MEMS换能器、MEMS麦克风以及制造MEMS换能器的方法技术

公开了MEMS换能器、MEMS麦克风以及制造MEMS换能器的方法。MEMS换能器具有元件基底、多个悬臂梁和梁连接器。悬臂梁分别具有固定在元件基底上的基底部件和不固定在元件基底上的自由梁部件，并且悬臂梁通过层压压电材料膜和第一、第二电极膜形成。进一步，自由梁部件具有梁尖端，并且其以从基部部件到所述梁尖端宽度逐渐减小的锥形形状形成。所有悬臂梁的梁尖端朝向单个尖端点会聚，梁连接器形成在包括悬臂梁的梁尖端的会聚区域中，使得会聚在会聚区域中的梁尖端中的至少两个连接。域中的梁尖端中的至少两个连接。域中的梁尖端中的至少两个连接。

【技术实现步骤摘要】
MEMS换能器、MEMS麦克风以及制造MEMS换能器的方法


[0001]本专利技术涉及用作麦克风、传感器等的MEMS换能器、具有MEMS换能器的MEMS麦克风以及制造MEMS换能器的方法。

技术介绍

[0002]压电材料已被广泛用于功能电子元件，诸如通过施加电压产生变形的致动器或以相反方式从元件的变形产生电压的传感器等。薄膜压电材料被加工成薄膜类似的形状，广泛用于MEMS(微机电系统)。
[0003]具有大压电特性的铅(Pb)基介电材料，特别是锆钛酸铅，分子式为Pb(Zr
x
Ti
(1-x)
)O3基钙钛矿型铁电体，称为“PZT”，已被广泛使用。
[0004]另一方面，MEMS是一种将微小可移动元件和电子电路集成在由硅等制成的基底(也称为元件基底)上的设备。MEMS是将物理量转换成电信号的元件。因此，在本专利技术中，MEMS也被称为“MEMS换能器”。MEMS换能器用作麦克风、传感器、致动器等。
[0005]作为用作麦克风的MEMS换能器，膜片型MEMS换能器和压电型MEMS换能器通常是本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MEMS换能器，包括：元件基底；多个悬臂梁；以及梁连接器；其中，所述悬臂梁分别具有固定在所述元件基底上的基部部件和不固定在所述元件基底上的自由梁部件，并且所述悬臂梁通过层压压电材料膜和形成为夹住所述压电材料膜的第一电极膜、第二电极膜而形成，其中，所述自由梁部件具有梁尖端，并且所述自由梁部件形成锥形形状，其宽度从所述基部部件到所述梁尖端逐渐减小，其中，所有所述多个悬臂梁的所述梁尖端朝向尖端点会聚，其中，所述梁连接器在包括所述悬臂梁的所述梁尖端的会聚区域中形成，使得朝向所述尖端点会聚的所述梁尖端中的至少两个被连接。2.根据权利要求1所述的MEMS换能器，其中，所述梁连接器以几乎相似的图形成，其小于包括所有所述多个悬臂梁的梁构件。3.根据权利要求1所述的MEMS换能器，其中，所述梁连接器布置在所述梁连接器的中心部分与所述尖端点重叠的位置。4.根据权利要求1所述的MEMS换能器，其中，所述梁连接器形成在所述悬臂梁的外部表面上。5.根据权利要求1所述的MEMS换能器，其中，所述梁连接器固定在朝向所述尖端点会聚的所有所述梁尖端上。6.根据权利要求1所述的MEMS换能器，其中，所述梁连接器由干膜或聚酰亚胺膜形成。7.根据权利要求1所述的MEMS换能器，进一步包括：压电双层结构，所述压电材料膜被双重层压。8.根据权利要求7所述的MEMS换能器，其中，所述梁连接器形成在形成所述压电双层结构的压电材料膜的最外部压电材料膜的外部表面上。9.根据权利要求1所述的MEMS换能器，进一步包括：压电三层结构，所述压电材料膜被三层层压。10.根据权利要求9所述的MEMS换能器，其中，所述梁连接器形成在形成所述压电三层结构的压电材料膜的最外部压电材料膜的外部表面上。11.一种MEMS麦克风，包括：MEMS封装；以及帽，所述帽包裹所述MEMS封装，其中，所述MEMS封装包括MEMS换能器以及粘附所述MEMS换能器的封装基底，其中，所述MEMS换能器包括元件基底、多个悬臂梁以及梁连接器，其中，所述悬臂梁分别具有固定在所述元件基底上的基部部件和不固定在所述元件基底上的自由梁部件，并且所述悬臂梁通过层压压电材料膜和形成为夹住所述压电材料膜的...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊伟，何飞，饭岛淳，
申请(专利权)人：新科实业有限公司，
类型：发明
国别省市：