光刻投影组件，包括用于在第一环境和第二环境之间转移物体特别是基底的至少一个装载锁闭装置，第二环境优选具有比第一环境低的气压；包括处理室的物体处理器，在处理室中第二环境占优势；和包括投影室的光刻投影装置。所述处理室和投影室为了转移物体而相通。所述装载锁闭装置包括装载锁闭装置室；排气装置，用来将所述的装载锁闭装置室排气；和门装置，用于在排气过程中关闭所述装载锁闭装置室，和用于打开所述装载锁闭装置室以使物体进入所述装载锁闭装置室或从所述装载锁闭装置室移除物体。所述装载锁闭装置室设有至少两个彼此不同的物体支承位置。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种包括含有处理室的物体处理器的光刻投影组件和一种包括投影室的光刻投影装置，其中所述投影室和处理室可以相通，用于把将要被处理的物体从处理室转移到投影室，反之亦然，所述物体尤其是基底，例如硅晶片，或构图装置例如掩模或中间掩模版。光刻投影装置一般典型地包括- 用于提供辐射投影光束的辐射系统；- 用于支承构图装置(patterning means)的支承结构，所述构图装置用于根据期望的图案对投影光束进行构图；- 用于保持基底的基底台(substrate table)；和- 用于将带图案的光束投影到基底的目标部分上的投影系统。
技术介绍
这里使用的术语“构图装置”应广义地解释为能够给入射的辐射束赋予带图案的截面的部件，其中所述图案与要在基底的目标部分上形成的图案一致；本文中也使用术语“光阀”。一般地，所述图案与在目标部分中形成的特定功能层相应，例如集成电路或其他器件(见下文)。这些构图装置的例子包括- 掩模。掩模的概念在光刻中是公知的。它包括如二进制型、交替相移型、和衰减相移型的掩模类型，以及各种混合掩模类型。这种掩模在辐射光束中的布置使入射到掩模上的辐射能够根据掩模上的图案而选择性的被透射(在透射掩模的情况下)或者被反射(在反射掩模的情况下)。在使用掩模的情况下，支承结构一般是一个掩模台，它能够保证掩模被保持在入射辐射光束中的期望位置，并且如果需要该掩模台会相对所述光束移动；- 可编程反射镜阵列。这种设备的一个例子是具有一粘弹性控制层和一反射表面的矩阵可寻址表面。这种装置的基本原理是(例如)反射表面的已寻址区域将入射光反射为衍射光，而未寻址区域将入射光反射为为非衍射光。用一个适当的滤光器，从反射的光束中过滤出所述非衍射光，只保留衍射光；按照这种方式，光束根据矩阵可寻址表面的定址图案而产生图案。可编程反射镜阵列的另一实施例利用微小反射镜的矩阵排列，通过使用适当定位的电场，或者通过使用压电致动器装置，使得每个反射镜能够独立地关于一轴倾斜。再者，反射镜是矩阵可寻址的，由此已定址反射镜以不同的方向将入射的辐射光束反射到未定址的反射镜上；按照这种方式，根据矩阵可寻址反射镜的定址图案对反射光束进行构图。可以用适当的电子装置进行该所需的矩阵寻址。在上述两种情况中，构图装置可包括一个或者多个可编程反射镜阵列。反射镜阵列的更多信息可以从例如美国专利US5,296,891、美国专利US5,523,193、PCT专利申请WO98/38597和WO98/33096中获得，这些文献在这里引入作为参照。在可编程反射镜阵列的情况中，所述支承结构可以是例如框架或者工作台，所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的；和- 可编程LCD阵列，这种结构的例子在例如由美国专利US5,229,872中给出。如上所述，在这种情况下支承结构可以是例如框架或者工作台，所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的。为简单起见，本文的其余部分在某些位置具体以掩模和掩模台为例；可是，在这样的例子中所讨论的一般原理应适用于上述更宽范围的构图装置。光刻投影装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图装置可产生对应于IC每一层的电路图案，该图案可以成像在已涂覆辐射敏感材料(抗蚀剂)层的基底(硅片)的目标部分上(例如包括一个或者多个管芯(die))。一般的，单晶片将包含相邻目标部分的整个网格，该相邻目标部分由投影系统逐个相继辐射。在目前采用掩模台上的掩模进行构图的装置中，有两种不同类型的机器。一类光刻投影装置是，通过一次曝光目标部分上的整个掩模图案而辐射每一个目标部分；这种装置通常称作晶片步进器(stepper)或步进重复(step-and-repeat)装置。