光刻投影组件、用于处理基底的处理装置和处理基底的方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种光刻投影组件，包括：至少两个装载锁闭装置，用于在第一环境与第二环境之间传送基底，第二环境具有比第一环境更低的压力；基底处理器包括：主要处于第二环境的处理室；光刻投影装置，包括投影室。处理室和投影室通过装载位置和卸载位置相通，一方面，装载位置用于将基底从处理室引入投影室，另一方面，卸载位置用于将基底从投影室移到处理室。处理室设有：预处理装置，用于预处理基底；和传输装置，适于将基底从装载锁闭装置传送到预处理装置并且从预处理装置传送到装载位置，也可以将基底从卸载位置传送到装载锁闭装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种包括基底处理器和光刻投影装置的光刻投影组件，其中，基底处理器包括处理室，光刻投影装置包括投影室，投影室与处理室相通，用于将要处理的基底从处理室调换到投影室并且将已处理的基底从处理室调换到投影室。光刻投影装置通常包括-用于提供辐射投影光束的辐射系统；-用于支撑构图装置的支撑结构，所述构图装置用于根据理想的图案对投影光束进行构图；-用于保持基底的基底台；-用于将带图案的光束投影到基底的目标部分上的投影系统。
技术介绍
这里使用的术语“构图装置”应广义地解释为能够给入射的辐射光束赋予带图案的截面的装置，其中所述图案与要在基底的目标部分上形成的图案一致；本文中也可使用术语“光阀”。一般地，所述图案与在目标部分中形成的器件如集成电路或者其它器件的特定功能层相对应(如下文)。这种构图装置的示例包括-掩模。掩模的概念在光刻中是公知的。它包括如二进制型、交替相移型、和衰减相移型的掩模类型，以及各种混合掩模类型。这种掩模在辐射光束中的布置使入射到掩模上的辐射能够根据掩模上的图案而选择性地被透射(在透射掩模的情况下)或者被反射(在反射掩模的情况下)。在使用掩模的情况下，支撑结构一般是一个掩模台，它能够保证掩模被保持在入射光束中的理想位置，并且如果需要该台会相对光束移动。-程控反射镜阵列。这种设备的一个例子是具有一粘弹性控制层和一反射表面的矩阵可寻址表面。这种装置的基本原理是(例如)反射表面的已寻址区域将入射光反射为衍射光，而未寻址区域将入射光反射为非衍射光。用一个适当的滤光器，从反射的光束中滤除所述非衍射光，只保留衍射光；按照这种方式，光束根据矩阵可寻址表面的定址图案而产生图案。程控反射镜阵列的另一实施方案利用微小反射镜的矩阵排列，通过使用适当的局部电场，或者通过使用压电致动器装置，使得每个反射镜能够独立地相对一轴倾斜。再者，反射镜是矩阵可寻址的，由此已寻址反射镜以不同的方向将入射的辐射光束反射到未寻址反射镜上；按照这种方式，根据矩阵可寻址反射镜的定址图案对反射光束进行构图。可以用适当的电子装置进行该所需的矩阵定址。在上述两种情况中，构图装置可包括一个或者多个程控反射镜阵列。反射镜阵列的更多信息可以从例如美国专利US5,296,891、美国专利US5,523,193、PCT专利申请WO98/38597和WO98/33096中获得，这些文献在这里引入作为参照。在程控反射镜阵列的情况中，所述支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的。-可程控LCD阵列，例如由美国专利US5,229,872给出的这种结构，它在这里引入作为参照。如上所述，在这种情况下支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的。为简单起见，本文的其余部分在一定的情况下具体以掩模和掩模台为例；可是，在这样的例子中所讨论的一般原理应适用于上述更宽范围的构图装置。光刻投影装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图装置可产生对应于IC一个单独层的电路图案，该图案可以成像在已涂敷辐射敏感材料(抗蚀剂)层的基底(硅片)的目标部分上(例如包括一个或者多个管芯(die))。一般的，单一的晶片将包含相邻目标部分的整个网格，该相邻目标部分由投影系统逐个相继辐射。在目前采用掩模台上的掩模进行构图的装置中，有两种不同类型的机器。一类光刻投影装置是，通过将全部掩模图案一次曝光在目标部分上而辐射每一目标部分；这种装置通常称作晶片步进器或者步进重复装置。