一种封装层、光电器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种封装层、光电器件及其制备方法，其中，所述光电器件包括底电极、顶电极以及设置在所述底电极和顶电极之间的发光层，所述顶电极上设置有第一封装层，所述第一封装层材料包括由石墨烯泡沫和聚合物基体组成的复合材料。在本发明专利技术中，所述第一封装层既能够提高光电器件的水氧阻隔性能，同时由于所述第一封装层中具有高热导率的石墨烯泡沫，所述石墨烯泡沫能够显著降低第一封装层的界面热阻，极大的提高第一封装层的导热性，从而提高光电器件的稳定性和使用寿命。器件的稳定性和使用寿命。器件的稳定性和使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种封装层、光电器件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及量子点领域，尤其涉及一种封装层、光电器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]光电器件的寿命缩短主要是由于吸附了空气中的氧气和湿气，这些环境中的水汽渗透到器件内部，会加速器件的老化，减少器件的寿命。通过封装工艺把有机膜和金属电极保护起来，使其免受外界空气的影响，最终能达到延长器件寿命的目的，因此封装工艺对器件寿命的影响很大。
[0003]传统的光电器件封装技术是在水、氧含量低于1ppm的手套箱中完成的，将制作好的器件由手套箱内的线形机械手传入到手套箱内，后盖板由调整好程序的自动涂胶机完成UV胶的涂覆，将制作好的光电器件基板与涂好UV胶的后盖板对准贴合，经过UV曝光以后就形成了一个与大气环境隔开的壁障，该壁障能有效防止空气中的水、氧进入光电器件内部，避免水氧与内部有机膜和金属电极发生反应。
[0004]然而，传统后盖式封装方式的不足是：金属后盖易发生翘曲变形、易产生微裂纹及扩展以及易脆；传统封装方式需要用UV胶粘合光电器件基板四周，而UV胶固化后稀松多孔，使得水汽和氧容易从中通过；传统封装方式需要内置吸湿剂，吸水后膨胀易导致器件变形，从而导致器件进一步被损坏。当前，商用的光电器件的封装技术正从传统的盖板式封装向新型薄膜一体化封装发展。薄膜封装的出现使柔性显示的梦想得以实现，但其现阶段封装寿命和稳定性有待更进一步提高，成本优势也不大，与传统封装相比优势不是十分明显。
[0005]因此，现有技术还有待于改进。

技术实现思路

[0006]鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种封装层、光电器件及其制备方法，旨在解决由于现有光电器件的封装效果差，导致光电器件使用寿命较短以及稳定性较差的问题。
[0007]本专利技术的技术方案如下：
[0008]一种封装层，其中，所述封装层包括第一封装层，所述第一封装层材料包括由石墨烯泡沫和聚合物基体组成的复合材料。
[0009]一种封装层的制备方法，其中，包括步骤：
[0010]将所述石墨烯泡沫和聚合物基体混合，形成复合材料；
[0011]将所述复合材料沉积成膜，制得第一封装层。
[0012]一种光电器件，包括底电极、顶电极以及设置在所述底电极和顶电极之间的发光层，所述顶电极上设置有第一封装层，其中，所述第一封装层材料包括由石墨烯泡沫和聚合物基体组成的复合材料。
[0013]一种光电器件的制备方法，其中，包括步骤：
[0014]提供底电极，在所述底电极上制备发光层；
[0015]在所述发光层上制备顶电极；
[0016]在所述顶电极上制备第一封装层，制得所述光电器件，所述第一封装层材料包括由石墨烯泡沫和聚合物基体组成的复合材料。
[0017]有益效果：本专利技术提供的光电器件包括设置在顶电极上的第一封装层，所述第一封装层材料包括由石墨烯泡沫和聚合物基体组成的复合材料，所述第一封装层既能够提高光电器件的水氧阻隔性能，同时由于所述第一封装层中具有高热导率的石墨烯泡沫，所述石墨烯泡沫能够显著降低第一封装层的界面热阻，极大的提高第一封装层的导热性，从而提高光电器件的稳定性和使用寿命。
附图说明
[0018]图1为本专利技术一种封装层较佳实施例的结构示意图。
[0019]图2为本专利技术一种光电器件较佳实施例的结构示意图。
[0020]图3为本专利技术一种光电器件的制备方法较佳实施例的流程图。
[0021]图4为本专利技术实施例1中光电器件的结构示意图。
具体实施方式
[0022]本专利技术提供一种封装层、光电器件及其制备方法的制备方法，为使本专利技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0023]如图1所示，本专利技术实施例提供一种封装层01，所述封装层01包括第一封装层02，所述第一封装层02材料包括由石墨烯泡沫和聚合物基体组成的复合材料。
