多路保护控制电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种多路保护控制电路，包括控制器、电陶炉加热控制电路、可控硅监测电路、电源电路、开关控制电路、用于与电陶炉发热盘相连的引脚DZ1、引脚DZ2，所述控制器分别与电陶炉加热控制电路、可控硅监测电路、开关控制电路相连，所述电陶炉加热控制电路上设有可控硅T1，所述开关控制电路上设有开关K1，所述电源电路包括电源输入端N、电源输入端L，所述电源输入端N通过可控硅T1与引脚DZ2相连，所述电源输入端L通过开关K1与引脚DZ1相连，所述可控硅监测电路上设有二极管D10，所述控制器通过可控硅监测电路与可控硅T1、引脚DZ2之间电路相连。当检测到可控硅击穿失效后，本实用新型专利技术的多路保护控制电路可立即关闭加热防止发生危险。发生危险。发生危险。

【技术实现步骤摘要】
多路保护控制电路


[0001]本技术涉及一种多路保护控制电路，特别是涉及一种检测可控硅击穿失效保护电路。

技术介绍

[0002]电陶炉作为一种加热电器，具有广泛的应用。现有电陶炉中采用可控硅作为大功率的驱动器件，控制电陶炉的加热。但电陶炉在加热过程中，电流较大，长时间使用后存在可控硅击穿的问题。而现有电路板方案无法识别可控硅击穿失效，导致电陶炉持续加热进而导致电陶炉晶板烧裂，甚至发生起火危险，易造成使用安全。

