一种光发射元件及其制作方法、摄像头模块和终端技术

本申请实施例公开了一种光发射元件及其制作方法、摄像头模块和终端，所述光发射元件包括发光元件、基体以及扩散片，所述基体固定连接所述发光元件；所述扩散片和所述基体直接接触连接并形成封闭腔，所述封闭腔内设置有所述发光元件，所述发光元件发出的光穿过所述扩散片。散片。散片。

【技术实现步骤摘要】
一种光发射元件及其制作方法、摄像头模块和终端


[0001]本申请涉及电子与信息
，尤其是涉及一种光发射元件及其制作方法、摄像头模块和终端。

技术介绍

[0002]飞行时间(Time of flight，TOF)越来越多的用到终端上，例如，终端可以通过TOF摄像头来实现测量距离、对物体做三维建模、拍照虚化以及体感游戏等。TOF的基本工作原理是：发射器发出经调制的光，遇物体后反射，接收器接收反射后的光，通过计算光线发射和反射时间差或相位差，得到其与物体的距离。然而，相关技术中的发射器的结构稳定性低，例如，发射器的元件容易从发射器上脱落。

技术实现思路

[0003]本申请实施例期望提供一种光发射元件及其制作方法、摄像头模块和终端，解决相关技术中发射器的结构稳定性低的问题。
[0004]本申请实施例提供一种光发射元件，所述光发射元件包括：
[0005]发光元件；
[0006]基体，所述基体固定连接所述发光元件；
[0007]扩散片，所述扩散片和所述基体直接接触连接并形成封闭腔，所述封闭腔内设置有所述发光元件，所述发光元件发出的光穿过所述扩散片。
[0008]上述方案中，所述基体的目标面具有凹陷部，所述基体的目标面除所述凹陷部的目标部分直接接触连接所述扩散片，所述凹陷部和所述扩散片形成所述封闭腔；
[0009]所述发光元件，固定连接所述凹陷部。
[0010]上述方案中，所述扩散片包括：
[0011]扩散片本体；
[0012]扩散片微结构层，所述扩散片微结构层设置在所述扩散片本体的靠近所述基体的一侧；其中，所述扩散片微结构层的尺寸等于所述凹陷部的横截面的尺寸，所述凹陷部和所述扩散片微结构层形成所述封闭腔。
[0013]上述方案中，所述发光元件包括：
[0014]第一电极，所述第一电极的一侧固定连接于所述凹陷部；
[0015]光产生层，设置在所述第一电极的另一侧；
[0016]第二电极，设置在所述光产生层的远离所述第一电极的一侧。
[0017]上述方案中，所述光产生层包括：
[0018]衬底层，设置在所述第一电极的另一侧；
[0019]第一反射镜层，设置在所述衬底层的远离所述第一电极的一侧；
[0020]量子阱层，设置在所述第一反射镜层的远离所述衬底层的一侧；
[0021]电流限制层，设置在所述量子阱层远离所述第一反射镜层的一侧；
[0022]第二反射镜层，设置在所述电流限制层的远离所述量子阱层的一侧；
[0023]隔离层，设置在所述第二反射镜层的远离所述电流限制层的一侧；其中，在所述隔离层远离所述第二反射镜层的一侧设置所述第二电极。
[0024]上述方案中，所述基体包括底壁和侧壁，所述底壁和所述侧壁形成所述凹陷部；
[0025]相应地，所述光发射元件还包括：
[0026]第三电极和第四电极，所述第三电极和所述第四电极均设置在所述底壁的外表面或所述侧壁的外表面；
[0027]其中，所述第三电极基于所述基体与所述第一电极连接，所述第四电极基于所述基体与所述第二电极连接；所述光发射元件可通过所述第三电极和所述第四电极连接在电路板上。
[0028]本申请实施例提供一种光发射元件的制作方法，所述终端包括：所述方法包括：
[0029]形成固定连接发光元件的基体；其中，所述基体的目标面具有凹陷部，所述发光元件固定连接所述凹陷部；
[0030]在所述基体上形成扩散片，使所述扩散片和所述基体直接接触连接并形成封闭腔；其中，所述封闭腔内设置有所述发光元件，所述发光元件发出的光穿过所述扩散片。
[0031]上述方案中，所述基体包括底壁和侧壁，所述底壁和所述侧壁形成所述凹陷部；所述形成固定连接发光元件的基体，包括：
[0032]形成所述底壁；
[0033]在所述底壁的内表面上固定连接所述发光元件；
[0034]在与所述底壁垂直的方向抵接所述底壁形成所述侧壁。
[0035]上述方案中，所述在与所述底壁垂直的方向抵接所述底壁形成所述侧壁，包括：
[0036]在固定连接所述发光元件的所述底壁的边缘区域沉积第一生长材料；
[0037]基于晶体生长工艺，控制所述第一生长材料朝向所述扩散片的方向生长形成所述侧壁。
[0038]上述方案中，所述扩散片包括扩散片本体和扩散片微结构层；所述在所述基体上形成扩散片，使所述扩散片和所述基体直接接触连接并形成封闭腔，包括：
[0039]形成初始扩散片；
[0040]在所述初始扩散片的第一区域形成所述扩散片微结构层；其中，所述一区域的尺寸等于所述凹陷部的横截面的尺寸；
[0041]将所述初始扩散片的第二区域，设置在所述基体的目标面除所述凹陷部的目标部分；其中，所述凹陷部和所述扩散片微结构层形成所述封闭腔；所述第二区域与所述第一区域在所述初始扩散片的目标平面上，且所述第二区域是所述目标平面上除所述第一区域外的部分区域或全部区域；
