抛光层用聚氨酯、抛光层及抛光垫制造技术

本发明专利技术使用一种抛光层用聚氨酯，其用作抛光垫的抛光层的原材料，是热塑性聚氨酯，所述热塑性聚氨酯是包含高分子二醇、有机二异氰酸酯、以及扩链剂的聚氨酯原料的反应产物，其中，扩链剂包含含有碳原子数7～12的直链碳骨架的第1扩链剂50质量％以上。第1扩链剂50质量％以上。第1扩链剂50质量％以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】抛光层用聚氨酯、抛光层及抛光垫


[0001]本专利技术涉及作为抛光垫的抛光层的原材料而使用的聚氨酯，该抛光垫用于对硅晶片、半导体器件、硬盘、玻璃基板、光学产品、或各种金属等进行抛光。

技术介绍

[0002]作为用于对硅晶片进行镜面加工、对半导体器件的绝缘膜、导电体膜的表面进行平坦化加工的抛光方法，已知有化学机械抛光(CMP)。CMP是将含有磨料及反应液的抛光浆料(以下也简称为浆料)滴加至抛光垫的表面、同时将被抛光材料按压至抛光垫而进行抛光的方法。已知在CMP中，抛光层的机械特性、表面形状会显著影响抛光结果。
[0003]在半导体器件中，为了将微细的电路高集成化及多层布线化，对被抛光材料的被抛光面要求高精度的平坦性。因此，对用于被抛光材料的平坦化加工的抛光垫也要求高精度的平坦性。
[0004]近年来，在半导体制造工序中，为了降低成本，预想硅晶片的大口径化逐渐发展。随着硅晶片的大口径化进展，对抛光垫也要求与以往相比更高精度的抛光均匀性、平坦性。因此，要求用于实现这样的抛光垫的抛光层的原材料。
[0005]作为抛光层的原材料，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种抛光层用聚氨酯，其是热塑性聚氨酯，所述热塑性聚氨酯是包含高分子二醇、有机二异氰酸酯、以及扩链剂的聚氨酯原料的反应产物，其中，所述扩链剂含有第1扩链剂50质量％以上，所述第1扩链剂包含碳原子数7～12的直链碳骨架。2.根据权利要求1所述的抛光层用聚氨酯，其中，所述扩链剂含有所述第1扩链剂80质量％以上。3.根据权利要求1或2所述的抛光层用聚氨酯，其中，所述扩链剂仅包含非环状化合物。4.根据权利要求1～3中任一项所述的抛光层用聚氨酯，其中，所述第1扩链剂为选自1,7-庚二醇、1,8-辛二醇、1,9-壬二醇、2-甲基-1,8-辛二醇、1,10-癸二醇、以及1,12-十二烷二醇中的至少1种化合物。5.根据权利要求1～4中任一项所述的抛光层用聚氨酯，其中，在基于差示扫描量热测定的DSC曲线中，在100～160℃的范围具有至少1个吸热峰。6.根据权利要求1～4中任一项所述的抛光层用聚氨酯，其中，在基于差示扫描量热测定的DSC曲线中，在100～160℃的范围具有至少2个吸热峰。7.根据权利要求5或6所述的抛光层用聚氨酯，其中，所述吸热峰的结晶焓(ΔH)的总量为10J/g以上。8.根据权利要求1～7中任一项所述的抛光层用聚氨酯，其含有来自所述有机二异氰酸酯的氮4.0～6.0质量％，且所述高分子二醇的数均分子量为600～...

【专利技术属性】
技术研发人员：门胁清文，加藤充，竹越穰，冈本知大，加藤晋哉，
申请(专利权)人：株式会社可乐丽，
类型：发明
国别省市：