【技术实现步骤摘要】
转变PbTiO3/SrTiO3超晶格材料的涡旋畴的方法
[0001]本专利技术属于铁电存储领域。具体地,本专利技术涉及转变PbTiO3/SrTiO3超晶格材料的涡旋畴的方法。
技术介绍
[0002]由于人类社会的发展和科技的进步对存储容量的要求越来越高,传统的场效应晶体管或者磁存储容量已经接近极限,迫切需要新的高容量存储材料。而铁电存储具有速度快,功耗低的特点,因此也受到越来越多的关注和研究。
[0003]铁电涡旋畴是电极化矢量连续旋转形成涡旋的结构,不同于传统铁电畴的是,涡旋畴尺寸只有4纳米左右,用于存储时,能够将现有铁电存储的容量提高5个数量级左右,达到48
×
10
12
比特/平方英寸。
[0004]对于铁电涡旋畴,必须要知道涡旋畴在外场下的响应。计算机存储包括两个过程,首先是存入数据,这与计算机的二进制相关,因此需要两个态,对应计算机的
‘0’
和
‘1’
。涡旋畴可以做一个态,涡旋畴在力场作用下转变成面内畴可以当做另一个态,这样就实现 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种转变PbTiO3/SrTiO3超晶格材料的涡旋畴的方法,包括如下步骤:对具有涡旋畴的PbTiO3/SrTiO3超晶格材料施加压强为0.4-1.0GPa的力,所述PbTiO3/SrTiO3超晶格材料的涡旋畴则变为面内畴;撤去所述力,所述PbTiO3/SrTiO3超晶格材料的面内畴恢复为涡旋畴。2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述压强为0.4-0.6GPa。3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述PbTiO3/SrTiO3超晶格材料中PbTiO3的厚度为10-16个PbTiO3单胞的厚度;所述PbTiO3/SrTiO3超晶格材料中的SrTiO3的厚度为10-16个SrTiO3单胞的厚度。4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述PbTiO3/SrTiO3超晶格材料的循环周期为10-15。5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述PbTiO3/SrTiO3超晶格材料是通过包括如下步骤的方法制备的:用脉冲激光沉积在DyScO3衬底上生长出S...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈潘,白雪冬,
申请(专利权)人:中国科学院物理研究所,
类型:发明
国别省市:
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