【技术实现步骤摘要】
硅转接板的互连测试夹具及互连测试方法
[0001]本专利技术属于先进电子封装
,涉及一种硅转接板的互连测试夹具及互连测试方法。
技术介绍
[0002]目前集成电路的特征尺寸已越来越接近物理极限,继续通过减小器件特征尺寸来提高集成密度的方法,变得越来越困难,亦不能带来成本和性能上足够多的红利。随着芯片封装技术的不断发展,芯片集成由二维平面分布的排列方式走向三维堆叠的方式,2.5D/3D先进封装技术成为了最先担负起超越摩尔定律重任的技术。所谓2.5D指的就是芯片做好先不封装,而是在同一个基板上平行排列,然后通过引线键合或倒装芯片或硅通孔(Through-Silicon-Via,TSV)的工艺连接到插入层(Interposer)上,将多个功能芯片在垂直方向上连接起来的制造工艺。 Interposer也称中间层或转接板,通常是指芯片与封装基板之间的互连和引脚再分布的功能层,目前Interposer主要是硅基材质,利用硅作为转接板,TSV为线路互连工具,使集成系统更小,更省电,具有更高带宽。
[0003]目前的TSV量产 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种硅转接板的互连测试夹具,其特征在于,包括夹具本体和若干硅胶垫,夹具本体上开设通孔,通孔内壁上设置晶圆放置环(15),晶圆放置环(15)上设置若干腔体(16),腔体(16)上开设真空吸附沟槽(17)和若干安装孔;夹具本体上设置若干与真空吸附沟槽(17)连通的真空接头(14);硅胶垫上设置若干真空孔和若干凸起,若干凸起分别与若干安装孔连接,若干真空孔均与真空吸附沟槽(17)连通。2.根据权利要求1所述的硅转接板的互连测试夹具,其特征在于,所述夹具本体一侧上开设第一环形下沉台阶(19),另一侧上开设第二环形下沉台阶(20),且,第一环形下沉台阶(19)的内壁与晶圆放置环(15)的外壁重合,第二环形下沉台阶(20)的内壁与晶圆放置环(15)的内壁重合。3.根据权利要求1所述的硅转接板的互连测试夹具,其特征在于,所述夹具本体上沿晶圆放置环(15)圆周方向上均匀设置若干标尺(18)。4.根据权利要求1所述的硅转接板的互连测试夹具,其特征在于,所述夹具本体上设置若干把手。5.根据权利要求1所述的硅转接板的互连测试夹具,其特征在于,所述腔体(16)的两端侧壁均向内倾斜。6.一种硅转接板的互连测试方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:获取待测硅转接板上的测点形状、测点坐标及测点网络;S2:根据待测硅转接板上的测点形状、测点坐标及测点网络,设定...
【专利技术属性】
技术研发人员:潘鹏辉,吴道伟,李宝霞,刘建军,
申请(专利权)人:西安微电子技术研究所,
类型:发明
国别省市:
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