另一种装置-通常称作步进扫描装置-通过在投影光束下沿给定的参考方向(“扫描”方向)依次扫描掩模图案、并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底台来辐射每一目标部分；因为一般来说，投影系统有一个放大系数M(通常＜1)，因此对基底台的扫描速度V是对掩模台扫描速度的M倍。这里描述的关于光刻设备的更多信息可以从例如美国专利US6,046,792中获得。在用光刻投影装置的制造方法中，(例如在掩模中的)图案成像在至少部分由一层辐射敏感材料(抗蚀剂)覆盖的基底上。在这种成像步骤之前，可以对基底可进行各种处理，如打底，涂敷抗蚀剂和弱烘烤。在曝光后，可以对基底进行其它的处理，如曝光后烘烤(PEB)，显影，强烘烤和测量/检查成像特征。以这一系列工艺为基础，对例如IC的器件的单层形成图案。然后这种图案层可进行任何不同的处理，如蚀刻、离子注入(掺杂)、镀金属、氧化、化学-机械抛光等完成一单层所需的所有处理。如果需要多层，那么对每一新层重复全部步骤或者其变化。最终，在基底(晶片)上出现器件阵列。然后采用例如切割或者锯断的技术将这些器件彼此分开，单个器件可以安装在载体上，与管脚连接等。关于这些步骤的进一步信息可从例如Peter van Zant的“微型集成电路片制造半导体加工实践入门(Microchip FabricationA Practical Guide toSemiconductor Processing)”一书(第三版，McGraw Hill Publishing Co.，1997，ISBN0-07-067250-4)中获得，这里作为参考引入。为了简单起见，投影系统在下文称为“镜头”；可是，该术语应广义地解释为包含各种类型的投影系统，包括例如折射光学装置、反射光学装置和反折射系统。辐射系统还可以包括根据这些设计类型中任一设计的操作部件，该操作部件用于引导、整形或者控制辐射的投影光束，这种部件在下文还可共同地或者单独地称作“镜头”。另外，光刻装置可以具有两个或者多个基底台(和/或两个或者多个掩模台)。在这种“多台式(multiple stage)”器件中，可以并行使用这些附加台，或者可以在一个或者多个台上进行准备步骤，而一个或者多个其它台用于曝光。例如在美国专利US5,969,441和WO98/40791中描述的二级光刻装置。在典型的光刻设备中，通过基底轨道(track)和基底处理器(handler)将基底传送到光刻投影装置的基底台上。在基底轨道中基底的表面被预处理。基底的预处理典型地包括用辐射敏感材料(抗蚀剂)层至少部分地覆盖基底。进一步，在成像步骤之前，基底可经过各种其他预处理工序，如打底，和弱烘烤。在基底预处理之后，通过基底处理器将基底从基底轨道传送到基底台(stage)。基底处理器典型地适合将基底精确定位在基底台上，且还可以控制基底的温度。对于确定的光刻投影装置，例如使用远紫外辐射(简写EUV辐射)的装置，只有在真空条件下才能获得基底上的投影。因此基板处理器应适合将预处理的基底转移到真空中。那就典型地意味着至少在基底轨道中基底的预处理之后，基底的处理和温度控制必须在真空中完成。对于另一类型的光刻投影装置，例如在N2环境中使用如157nm辐射操作的装置，保持特殊的气体环境，例如N2环境是必要的。因此基底处理器应适合将预处理的基底转移进特殊气体环境中。那通常意味着至少在基底轨道中基底的预处理之后，基底的处理和温度控制必须在特殊气体环境中完成。
技术实现思路
本专利技术的第一方本文档来自技高网...
【技术保护点】
光刻投影组件，包括：用于在第一环境和第二环境之间转移物体特别是基底的至少一个装载锁闭装置；包括处理室的物体处理器，在处理室中第二环境占优势，所述物体处理器和所述装载锁闭装置被构造和布置成在它们之间转移物体，和包括投影室的光刻投影装置 ；其中所述处理室和投影室为了在它们之间转移物体而相通，且其中所述装载锁闭装置包括装载锁闭装置室，该装载室设有至少两个彼此不同的物体支承位置。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：AJH克洛普，JF胡格坎普，JCJA乌格特斯，RG里维塞伊，JHG弗兰斯森，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]
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