技术实现思路

[0003]本技术提供了一种多路保护控制电路，当检测到可控硅击穿失效后可立即关闭加热防止发生危险，以至少解决现有技术中电陶炉电路板无法识别可控硅击穿失效，导致电陶炉持续加热的问题。
[0004]本技术提供了一种多路保护控制电路，包括控制器、电陶炉加热控制电路、可控硅监测电路、电源电路、开关控制电路、用于与电陶炉发热盘相连的引脚DZ1、引脚DZ2，所述控制器分别与电陶炉加热控制电路、可控硅监测电路、开关控制电路相连，所述电陶炉加热控制电路上设有可控硅T1，所述开关控制电路上设有开关K1，所述电源电路包括电源输入端N、电源输入端L，所述电源输入端N通过可控硅T1与引脚DZ2相连，所述电源输入端L通过开关K1与引脚DZ1相连，所述可控硅监测电路上设有二极管D10，所述控制器通过可控硅监测电路与可控硅T1、引脚DZ2之间电路相连。
[0005]进一步地，所述控制器为MCU控制系统。
[0006]进一步地，所述可控硅监测电路上设有电阻R32、电阻R26、电阻R25、电阻R24，所述电阻R32、电阻R26、电阻R25、电阻R24依次串联或并联，所述控制器与电阻R32相连，所述电阻R24与二极管D10的输出端相连，所述二极管D10的输入端与可控硅T1、引脚DZ2之间电路相连。
[0007]更进一步地，所述可控硅监测电路上还设有电容C9、电阻R27，所述电容C9与电阻R27相连，所述电阻R32与电容C9、电阻R27组成的电路并联。
[0008]进一步地，所述电陶炉加热控制电路上设有电阻R11、半导体管Q2、电阻R3，所述控制器、电阻R11、半导体管Q2、电阻R3、可控硅T1依次相连，所述半导体管Q2为三极管或MOS管。
[0009]更进一步地，所述开关控制电路包括电阻R7、半导体管Q1、继电器、二极管D1，所述控制器、电阻R7、半导体管Q1、继电器依次相连，所述二极管D1与继电器并联，所述继电器与开关K1磁感连接，所述半导体管Q1还与电阻R11、半导体管Q2之间电路相连，所述半导体管Q1为三极管或MOS管。
[0010]更进一步地，所述半导体管Q1、半导体管Q2为三极管，所述半导体管Q1、半导体管
Q2均为NPN三极管，所述半导体管Q1的c端与继电器相连，所述半导体管Q1的b端与电阻R7相连，所述半导体管Q1的e端与电阻R11、半导体管Q2之间电路相连；所述半导体管Q2的c端与电阻R3相连，所述半导体管Q2的e端与电阻R11相连。
[0011]更进一步地，所述电陶炉加热控制电路、开关控制电路均与控制器的同一引脚相连。
[0012]本技术与现有技术相比，通过采用可控硅监测电路，在可控硅T1被击穿时，由于电压的变化，使可控硅监测电路向控制器发送的信号电平改变，实现对可控硅T1的监控，达到立即关闭加热防止发生危险的效果。
附图说明
[0013]图1为本技术实施例的电路图。
具体实施方式
[0014]为了使本
的人员更好地理解本技术方案，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本技术保护的范围。
[0015]需要说明的是，本技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。
[0016]本技术实施例公开了一种多路保护控制电路，如图1所示，包括控制器、电陶炉加热控制电路、可控硅监测电路、电源电路、开关控制电路、用于与电陶炉发热盘相连的引脚DZ1、引脚DZ2，所述控制器分别与电陶炉加热控制电路、可控硅监测电路、开关控制电路相连，所述电陶炉加热控制电路上设有可控硅T1，所述开关控制电路上设有开关K1，所述电源电路包括电源输入端N、电源输入端L，所述电源输入端N通过可控硅T1与引脚DZ2相连，所述电源输入端L通过开关K1与引脚DZ1相连，所述可控硅监测电路上设有二极管D10，所述控制器通过可控硅监测电路与可控硅T1、引脚DZ2之间电路相连。
[0017]其中，电源输入端N的电压为18V。
[0018]可选的，如图1所示，所述控制器为MCU控制系统。
[0019]可选的，如图1所示，所述可控硅监测电路上设有电阻R32、电阻R26、电阻R25、电阻R24，所述电阻R32、电阻R26、电阻R25、电阻R24依次串联，所述控制器与电阻R32相连，所述电阻R24与二极管D10的输出端相连，所述二极管D10的输入端与可控硅T1、引脚DZ2之间电路相连。
[0020]特别的，如图1所示，所述可控硅监测电路上还设有电容C9、电阻R27，所述电容C9与电阻R27相连，所述电阻R32与电容C9、电阻R27组成的电路并联。
[0021]可选的，如图1所示，所述电陶炉加热控制电路上设有电阻R11、半导体管Q2、电阻R3，所述控制器、电阻R11、半导体管Q2、电阻R3、可控硅T1依次相连，所述半导体管Q2为三极管或MOS管。
[0022]特别的，如图1所示，所述开关控制电路包括电阻R7、半导体管Q1、继电器、二极管
D1，所述控制器、电阻R7、半导体管Q1、继电器依次相连，所述二极管D1与继电器并联，所述继电器与开关K1磁感连接，所述半导体管Q1还与电阻R11、半导体管Q2之间电路相连，所述半导体管Q1为三极管或MOS管。
[0023]特别的，如图1所示，所述半导体管Q1、半导体管Q2均为NPN三极管，所述半导体管Q1的c端与继电器相连，所述半导体管Q1的b端与电阻R7相连，所述半导体管Q1的e端与电阻R11、半导体管Q2之间电路相连；所述半导体管Q2的c端与电阻R3相连，所述半导体管Q2的e端与电阻R11相连。
[0024]特别的，如图1所示，所述电陶炉加热控制电路、开关控制电路均与控制器的同一引脚相连。
[0025]在工作时：继电器控制开关K1，使电源输入L与DZ1端相连通，电源输入N通过可控硅T1与DZ2端相连通，由MCU控制系统控制可控硅T1，实现对电陶炉发热盘1开启或关闭加热的调节；当可控硅T1击穿失效时，可控硅T1两端近似短路，电源输入N(18V)流经二极管D10、分压电阻R24、R25、R26、R27并在R27两端产生本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.多路保护控制电路，其特征在于，所述多路保护控制电路包括控制器、电陶炉加热控制电路、可控硅监测电路、电源电路、开关控制电路、用于与电陶炉发热盘相连的引脚DZ1、引脚DZ2，所述控制器分别与电陶炉加热控制电路、可控硅监测电路、开关控制电路相连，所述电陶炉加热控制电路上设有可控硅T1，所述开关控制电路上设有开关K1，所述电源电路包括电源输入端N、电源输入端L，所述电源输入端N通过可控硅T1与引脚DZ2相连，所述电源输入端L通过开关K1与引脚DZ1相连，所述可控硅监测电路上设有二极管D10，所述控制器通过可控硅监测电路与可控硅T1、引脚DZ2之间电路相连。2.根据权利要求1所述多路保护控制电路，其特征在于，所述控制器为MCU控制系统。3.根据权利要求1所述多路保护控制电路，其特征在于，所述可控硅监测电路上设有电阻R32、电阻R26、电阻R25、电阻R24，所述电阻R32、电阻R26、电阻R25、电阻R24依次串联或并联，所述控制器与电阻R32相连，所述电阻R24与二极管D10的输出端相连，所述二极管D10的输入端与可控硅T1、引脚DZ2之间电路相连。4.根据权利要求3所述多路保护控制电路，其特征在于，所述可控硅监测电路上还设有电容C9、电阻R27，所述电容C9与电阻R2...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨国芳，徐鹏翀，钟石刚，吕文灿，
申请(专利权)人：中山市翰林电器有限公司，
类型：新型
国别省市：