用于等离子体显示板的光敏导电组合物制造技术

一种用于等离子体显示板的光敏导电组合物，它包括含有硅烷化合物的光敏导电组合物、光敏有机载体、玻璃料以及导电粉末。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于等离子体显示板的光敏导电组合物，尤其涉及一种用于在可构成刚性电极的等离子体显示板中的光敏导电组合物。相关技术描述一般地，等离子体显示板的寻址电极即底部电极是由具有图案的导电薄膜构成。丝网印刷方法一般用于制备具有图案的导电薄膜。但是，由于丝网印刷方法的低分辨率使得其不能满足更高性能和更小型显示的要求，因此该方法最近被一种使用光敏导电剂的光刻法所取代。在光刻法中，将光敏导电剂印刷在等离子体显示板的玻璃基板等上。然后，在已印刷的基板干燥后，将光掩模设置在基板上，之后使用UV曝光设备使其曝光并进行固化。之后利用显影液将未曝光、未固化的部分清除，并在预定温度下对剩余的固化薄膜进行焙烘，以获得具有图案的导电薄膜。下一步，在导电薄膜上形成介电层，并在介电层上形成阻挡层。阻挡层是通过以下步骤形成的，即利用丝网印刷在介电层上印刷阻挡层膏体，烘干，将干燥的抗蚀干膜(DFR)附着在已干燥的阻挡层剂(层压处理)上，并利用曝光设备和光掩模用UV光照射使DFR曝光。在对紫外光已曝光的DFR部分上产生交联，以便在随后的显影处理过程中，使已曝光的部分保留，而清除掉非曝光的部分。最终获得具有图案的DFR。然后，使用喷砂机对具有图案的DFR表面进行喷砂处理，以保护有DFR的部分并冲刷掉没有DFR的部分。最终形成阻挡层。一般，单独的喷砂处理不会破坏寻址电极的连接器区域。但是，如果在阻挡层的检测过程中发现缺陷，则清除阻挡层并重新形成阻挡层。如果在所述情形下重复喷砂处理过程，则可使寻址电极的连接器区域分离或断开。专利技术概述按照本专利技术，提供一种用于等离子体显示板的光敏导电组合物，其具有增强型寻址电极，即使在多次喷砂时，该增强型寻址电极也有助于防止寻址电极的连接器区域分离或断开。按照本专利技术，提供了一种用于等离子体显示板的电极，该电极是通过使用光敏导电组合物而获得的。本专利技术的一个典型的实施方案提供了一种用于等离子体显示板的光敏导电组合物。该组合物包括硅烷化合物、光敏有机载体、玻璃料以及导电粉末。本专利技术的另一个典型实施方案提供了一种用于等离子体显示板的电极，其包括SiO2。 附图说明图1是通过使用按照本专利技术实施方案1的导电成分对电极进行喷砂后所产生的寻址电极的光学显微照片；图2是通过使用按照本专利技术实施方案2的导电成分对电极进行喷砂后所产生的寻址电极的光学显微照片；图3是通过使用按照本专利技术实施方案3的导电成分对电极进行喷砂后所产生的寻址电极的光学显微照片；图4是通过使用按照本专利技术实施方案4的导电成分对电极进行喷砂后所产生的寻址电极的光学显微照片；图5是通过使用按照本专利技术实施方案5的导电成分对电极进行喷砂后所产生的寻址电极的光学显微照片；图6是通过使用按照参考实施方案1的导电成分对电极进行喷砂后所产生的寻址电极的光学显微照片；图7是通过使用按照本专利技术比较实施方案1的导电成分对电极进行喷砂后所产生的寻址电极的光学显微照片。具体描述本专利技术涉及一种在制造等离子体显示板(以下称为PDP)时，用于构成寻址电极的光敏导电组合物，该组合物包括硅烷化合物。硅烷化合物增强了寻址电极和玻璃基板之间的附着力，并增加了寻址电极中导电粒子的粘合力。这种组合物的使用有利于防止出现以下问题，例如在喷砂过程中防止电极连接器区域的分离或断开。硅烷化合物的含量优选为0.1-10.0wt％，最好是0.3-3.0wt％。如果硅烷化合物的含量低于0.1wt％，则寻址电极在喷砂过程中可能分离或断开。如果该含量超过10.0wt％，则会破坏处理特性，或者增大电极的阻抗。在焙烘过程中，硅烷化合物氧化成为SiO2。这样，导电粒子(particle)与玻璃基板粘合。按照本专利技术，防止了导电粒子在喷砂过程中的变形或与基板的分离。