[0042]基于晶体生长工艺，控制所述初始扩散片至少朝向所述基体的方向生长以得到所述扩散片本体，并使所述第二区域和所述目标部分成为一体；其中，所述扩散片本体的晶体结构类型和所述基体的晶体结构类型相同。
[0043]上述方案中，所述形成初始扩散片，包括：
[0044]在基材上沉积第二生长材料；
[0045]基于晶体生长工艺，控制所述第二生长材料生长形成所述初始扩散片。
[0046]上述方案中，所述发光元件包括：第一电极、光产生层以及第二电极，所述在所述底壁的内表面上固定连接所述发光元件，包括：
[0047]在所述底壁上的内表面形成所述第一电极；
[0048]在所述第一电极远离所述底壁的一侧形成所述光产生层；
[0049]在所述光产生层的远离所述第一电极的一侧形成所述第二电极。
[0050]上述方案中，所述光产生层包括衬底层、第一反射镜层、量子阱层、电流限制层、第二反射镜层以及隔离层；所述在所述第一电极远离所述底壁的一侧形成所述光产生层，包括：
[0051]在所述第一电极远离所述底壁的一侧形成所述衬底层；
[0052]在所述衬底层的远离所述第一电极的一侧形成所述第一反射镜层；
[0053]在所述第一反射镜层的远离所述衬底层的一侧形成所述量子阱层；
[0054]在所述量子阱层的远离所述第一反射镜层的一侧形成所述电流限制层；
[0055]在所述电流限制层的远离所述量子阱层的一侧形成所述第二反射镜层；
[0056]在所述第二反射镜层的远离所述电流限制层的一侧形成隔离层；
[0057]相应地，所述在所述光产生层的远离所述第一电极的一侧形成所述第二电极，包括：
[0058]在所述隔离层的远离所述第一电极的一侧形成所述第二电极。
[0059]上述方案中，所述在所述基体上形成扩散片，使所述扩散本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光发射元件，其特征在于，所述光发射元件包括：发光元件；基体，所述基体固定连接所述发光元件；扩散片，所述扩散片和所述基体直接接触连接并形成封闭腔，所述封闭腔内设置有所述发光元件，所述发光元件发出的光穿过所述扩散片。2.根据权利要求1所述的光发射元件，其特征在于，所述基体的目标面具有凹陷部，所述基体的目标面除所述凹陷部的目标部分直接接触连接所述扩散片，所述凹陷部和所述扩散片形成所述封闭腔；所述发光元件，固定连接所述凹陷部的内表面。3.根据权利要求2所述的光发射元件，其特征在于，所述扩散片包括：扩散片本体；扩散片微结构层，所述扩散片微结构层设置在所述扩散片本体的靠近所述基体的一侧；其中，所述扩散片微结构层的尺寸等于所述凹陷部的横截面的尺寸，所述凹陷部和所述扩散片微结构层形成所述封闭腔。4.根据权利要求2所述的光发射元件，其特征在于，所述发光元件包括：第一电极，所述第一电极的一侧固定连接于所述凹陷部的内表面；光产生层，设置在所述第一电极的另一侧；第二电极，设置在所述光产生层的远离所述第一电极的一侧。5.根据权利要求4所述的光发射元件，其特征在于，所述光产生层包括：衬底层，设置在所述第一电极的另一侧；第一反射镜层，设置在所述衬底层的远离所述第一电极的一侧；量子阱层，设置在所述第一反射镜层的远离所述衬底层的一侧；电流限制层，设置在所述量子阱层远离所述第一反射镜层的一侧；第二反射镜层，设置在所述电流限制层的远离所述量子阱层的一侧；隔离层，设置在所述第二反射镜层的远离所述电流限制层的一侧；其中，在所述隔离层远离所述第二反射镜层的一侧设置所述第二电极。6.根据权利要求2至5任一项所述的光发射元件，其特征在于，所述基体包括底壁和侧壁，所述底壁和所述侧壁形成所述凹陷部；相应地，所述光发射元件还包括：第三电极和第四电极，所述第三电极和所述第四电极均设置在所述底壁的外表面或所述侧壁的外表面；其中，所述第三电极基于所述基体与所述第一电极连接，所述第四电极基于所述基体与所述第二电极连接；所述光发射元件可通过所述第三电极和所述第四电极连接在电路板上。7.一种光发射元件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：形成固定连接发光元件的基体；其中，所述基体的目标面具有凹陷部，所述发光元件固定连接所述凹陷部；在所述基体上形成扩散片，使所述扩散片和所述基体直接接触连接并形成封闭腔；其中，所述封闭腔内设置有所述发光元件，所述发光元件发出的光穿过所述扩散片。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述基体包括底壁和侧壁，所述底壁和所述侧壁形成所述凹陷部；所述形成固定连接发光元件的基体，包括：形成所述底壁；在所述底壁的内表面上固定连接所述发光元件；在与所述底壁垂直的方向抵接所述底壁形成所述侧壁。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在与所述底壁垂直的方向抵接所述底壁形成所述侧壁，包括：在固定连接所述发光元件的所述底壁的边缘区域沉积第一生长材料；基于晶体生长工...

【专利技术属性】
技术研发人员：王路，
申请(专利权)人：OPPO广东移动通信有限公司，
类型：发明
国别省市：