【技术实现步骤摘要】
光调制器
[0001]本申请要求基于2019年8月23日申请的日本申请第2019-152709号的优先权,并引用所述日本申请中记载的所有记载内容。
[0002]本专利技术涉及光调制器。
技术介绍
[0003]在非专利文献M.Yuda,M.Fukuda and H.Miyazawa,Degradation mode in semiconductor optical modulators,ELECTRONICS LETTERS,1995,September 28th,Vol.31,No.20,pp.1778-1779中,开发了由半导体层形成并对光进行调制的光调制器。
技术实现思路
[0004]通过使光入射到光调制器且向电极施加电压来使光调制器动作。光调制器的半导体层吸收光并产生电流。光调制器有时会因这样的光吸收电流而被破坏。因此,谋求能够抑制破坏的光调制器。
[0005]本公开的光调制器具备:波导,由半导体形成,光在该波导中传播;第一电极,设置在所述波导之上,并与所述波导电连接;以及第二电极,与所 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种光调制器,具备:波导,由半导体形成,光在该波导中传播;第一电极,设置在所述波导之上,并与所述波导电连接;以及第二电极,与所述波导分离,并与所述波导电连接,在所述光的传播方向上,所述第二电极的所述光的入射侧的端部相比所述第一电极的所述光的入射侧的端部位于靠后级的位置。2.根据权利要求1所述的光调制器,其中,所述波导包括:第一半导体层,具有第一导电类型;芯层,设置在所述第一半导体层之上;以及第二半导体层,设置在所述芯层之上,并具有第二导电类型,所述第一半导体层扩展到所述波导的外侧,所述第一电极与所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员:田中肇,石川务,渡边昌崇,
申请(专利权)人:住友电气工业株式会社,
类型:发明
国别省市:
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