[0024]在本实施例中，所述石墨烯泡沫是在三维空间上具有相互连接结构的多孔石墨烯聚集体，其多孔结构的形成可有效避免石墨烯片的过度堆叠，保持了石墨烯片单层结构或少数层结构的水氧阻隔性能。所述石墨烯泡沫本身具有优异的水氧阻隔性，并且其与聚合物基体混合后还能够诱导聚合物基体结晶，从而有效提高了聚合物基体的水氧渗透路径，从而提高了第一封装层的水氧阻隔性能。所述石墨烯泡沫结构中组成晶体的原子并不是在各平衡位置上固定不动的，而是围绕平衡位置振动的，石墨烯泡沫的这种振动模式是有利于声子和电子传输的，可降低界面热阻，在低含量下可有效地改善聚合物基体的热导率，从而提高第一封装层的导热性能，使得光电器件发光过程中由电能转换为热能的那部分能量更容易通过第一封装层传导出去，有利于光电器件的散热，从而保护光电器件内部各功能层的膜层结构，最终提高光电器件的使用寿命和稳定性。
[0025]在一些实施方式中，所述第一封装层材料还可包括其它具有较高热导率以及水氧阻隔性能的材料，作为举例，所述第一封装层材料还可包括石墨、碳纳米管、碳纤维等中的一种或多种，但不限于此。
[0026]在一些实施方式中，如图1所示，所述封装层01还包括设置在第一封装层02上的第二封装层03，所述第二封装层03材料为二硅化钼。本实施例通过在第一封装层上制备由二硅化钼组成的第二封装层，可对光电器件形成良好的覆盖阶梯，能够更有效的阻隔水氧对光电器件的侵蚀，提高光电器件的使用寿命。
[0027]在一些实施方式中，如图1所示，所述封装层01还包括设置在第二封装层03上的二
氧化硅薄膜04，所述二氧化硅薄膜04表面接枝有十六烷基三甲氧基硅烷。在本实施例中，所述第二封装层材料二硅化钼在常温下遇到氧气会发生剧烈的氧化反应而分化成一层致密的二氧化硅薄膜，所述二氧化硅薄膜可有效防止水氧渗透，从而进一步提升光电器件的使用寿命。进一步的，通过对所述二氧化硅薄膜进行改性处理，使得所述二氧化硅薄膜03表面接枝有十六烷基三甲氧基硅烷，所述十六烷基三甲氧基硅烷作为非极性的长链结构，其可在二氧化硅薄膜表面形成较薄的保护层来阻止外来污染物的侵入，进而增加封装层的水氧阻隔性能。
[0028]在一些具体的实施方式中，提供一种封装层的制备方法，包括步骤：
[0029]将所述石墨烯泡沫和聚合物基体混合，形成复合材料；
[0030]将所述复合材料沉积成膜，制得第一封装层；
[0031]在加热条件下，以惰性气体作为载气，将硅源蒸汽和钼源蒸汽输送至所述第一封装层表面，在所述第一封装层上生成二硅化钼薄膜，即制得第二封装层；
[0032]对所述光电器件上的二硅化钼薄膜进行氧化处理，在所述二硅化钼薄膜表面生成二氧化硅薄膜；
[0033]将所述二氧化硅薄膜置于氨水气氛中进行预处理，再将所述二氧化硅薄膜置于氨水和十六烷基三甲氧基硅烷气氛中进行改性处理，使所述十六烷基三甲氧基硅烷接枝到所述二氧化硅薄膜表面。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装层，其特征在于，所述封装层包括第一封装层，所述第一封装层材料包括由石墨烯泡沫和聚合物基体组成的复合材料。2.根据权利要求1所述的封装层，其特征在于，所述封装层还包括设置在第一封装层上的第二封装层，所述第二封装层材料为二硅化钼。3.根据权利要求2所述的封装层，其特征在于，所述封装层还包括设置在第二封装层上的二氧化硅薄膜，所述二氧化硅薄膜表面接枝有十六烷基三甲氧基硅烷。4.一种封装层的制备方法，其特征在于，包括步骤：将所述石墨烯泡沫和聚合物基体混合，形成复合材料；将所述复合材料沉积成膜，制得第一封装层。5.根据权利要求4所述封装层的制备方法，其特征在于，还包括步骤：在加热条件下，以惰性气体作为载气，将硅源蒸汽和钼源蒸汽输送至所述第一封装层表面，在所述第一封装层上生成二硅化钼薄膜，即制得第二封装层。6.根据权利要求5所述封装层的制备方法，其特征在于，还包括步骤：对所述二硅化钼薄膜进行氧化处理，在所述二硅化钼薄膜表面生成二氧化硅薄膜；将所述二氧化硅薄膜置于氨水气氛中进行预处理，再将所述二氧化硅薄膜置于氨水和十六烷基三甲氧基硅烷气氛中进行改性处理，使所述十六烷基三甲氧基硅烷接枝到所述二氧化硅薄膜表面。7.一种光电器件，包括底电极、顶电极以及设置在所述底电极和顶电极之间的发光层，所述顶电极上设置有第一封装层，其特征在于，所述第一封装层材料包括由石墨烯泡沫和聚合物基体组成的复合材料。8.根据权利要求7所述的光电器件，其特征在于，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱佩，向超宇，罗植天，张滔，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：