另一种装置(通常称作步进扫描装置)通过在投影光束下沿给定的参考方向(“扫描”方向)依次扫描掩模图案、并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底台来辐射每一目标部分；因为一般来说，投影系统有一个放大系数M(通常＜1)，因此对基底台的扫描速度V是对掩模台扫描速度的M倍。关于如这里描述的光刻设备的更多信息可以从例如美国专利US6,046,792中获得，该文献这里作为参考引入。在用光刻投影装置的制造方法中，(例如在掩模中的)图案成像在至少部分由一层辐射敏感材料(抗蚀剂)覆盖的基底上。在这种成像步骤之前，可以对基底可进行各种处理，如打底，涂敷抗蚀剂和弱烘烤。在曝光后，可以对基底进行其它的处理，如曝光后烘烤(PEB)，显影，强烘烤和测量/检查成像特征。以这一系列工艺为基础，对例如IC的器件的单层形成图案。这种图案层然后可进行任何不同的处理，如蚀刻、离子注入(掺杂)、镀金属、氧化、化学-机械抛光等完成一单层所需的所有处理。如果需要多层，那么对每一新层重复全部步骤或者其变化。最终，在基底(晶片)上出现器件阵列。然后采用例如切割或者锯割等技术将这些器件彼此分开，单个器件可以安装在载体上，与管脚等连接。关于这些步骤的进一步信息可从例如Peter van Zant的“微型集成电路片制造半导线加工实践入门(Microchip FabricationA Practical Guide toSemiconductor Processing)”一书(第三版，McGraw Hill Publishing Co.，1997，ISBN0-07-067250-4)中获得，这里作为参考引入。为了简单起见，投影系统在下文称为“镜头”；可是，该术语应广义地解释为包含各种类型的投影系统，包括例如折射光学装置，反射光学装置，和反折射系统。辐射系统还可以包括根据这些设计类型中任一设计的操作部件，该操作部件用于引导、成形或者控制辐射投影光束，这种部件在下文还可共同地或者单独地称作“镜头”。另外，光刻装置可以具有两个或者多个基底台(和/或两个或者多个掩模台)。在这种“多台式”器件中，可以并行使用这些附加台，或者可以在一个或者多个台上进行准备步骤，而一个或者多个其它台用于曝光。例如在美国专利US5,969,441和WO98/40791中描述的二级光刻装置，这里作为参考引入。在典型的光刻装置中，基底通过基底轨道和基底处理器传输到光刻投影装置的基底台。在基底轨道中，进行基底表面的预处理。基底的预处理通常包括至少部分地用辐射敏感材料(抗蚀剂)涂覆基底。另外，在成像步骤之前，基底可以经过各种其它预处理程序，例如，打底和弱烘烤。在基底预处理之后，通过基底处理器将基底从基底轨道传输到基底台。基底处理器通常适于在基底台上准确地定位基底并且还可以控制基底的温度。对于某种光刻投影装置，例如，采用极远紫外辐射(短EUV辐射)的装置，必需在真空中进行对基底的投影。因此，基底处理器应当适于将已预处理的基底传送到真空中。通常意味着至少在基底轨道中基底的预处理之后，基底的处理和温度控制必须在真空中完成。另一种类型的光刻投影装置，例如，在N2环境中采用157nm辐射运转的装置，必需保持特定的气体环境，例如N2环境。因此，基底处理器应当适于将预处理的基底传送到特定气体环境中。通常意味着至少在基底轨道中基底的预处理之后，基底的处理和温度控制必须在特定气体环境中完成。
技术实现思路
第一方面本专利技术的目的是提供一种光刻投影组件，该光刻投影组件具有能够采用有限数量的传输装置，以便在第一环境，如基底轨道，与通常包括基底台的投影室之间有效传送基底的设计。根据本专利技术的光刻投影组件可以实现该目的和其它目的，该光刻投影组件包括●至本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻投影组件，包括：●至少两个装载锁闭装置，用于在第一环境与第二环境之间传送基底，第二环境具有比第一环境更低的压力；●基底处理器，包括主要处于第二环境的处理室；●光刻投影装置，包括投影室；处理室和投影室通 过装载位置和卸载位置相通，一方面，装载位置用于将基底从处理室引入投影室，另一方面，卸载位置用于将基底从投影室移除到处理室；处理室设有：●预处理装置，用于预处理基底；和●传输装置，适于将基底从装载锁闭装置传送到预处理装 置并且从预处理装置传送到装载位置，也可以将基底从卸载位置传送到装载锁闭装置。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：PJM范格鲁斯，PRM肯努斯，JF胡格坎姆，AJH科洛普，J安里，R维斯塞，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]