用于确定与衬底上的一个或多个结构有关的特性的量测装置和方法制造方法及图纸

公开了一种确定与衬底上通过光刻过程形成的结构有关的感兴趣特性(特别是聚焦)的方法以及相关联的图案形成装置和光刻系统。方法包括：使用图案形成装置上对应的经修改的掩模版特征在衬底上形成经修改的衬底特征，经修改的衬底特征被形成用于除了量测以外的主要功能，更具体地用于提供用于垂直集成结构的支撑。经修改的掩模版特征使得所述经修改的衬底特征被形成有取决于其形成期间的感兴趣特性的几何形状。可以测量经修改的衬底特征以确定所述感兴趣特性。所述感兴趣特性。所述感兴趣特性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于确定与衬底上的一个或多个结构有关的特性的量测装置和方法


[0001]本专利技术涉及一种用于确定与在衬底上形成结构有关的特性的量测装置或检查装置。本专利技术还涉及一种用于确定所述特性的方法。

技术介绍

[0002]光刻装置是被构造为将期望图案施加到衬底上的机器。光刻装置可以用于例如集成电路(IC)的制造中。光刻装置可以例如在图案形成装置(例如，掩模)处将图案(通常也称为“设计布局”或“设计”)投影到提供在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
[0003]为了将图案投影在衬底上，光刻装置可以使用电磁辐射。该辐射的波长决定了可以形成在衬底上的特征的最小尺寸。当前使用的典型波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。与使用例如波长为193nm的辐射的光刻装置相比，使用波长在4nm至20nm(例如，6.7nm或13.5nm)范围内的使用极紫外(EUV)辐射的光刻装置可以用于在衬底上形成更小的特征。
[0004]低k1光刻可以用于处理尺寸小于光刻装置的经典分辨率极限的特征。在这种过程中，分辨率公式可以表本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种确定与衬底上的结构有关的感兴趣特性的方法，所述结构通过光刻过程形成，所述方法包括：测量经修改的衬底特征，以确定所述感兴趣特性，其中所述经修改的衬底特征使用图案形成装置上的对应的经修改的掩模版特征而被形成在所述衬底上，所述经修改的衬底特征被形成用于除了量测以外的主要功能，所述经修改的掩模版特征使得所述经修改的衬底特征形成有取决于其形成期间的所述感兴趣特性的几何形状。2.根据权利要求1所述的方法，还包括使用所述图案形成装置上的所述对应的经修改的掩模版特征在所述衬底上形成所述经修改的衬底特征的阶段。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述经修改的衬底特征没有电气功能。4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述感兴趣特性是光刻装置在形成所述经修改的衬底特征期间的聚焦，并且可选地，取决于所述感兴趣特性的所述几何形状包括聚焦相关非对称性，所述聚焦相关非对称性能够在所述测量步骤中被测量。5.根据权利要求3或4所述的方法，其中所述光刻过程与所述形成垂直集成结构有关，并且所述经修改的衬底特征具有与所述垂直集成结构的支撑有关的主要功能。6.根据权利要求5所述的方法，其中所述经修改的衬底特征包括支撑特征，所述支撑特征用于形成用于所述垂直集成结构的支撑结构。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述支撑特征包括孔洞特征。8.根据权利要求5至7中任一项所述的方法，其中所述垂直集成结构在其外围处包括阶梯结构，并且所述经修改的衬底特征被形成在所述衬底的与所述阶梯结构相对应的区域上，并且其中可选地，...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：