断电时的脏写入制造技术

本申请案涉及断电时的脏写入。描述用于断电时的脏写入的方法、系统及装置。在实例中，描述的技术可包含根据一或多个参数(例如，复位电流振幅)写入装置的存储器单元，其中每一存储器单元与存储元件相关联，所述存储元件存储基于与所述存储元件相关联的材料性质的值。另外，描述的技术可包含：在写入所述存储器单元之后识别所述装置的掉电的指示；及在所述装置的所述掉电之前基于识别所述装置的所述掉电的所述指示刷新所述存储器单元的部分。在一些情况中，刷新包含修改用于所述存储器单元的所述部分的写入操作的所述一或多个参数中的至少一者。少一者。少一者。

【技术实现步骤摘要】
断电时的脏写入
[0001]交叉参考
[0002]本专利申请案主萨尔帕特瓦里(Sarpatwari)等人在2019年8月19日申请的标题为“断电的脏写入(DIRTY WRITE ON POWER OFF)”的第16/544,669号美国专利申请案的优先权，所述美国专利申请案被转让给其受让人且以其全文引用方式明确并入本文中。


[0003]
涉及断电时的脏写入。

技术介绍

[0004]下文大体上涉及包含至少一个存储器装置的系统，且更明确来说，涉及增强经受电力循环的环境中的存储器装置性能。
[0005]存储器装置广泛用于在各种电子装置中存储信息，所述电子装置例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器及类似物。信息通过编程存储器装置的不同状态被存储。举例来说，二进制装置很多时候存储通常由逻辑1或逻辑0标示的两种状态中的一者。在其它装置中，可存储两种以上状态。为了存取经存储信息，装置的组件可读取或感测存储器装置中的至少一个经存储状态。为了存取信息，装置的组件可写入或编程存储器装置中的状态。
[0006]存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)及其它。存储器装置可为易失性或非易失性的。非易失性存储器(例如，FeRAM)可甚至在不存在外部电源的情况下维持其经存储逻辑状态达延长时段。易失性存储器装置(例如，DRAM)可在与外部电源断开时丢失其经存储状态。
[0007]改进存储器装置可包含增加存储器单元密度、提高读取/写入速度、提高可靠性、增加数据保留、降低电力消耗或降低制造成本等等。在一些应用中，存储器单元的材料特性或响应行为可随时间或在存在电力循环时改变，这会影响存储器装置的性能。

