一种传感器装置（１０）可用于测量被设置用于处理衬底的设备的特性，例如光学特性。该传感器装置包括衬底（１），其具有：被设置作为衬底中的集成电路的多个传感元件（２），对于该多个传感元件中的每一个，相关电子电路包括连接到该传感元件的处理电路（６）和连接到该处理电路的输入／输出接口（８），以及被配置用于仅向与正在使用的该多个传感元件中的一个或多个相关的电子电路提供工作功率的电源单元（９）。该至少一个传感元件（２）和可能的处理电子线路（４）、输入／输出单元（８）、和／或电源单元（９）可被设置作为衬底（１）中的一个或多个集成电路或其它结构。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及光刻投影设备和方法。
技术介绍
这里采用的术语“构图结构”应当被广义理解为涉及可用于对应将要建立在衬底的目标部分中的图案，赋予入射辐射束带图案的截面的任何结构或场；在本文中还可以使用术语“光阀”。应当理解，“显示″在构图结构上的图案可能与最后转移到例如衬底或它的层的图案显著不同(例如其中使用预偏置特征、光学邻近校正特征、相位和/或偏振变化技术、和/或多重曝光技术)。通常，这种图案将对应于建立在目标部分中的器件例如集成电路或其它器件(见下面)中的特定功能层。构图结构可以是反射式的和/或透射式的。构图结构的实例包括-掩模。掩模的概念在光刻术中是公知的，并且它包括诸如二元、交替相移、和衰减相移之类的掩模类型，以及各种混合掩模类型。这种掩模在辐射束中的放置按照掩模上的图案引起照射到该掩模上的辐射的选择性透射(在透射式掩模的情况下)或反射(在反射式掩模的情况下)。就掩模来说，支撑结构通常是掩模台，其保证可使掩模保持在入射辐射束中的预期位置处，并且如果需要的话它能够相对于该射束移动。-可编程反射镜阵列。这种器件的一个实例是具有粘弹性控制层和反射表面的矩阵可寻址表面。这种设备背后的基本原理是(例如)反射表面的寻址区域将入射光反射成衍射光，而未寻址区域将入射光反射成未衍射光。使用适当的滤波器，可以将未衍射光滤出反射束，仅留下衍射光；照这样，根据矩阵可寻址表面的寻址图案射束变成带图案的。栅状光阀(GLV)阵列也可以以相应方式来使用，其中每个GLV可包括多个反射带，它们可以彼此相对变形(例如通过施加电势)以形成将入射光反射成衍射光的格栅。可编程反射镜阵列的另一替换实施例采用很小的(可能是显微的)反射镜的矩阵配置，其每一个可以通过施加适当定位的电场或通过采用压电致动装置来单独地关于轴倾斜。例如，这些反射镜可以是矩阵可寻址的，以便被寻址的反射镜将沿与未寻址的反射镜不同的方向反射入射辐射束；照这样，反射束根据矩阵可寻址反射镜的寻址图案被构图。所需的矩阵寻址可以使用适当的电子装置来执行。在上述两种情形下，构图结构可以包括一个或多个可编程反射镜阵列。关于这里所涉及的反射镜阵列的更多信息可以例如从美国专利No.5,296,891和No.5,523,193和PCT专利申请WO98/38597和WO 98/33096中找到，在此引入这些文献作为参考。就可编程反射镜阵列来说，支撑结构可以体现为框架或台，例如，其可以按照需要是固定的或可移动的。-可编程LCD面板。这种结构的实例在美国专利No.5,229,872中给出，其在此被引入作为参考。如上所述，在这种情况下支撑结构可以体现为框架或台，例如，其可以按照需要是固定的或可移动的。光刻设备可以包括支撑(即承受重量)构图结构的支撑结构。该支撑结构可以以特定方式支持构图结构，该方式取决于这类因素，如构图结构的定向、光刻设备的设计、以及其它条件，例如构图装置是否保持在真空环境中。支撑可以包括机械夹紧、真空、或其它夹紧技术(例如静电夹紧，可能是在真空条件下)。支撑结构可以是框架或台，例如，其可以按照需要是固定的或可移动的且其可以保证构图装置例如相对于投影系统处于预期位置处。这里术语“分划板(reticle)”或“掩模”的任何使用都可被认为与更概括的术语“构图结构”同义。为了简单起见，在特定位置处，本文的其余部分特别针对涉及掩模(或“分划板”)和掩模台(或“分划板台”)的实例；然而，这些实例中讨论的一般原理应当以上述构图结构的更广义的角度来理解。光刻设备可用于将预期图案施加到表面(例如衬底的目标部分)上。光刻投影设备可用于例如集成电路(IC)制造中。