欠压检测电路制造技术

本实用新型专利技术公开一种欠压检测电路，包括：稳压二极管、第一三极管、第二三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻以及控制模块；控制模块的中断接口与第二三极管的集电极电连接，用以根据采集电压判断所源输入接口的输入电压是否处于欠压状态。本实用新型专利技术在电源输入接口的电压小于电压阈值时，稳压二极管截止，使得第一三极管截止、第二三极管导通，从而使得第二三极管的集电极为低电平，中断接口的采集电压存在电压跳变，控制模块根据该中断接口的采集电压判断输入电压处于欠压状态，进而能够准确判断输入电压是否欠压。检测电路仅采用稳压二极管以及三极管等简单的电子元器件，检测电路的电路结构简单，且大大降低了欠压检测的电子元器件成本。元器件成本。元器件成本。

【技术实现步骤摘要】
欠压检测电路


[0001]本技术涉及欠压检测
，特别涉及一种欠压检测电路。

技术介绍

[0002]当今很多电子产品使用直流电源供电，并且普遍存在长距离供电的情况，例如，供电电源与终端设备的距离在10～50米的范围。对于供电电源与终端设备的距离较长的终端设备而言，在长距离供电过程中，由于供电连接线材的接触电阻以及线材受到潮湿等氧化，使得输出电压低于正常供电电压，将不可避免的造成终端设备的供电长期处于低压供电的非正常情况，导致部分功能不能正常工作，从而造成终端设备的性能故障。
[0003]目前，常常使用欠压保护芯片对电子产品进行保护，但这种采用欠压保护芯片进行欠压保护的成本较高、欠压电路复杂。
[0004]上述内容仅用于辅助理解本技术的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。