技术实现思路

[0008]描述一种方法。在一些实例中，所述方法可包含：根据一或多个参数写入装置的多个存储器单元，其中所述多个存储器单元中的每一者与存储元件相关联，所述存储元件存储至少部分基于与所述存储元件相关联的材料性质相关联的值；在写入所述多个存储器单元之后识别所述装置的掉电的指示；及在所述装置的所述掉电之前至少部分基于识别所述装置的所述掉电的所述指示刷新所述多个存储器单元的至少一子集，其中所述刷新包括修改用于所述多个存储器单元的所述至少所述子集的写入操作的所述一或多个参数中的至少一者。
[0009]描述一种设备。在一些实例中，所述设备可包含：存储器阵列，其包括多个存储器单元，所述多个存储器单元各自包括存储元件，所述存储元件存储至少部分基于与存储元件相关联的材料性质的值；电路，其与所述存储器阵列耦合且经配置以接收用于所述存储
器阵列的存取命令及根据至少部分基于所述存取命令的第一参数对所述多个存储器单元执行写入操作；及控制器，其与所述存储器阵列耦合且经配置以识别用于所述存储器阵列的供应电压将被移除的指示及在至少部分基于识别所述指示的所述供应电压的所述移除之前刷新所述多个存储器单元的至少一子集，其中所述刷新包括根据第二参数对所述多个存储器单元的所述至少所述子集执行写入操作。
[0010]描述一种设备。在一些实例中，所述设备可包含：存储器阵列，其包括多个存储器单元，所述多个存储器单元各自与存储元件相关联，所述存储元件存储至少部分基于与存储元件相关联的材料性质的变化的值；及控制部件，其与所述存储器阵列电子通信。所述控制部件可操作以将状态写入到所述多个存储器单元，其中所述写入包括施加第一信号以将所述多个存储器单元的第一存储器单元子集写入到第一状态及施加第二信号以将所述多个存储器单元的第二存储器单元子集写入到第二状态。
附图说明
[0011]图1说明根据本文中所揭示的实例的支持增强经受电力循环的环境中的存储器装置性能的存储器装置的实例。
[0012]图2说明根据本文中所揭示的实例的存储器装置中的阈值电压范围的曲线图。
[0013]图3A、3B及3C说明根据本文中所揭示的实例的支持增强经受电力循环的环境中的存储器装置性能的阈值电压漂移曲线图的实例。
[0014]图4说明根据本文中所揭示的实例的用于增强经受电力循环的环境中的存储器装置性能的过程流的实例。
[0015]图5A、5B及5C说明根据本文中所揭示的实例的用于增强经受电力循环的环境中的存储器装置性能的写入脉冲操作的实例。
[0016]图6展示根据本文中所揭示的实例的存储器装置的框图。
[0017]图7到9展示说明根据本文中所揭示的实例的一或多个方法的流程图。
具体实施方式
[0018]在一些存储器装置中，存储器单元架构可以可配置材料(例如，以材料的物理特性或性质)存储逻辑状态，所述材料例如硫属化物。举例来说，材料的不同材料特性或性质可基于写入或刷新操作的部分进行配置，且材料特性或性质方面的差异可在读取操作期间进行检测以区分存储器单元是被写入一种逻辑状态还是另一逻辑状态(例如，逻辑0或逻辑1)。在一些情况中，材料可为可配置的以在非晶状态(例如，复位状态)及结晶状态(例如，设置状态)之间改变相。
[0019]在一些实例中，由可配置材料存储的逻辑状态可基于一或多个参数，例如写入或刷新操作期间跨可配置材料的电压的极性或振幅或跨可配置材料的电流的方向或振幅。举例来说，经存储逻辑状态可基于给定存储器单元中的组分迁移或离析，其中材料中的一些成分(例如，离子、元素、化合物)朝向存储器单元的正偏置节点或电极迁移，或材料中的一些成分朝向存储器单元的负偏置节点或电极迁移，或两者。因此，在一些实例中，在写入或刷新操作期间至少部分基于存储器单元的节点之间的电压极性，可能遇到对应于逻辑状态的可配置材料的特定组分分布(例如，节点之间的各向异性)。在一些实例中，由可配置材料
存储的逻辑状态可至少部分基于在写入或刷新操作期间通过可配置材料施加的电流的方向，或跨可配置材料的电压的极性与在写入或刷新操作期间通过可配置材料施加的电流的方向的组合。
[0020]在一些实例中，用于编程的极性可伴随可配置材料的特定行为或特性，例如材料的阈值电压，其可用于检测由存储器单元存储的逻辑状态(例如，在读取操作中)。举例来说，写入或刷新操作的一个极性可与可配置材料的相对较高阈值电压相关联(例如，针对特定读取操作、针对特定读取电压)，而写入或刷新操作的另一极性可与可配置材料的相对较低阈值电压相关联(例如，针对特定读取操作、针对特定读取电压)。在此类实例中，响应于跨材料施加的读取电压的通过材料的电流的存在或缺乏可用于确定(例如，区分)存储器单元是被写入有一个极性还是另一极性，借此提供被写入到存储器单元的逻辑状态的指示。
[0021]在一些存储器应用中，处于复位状态中的存储器单元的阈值电压可随着时间迁移或漂移到更高电压。如果阈值电压迁移超过保留阈值，那么存储器单元可能不再能够在与编程设置状态相关联的编本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种方法，其包括：根据一或多个参数写入装置的多个存储器单元，其中所述多个存储器单元中的每一者与存储元件相关联，所述存储元件存储至少部分基于与所述存储元件相关联的材料性质的值；在写入所述多个存储器单元之后识别所述装置的掉电的指示；及在所述装置的所述掉电之前至少部分基于识别所述装置的所述掉电的所述指示刷新所述多个存储器单元的至少一子集，其中所述刷新包括修改用于所述多个存储器单元的所述至少所述子集的写入操作的所述一或多个参数中的至少一者。2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：在所述装置的所述掉电之后识别所述装置的加电；及至少部分基于识别所述装置的所述加电刷新所述多个存储器单元的所述至少所述子集，其中所述刷新包括根据所述一或多个参数写入所述多个存储器单元的所述至少所述子集。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述一或多个参数包括第一复位电流，且所述一或多个参数中的所述经修改至少一者包括低于所述第一复位电流的第二复位电流。4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：接收所述装置的所述掉电的所述指示，其中识别所述装置的所述掉电的所述指示是至少部分基于接收所述装置的所述掉电的所述指示。5.根据权利要求1所述的方法，其中：识别所述装置的所述掉电的所述指示包括识别所述装置的电力电平满足阈值。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个存储器单元的所述至少所述子集包括所述多个存储器单元的具有与第一状态相关联的对应值的存储器单元。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一状态对应于复位状态。8.根据权利要求6所述的方法，其中：刷新所述多个存储器单元的所述至少所述子集包括抑制写入所述多个存储器单元的具有与第二状态相关联的对应值的存储器单元。9.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个存储器单元中的每一存储元件包括可配置材料。10.根据权利要求1所述的方法，其中：修改用于所述写入操作的所述一或多个参数中的所述至少一者是至少部分基于所述装置的温度。11.一种设备，其包括：存储器阵列，其包括多个存储器单元，所述多个存储器单元各自包括存储元件，所述存储元件存储至少部分基于与所述存储元件相关联的材料性质的值；电路，其与所述存储器阵列耦合且经配置以接收用于所述存储器阵列的存取命令及根据至少部分基于所述存取命令的第一参数对所述多个存储器单元执行写入操作；及控制器，其与所述存储器阵列耦合且经配置以识别用于所述存储器阵列的供应电压将被移除的指示及在至少部分基于识别所述指示对所述供应电压的所述移除之前刷新所述多个存储器单元的至少一子集，其中所述刷新包括根据第二参数对所述多个存储器单元的
所述至少所述子集执行写入操作。12.根据权利要求11所述的设备，其中所述控制器进一步经配置以识别所述供应电压是在所述供应电压的所述移除之后...

【专利技术属性】
技术研发人员：K，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：