在这种情况下，构图结构可以产生对应于IC的各层的电路图案，并且该图案可以映射到衬底(例如硅晶片或其它半导体材料)上的目标部分(例如包括一个或多个管芯和/或其(各)部分)上，该目标部分涂有辐射敏感材料(例如抗蚀剂)层。通常，单个晶片将包含通过投影系统相继照射(例如一次一个)的相邻目标部分的整个矩阵或网络。在目前采用通过掩模台上的掩模构图的设备中，两种不同类型的机器之间会产生差异。在一种类型的光刻投影设备中，通过一次将整个掩模图案曝光到目标部分上来照射每个目标部分；这种设备通常被称为晶片步进机。在替换设备中-通常被称为步进扫描设备-通过下述方式来照射每个目标部分在投影束下沿给定参考方向(“扫描”方向)渐进扫描掩模图案同时平行于或反平行于该方向同步扫描衬底台；通常由于投影系统具有放大系数M(一般＜1)，因此扫描衬底台的速度V将是扫描掩模台的速度的M倍。扫描类型的设备中的投影束可以具有沿扫描方向具有缝隙宽度的缝隙形式。关于这里描述的光刻设备的更多信息可以例如从美国专利No.6,046,792中找到，其在此被引入作为参考。在使用光刻投影设备的制造工艺中，图案(例如掩模中的)被映射到被辐射敏感材料(例如抗蚀剂)至少部分覆盖的衬底上。在该映射过程之前，该衬底可以经历多种其它过程，例如涂底(priming)、抗蚀剂涂敷、和/或软烤。曝光后，衬底可以经受其它过程，例如曝光后烘烤(PEB)、显影、硬烤、和/或映射特征的测量/检验。这组过程可以用作构图器件(例如IC)的各层的基础。例如，这些转移过程可以在衬底上形成带图案的抗蚀剂层。一种或多种构图工艺可以随后进行，例如淀积、刻蚀、离子注入(掺杂)、金属化、氧化、化学机械抛光等，它们全部都可以旨在形成、修改、或完成各层。如果需要多层，则对每个新层可以重复整个过程或其变型。最后，器件阵列将呈现在衬底(晶片)上。接着通过诸如切片或切割之类的技术使这些器件彼此分开，由此各个器件可以安装在载体上，与管脚相连，等等。关于这些工艺的其它信息可以例如从McGraw Hill出版公司1997年第三次出版的Peter van Zant编著的书“Microchip FabricationAPractical Guide to Semiconductor Processing”(ISBN 0-07-067250-4)中得到。这里涉及的衬底可以在曝光之前或之后例如用轨道(track)(一种工具，其一般将抗蚀剂层施加到衬底上并显影曝光的抗蚀剂)或度量衡学或检验工具来处理。在可应用的地方，本公开可以应用于这种和其它衬底处理工具。另外，衬底可以被处理一次以上(例如，为了形成多层IC)，因此这里所用的术语衬底也可以涉及已经包含多次处理的层的衬底。术语“投影系统”应当被广义理解为包含各种类型的投影系统，例如包括折射式光学部件、反射式光学部件、和反折射系统。特定投影系统可以根据以下因素来选择例如所用的曝光辐射的类型、曝光路径中的任何浸入流体或填充气体的区域、是全部还是部分曝光路径中使用真空，等等。为了简单起见，下文可以将投影系统称为“透镜”。辐射或照明系统还可以包括按照这些设计类型中的任何一种工作的、用于定向、定形、减小、放大、构图、和/或另外控制辐射的投影束的部件，并且在下面也可以将这些部件共同称为或单称为“透镜”。另外，光刻设备可以是具有两个或更多衬底台(和/或两个或更多掩模台)的类型。在这种“多台”设备中，附加台可以并行使用，或者可以在一个或多个台上执行预备步骤而一个或多个其它台用于曝光。例如在美国专利No.5,969,441和P本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种包括衬底的传感器装置，所述传感器装置具有：被设置作为衬底中的集成电路的多个传感元件；对于该多个传感元件中的每一个，相关电子电路包括：－连接到该传感元件的处理电路，－连接到该处理电路的输入／输出接口；以及 被配置用于仅向与正在使用的该多个传感元件中的一个或多个相关的电子电路提供工作功率的电源单元。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：FJ范豪特，JAM范博梅，P迪克森，M克鲁恩，CAH朱弗曼斯，RMAM范登埃登，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，皇家飞利浦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。