技术实现思路

[0005]本技术的主要目的是提供一种欠压检测电路，旨在解决现有直流电源供电时欠压保护的成本较高的技术问题。
[0006]为实现上述目的，本技术提出的欠压检测电路，所述欠压检测电路包括：稳压二极管、第一三极管、第二三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻以及控制模块；
[0007]所述第一三极管的基极与所述稳压二极管的阳极电连接，所述第一三极管的集电极与所述第二电阻电连接，所述第一三极管的发射级接地；
[0008]所述稳压二极管的阴极与所述第一电阻电连接，所述第一电阻与所述第二电阻电连接，且所述第一电阻与所述第二电阻之间的连接处与待检测电路的电源输入接口电连接；
[0009]所述第二三极管的基极通过所述第三电阻与所述第一三极管的集电极电连接，所述第二三极管的集电极与参考电压电路电连接，所述第二三极管的发射级接地。
[0010]控制模块的中断接口与所述第二三极管的集电极电连接，用以根据所述中断接口的采集电压判断所述电源输入接口的输入电压是否处于欠压状态。
[0011]进一步地，在一实施例中，所述控制模块根据所述采集电压判断所述第二三极管的集电极的电压是否存在电压跳变，在所述电压存在电压跳变时，判定所述输入电压处于欠压状态。
[0012]进一步地，在一实施例中，所述欠压检测电路还包括第一电容，所述第一电容的一端与所述第二三极管的基极电连接，另一端接地。
[0013]进一步地，在一实施例中，所述欠压检测电路还包括第四电阻，所述第四电阻的一端与所述第一三极管的基极电连接，另一端接地。
[0014]进一步地，在一实施例中，所述欠压检测电路还包括第二电容，所述第二电容的一
端与所述连接处电连接，另一端接地。
[0015]进一步地，在一实施例中，所述欠压检测电路还包括第五电阻以及第六电阻；所述参考电压电路通过所述第五电阻与所述连接处电连接，所述第六电阻的一端与所述连接处电连接，另一端接地。
[0016]进一步地，在一实施例中，所述欠压检测电路还包括第七电阻，所述第二三极管的集电极通过所述第七电阻与预设参考电源的正极电连接。
[0017]进一步地，在一实施例中，所述欠压检测电路还包括报警电路，所述控制模块与所述报警电路电连接，在所述输入电压处于欠压状态时，所述控制模块控制所述报警电路输出中断报警命令。
[0018]进一步地，在一实施例中，所述参考电压电路包括电压转换单元，所述电压转换单元的输入端与所述电源输入接口电连接，所述电压转换单元的输出端与所述第二三极管的集电极电连接。
[0019]进一步地，在一实施例中，所述第一三极管以及所述第二三极管均为MOS 管或IGBT管。
[0020]本技术在电源输入接口的电压达到电压阈值时，稳压二极管导通、第一三极管导通，而第二三极管持续处于截止状态，中断接口持续处于高电平状态，控制模块根据该中断接口的采集电压判断输入电压处于正常状态。而在电源输入接口的电压小于电压阈值时，稳压二极管截止，使得第一三极管截止、第二三极管导通，从而使得第二三极管的集电极为低电平，中断接口的采集电压存在电压跳变，控制模块根据该中断接口的采集电压判断输入电压处于欠压状态，进而能够准确判断输入电压是否欠压。检测电路仅采用稳压二极管以及三极管等简单的电子元器件，检测电路的电路结构简单，且大大降低了欠压检测的电子元器件成本。
附图说明
[0021]图1为本技术欠压检测电路一实施例的电路结构示意图。
[0022]附图标号说明：
[0023]标号名称标号名称ZD稳压二极管Q2第一三极管Q2第二三极管R1第一电阻R2第二电阻R3第三电阻R4第四电阻R5第五电阻R6第六电阻R7第七电阻C1第一电容C2第二电容VCC1电源输入接口VCC2参考电压电路
[0024]本技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0025]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不是全部
的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0026]需要说明，本技术实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
[0027]另外，在本技术中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本技术要求的保护范围之内。
[0028]本技术提出一种欠压检测电路。
[0029]参照图1，图1为本技术欠压检测电路一实施例的电路结构示意图。
[0030]在本技术实施例中，如图1所示，该欠压检测电路包括稳压二极管 ZD、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3以及控制模块。
[0031]所述第一三极管Q1的基极与所述稳压二极管ZD的阳极电连接，所述第一三极管Q1的集电极与所述第二电阻R2电连接，所述第一三极管Q1的发射级接地；
[0032]所述稳压二极管ZD的阴极与所述第一电阻R1电连接，所述第一电阻 R1与所述第二电阻R2电连接，且所述第一电阻R1与所述第二电阻R2之间的连接处与待检测电路的电源输入接口VCC1。
[0033]第二三极管Q2的基极通过所述第三电阻R3与所述第一三极管Q1的集电极电连接，所述第二三极管Q2的集电极与参考电压电路VCC2电连接，所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种欠压检测电路，其特征在于，所述欠压检测电路包括：稳压二极管、第一三极管、第二三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻以及控制模块；所述第一三极管的基极与所述稳压二极管的阳极电连接，所述第一三极管的集电极与所述第二电阻电连接，所述第一三极管的发射级接地；所述稳压二极管的阴极与所述第一电阻电连接，所述第一电阻与所述第二电阻电连接，且所述第一电阻与所述第二电阻之间的连接处与待检测电路的电源输入接口电连接；所述第二三极管的基极通过所述第三电阻与所述第一三极管的集电极电连接，所述第二三极管的集电极与参考电压电路电连接，所述第二三极管的发射级接地；控制模块的中断接口与所述第二三极管的集电极电连接，用以根据所述中断接口的采集电压判断所述电源输入接口的输入电压是否处于欠压状态。2.如权利要求1所述的欠压检测电路，其特征在于，所述欠压检测电路还包括第一电容，所述第一电容的一端与所述第二三极管的基极电连接，另一端接地。3.如权利要求1所述的欠压检测电路，其特征在于，所述欠压检测电路还包括第四电阻，所述第四电阻的一端与所述第一三极管的基极电连接，另一端接地。4.如权利要求1所述的欠压检测电路，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈卫民，刘祖芳，骆传伏，黄猛，贺秀星，
申请(专利权)人：深圳市麦驰安防技术有限公司，
类型：新型
国别省市：