成品，即经加工的、表面刻蚀有接地导带２、信号线４和接线端５的条带图案和信号线４上生长有氮化硅层７的基片１为原料，接地导带２、信号线４和接线端５的材质和厚度分别为纯金和５０００Ａ，氮化硅层７的厚度为１０００Ａ，基片１可以是石英、二氧化硅或砷化镓，其特征在于，操作步骤： 第一步 形成牺牲层６ （１）用调配的环化橡胶负性光刻胶作牺牲层６的涂层，环化橡胶负性光刻胶的调配：环化聚异戊二烯负性光刻胶３０％ＷＴ、重氮萘醌光敏剂３％ＷＴ、二甲苯６５％ＷＴ、柠檬酸１％ＷＴ和硅油１％ＷＴ混合搅匀、过滤后得到淡黄色透明的光刻胶胶液 （２）利用旋转离心涂胶工艺，将上述胶液均匀涂布在基片１的表面，根据所需胶层厚度调节转速，温度为２０摄氏度，涂布时间３０秒 （３）基片１进入无尘热风循环烘箱前烘，烘箱温度从室温逐渐升至９０摄氏度，１０～１５分钟，前烘时间为４０分钟 （４）曝光时间因所用光刻机型号、曝光灯的光源而异，控制在２０～６０秒之间 （５）显影液是环己烷系列显影液，采用浸渍法或喷淋法显影，时间为６０～９０秒 （６）定影是采用乙酸丁酯系列定影液，采用浸渍法或喷淋法显影，时间为３０～６０秒 （７）基片１进入无尘热风循环烘箱后烘，温度为１２０摄氏度，时间为３０分钟； 第二步 光刻、镀金 （１）在上述片子上涂ＰＩ－５聚酰亚胺，１２０摄氏度前烘１小时后，涂敷正性光刻胶 （２）光刻、显影 （３）应用热蒸发、电子束蒸发或溅射的方法在接地导带２和牺牲层６上镀一层厚度为１～１．５μｍ的金膜，然后应用剥离技术去除正性光刻胶，形成２０～３０多个金属微桥３，相邻桥膜等间距； 第三步 去牺牲层６ （１）取７５％ＷＴ二甲苯与２５％ＷＴ苯酚混合，放入封闭电炉加热至沸腾、脱水，然后自然冷却至８０摄氏度，制得剥离液 （２）将完成上述加工工艺的基片１投入上述剥离液去除牺牲层６，浸泡时间为８～１０分钟 （３）取出基片１，用丙酮、酒精和去离子水清洗，吹干； 第四步 得产品 完成上步加工工艺的基片１就是成品，微电子机械毫米波压控相移器。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭方敏，赖宗声，朱自强，朱守正，忻佩胜，
申请(专利权)人：华东师范大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]