可将硅烷化合物作为单体加入到粘合制剂中，该粘合制剂为有机载体，或者在将光敏导电组合物印刷于玻璃基板之前，将该硅烷化合物预涂在玻璃基板上。考虑到加工和处理的有效性，最好将其加入到粘合制剂中而进行使用。该硅烷化合物由式1表示。 其中R1、R2、R3和R4是相同的或不同的，每一个都是选自H、烷基类、乙烯基、硅烷、卤烃类、卤化物、芳基类、烷氧基、醚类(烷氧基烷基类)、环氧化合物、醇类、酯类、胺类以及酸类中。式1表示的硅烷化合物可以是脂肪族或芳香族化合物。在一个实施方案中，硅烷化合物最好具有至少150℃的沸点，以使其在制备组合物期间不会挥发。当硅烷化合物为固态时，其必须是可溶解在有机载体中。当硅烷化合物为液态时，其必须与有机载体是互溶的，以致没有化合物的相分离、损坏等发生。硅烷化合物的实例是R1-R4中至少一个是氢或者烷基的化合物，例如三丙基硅烷，三异丙基硅烷，三丁基硅烷，三异丁基硅烷，三己基硅烷，二甲基十八烷基硅烷，四乙基硅烷，或者二异丙基辛基硅烷；R1-R4中至少一个是乙烯基的化合物，例如三乙基乙烯基硅烷，烯丙基三甲基硅烷，烯丙基三异丙基硅烷，三甲基(3-甲基-2-丁基)硅烷，二烯丙基二甲基硅烷，四乙烯基硅烷，四烯丙基硅烷，三苯基乙烯基硅烷，或者烯丙基三苯基硅烷；R1-R4中至少一个是硅烷的化合物，例如双(三甲基甲硅烷基)甲烷、三(三甲代甲硅烷基)甲烷、六甲基二硅烷，或者四(三甲代甲硅烷基)硅烷；R1-R4中至少一个是卤代烃或卤化物的化合物，例如双(氯甲基)二甲基硅烷，氯二异丙基硅烷，1，2-双(氯二甲基甲硅烷基)乙烷，氯三乙基硅烷，或者氯二甲基辛基硅烷；R1-R4中至少一个是芳基的化合物，例如二甲基苯基硅烷，1，2-双(二甲基甲硅烷基)苯，1，4-双(二甲基甲硅烷基)苯，苯基三甲基硅烷，联苯硅烷，联苯甲基硅烷，三苯基硅烷，三苄基硅烷，苄基三甲基硅烷，或者苄基氧三甲基硅烷；R1-R4中至少一个是烷氧基或醚基团，例如(甲氧基甲基)三甲基硅烷，乙氧基三甲基硅烷，丙氧基三甲基硅烷，甲氧基二甲基辛基硅烷，甲氧基二甲基十八基硅烷，二甲氧基甲基辛基硅烷，三甲氧基丙基硅烷，异丁基三甲氧基硅烷，辛基三甲氧基硅烷，十八烷基三甲氧基硅烷，甲基三甲氧基硅烷，乙基三甲氧基硅烷，异丁基三乙氧基硅烷，辛基三乙氧基硅烷，二乙氧基苯基硅烷，苯基三甲氧基硅烷，苯基三乙氧基硅烷，乙烯基三甲氧基硅烷，三乙氧基乙烯基硅烷，烯丙基三乙氧基硅烷，或者三(2-甲氧基乙氧基)乙烯基硅烷；R1-R4中至少一个是环氧化物的化合物，例如3-环氧丙氧丙基三甲氧基硅烷，二乙氧基(3-环氧丙氧丙基)甲基硅烷，或者三甲氧基庚-3-基)乙基]硅烷；R1-R4中至少一个是醇的化合物，例如(三甲代甲硅烷基)甲醇，1-(三甲代甲硅烷基)乙醇，2-(三甲代甲硅烷基)乙醇，3-(三甲代甲硅烷基)-1-丙醇三乙基硅烷醇，叔-丁基二甲基硅烷醇，5-(叔-丁基二甲基甲硅烷氧基)-1-戊醇，或者2-(甲基二苯基甲硅烷基)乙醇；R1-R4中至少一个是酯的化合物，例如醋酸三甲代甲硅烷基酯，醋酸三甲代甲硅烷基甲基酯，醋酸甲基(三甲代甲硅烷基)酯，醋酸乙基(三甲代甲硅烷基)酯，醋酸叔-丁基(三甲代甲硅烷基)酯，丙酸(priopionate)乙基3-(三甲代甲硅烷基)酯、2--2-丙烯(priopene)-1-基醋酸酯，甲基丙烯酸三甲代甲硅烷基酯，甲基丙烯酸2-(三甲基甲硅烷氧基)乙基酯，甲基丙烯酸3-(三甲氧基甲硅烷基)丙基酯，丙二酸甲基三本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于等离子体显示板的光敏导电组合物，包括：　　　　硅烷化合物；　　　　光敏有机载体；　　　　玻璃料；以及　　　　导电粉末。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李范旭，韩东熙，申尚煜，全震焕，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]