研磨用组合物制造技术

本发明专利技术提供即使不显著降低研磨速率也能够改善基板的平坦性的研磨方法。更具体而言，本发明专利技术提供一种研磨用组合物，其是含有无机粒子、水和水溶性高分子的研磨用组合物，其中，所述水溶性高分子为(i)1质量(wt/wt)％水溶液在剪切速率10000(1/S)下的法向应力(N)为1以上的水溶性高分子、或者(ii)0.25质量(wt/wt)％水溶液在剪切速率10000(1/S)下的法向应力(N)为1以上的水溶性高分子。为1以上的水溶性高分子。为1以上的水溶性高分子。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】研磨用组合物


[0001]本专利技术涉及研磨用组合物等。

技术介绍

[0002]在作为用于形成集成电路的基材使用的半导体晶片等的镜面加工中，通常采用使含有二氧化硅类、二氧化铈类等无机磨粒的研磨用浆料流入研磨布或研磨垫与半导体晶片等被研磨物之间而进行化学和机械研磨的方法(化学机械研磨；以下有时称为CMP)。
[0003]在利用CMP进行的研磨中，要求表面平滑化、高研磨速率等。特别是随着半导体装置的微细化或集成电路的高度集成化等，对半导体晶片等的基板要求更高水平的表面缺陷减少和平坦性。
[0004]为了实现表面缺陷减少和更高的平坦性，提出了用含有水溶性高分子的研磨用组合物对基板表面进行研磨的方案。例如，提出了含有分子量10万以上的水溶性高分子的研磨用组合物(专利文献1)、含有纤维素衍生物或聚乙烯醇的研磨用组合物(专利文献2)等。但是，为了改善基板的平坦性，需要降低研磨速率，因此存在研磨效率降低的问题。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特开平2-158684号公报
[0008]专利文献2：日本特开平11-116942号公报

技术实现思路

[0009]专利技术所要解决的问题
[0010]本专利技术人的目的在于，通过将特定的高分子用于研磨，提供即使不显著降低研磨速率也能够改善基板的平坦性的研磨用组合物。
[0011]用于解决问题的方法
[0012]本专利技术人发现，通过使用含有无机粒子、水和特定的水溶性高分子的组合物对基板进行研磨，能够理想地降低基板的表面粗糙度，并进一步反复进行了改良。
[0013]本专利技术包含例如下述项中记载的主题。
[0014]项1.
[0015]一种研磨用组合物(优选为集成电路形成用基板研磨用组合物)，其是含有无机粒子、水和水溶性高分子的研磨用组合物，其中，
[0016]上述水溶性高分子为1质量(wt/wt)％水溶液在剪切速率10000(1/S)下的法向应力(N)为1以上的水溶性高分子。
[0017]项2.
[0018]一种研磨用组合物(优选为集成电路形成用基板研磨用组合物)，其是含有无机粒子、水和水溶性高分子的研磨用组合物，其中，
[0019]上述水溶性高分子为0.25质量(wt/wt)％水溶液在剪切速率10000(1/S)下的法向
应力(N)为1以上的水溶性高分子。
[0020]项3.
[0021]如项1所述的研磨用组合物，其是含有无机粒子、水和水溶性高分子的研磨用组合物，其中，
[0022]上述水溶性高分子为1质量(wt/wt)％水溶液在剪切速率10000(1/S)下的法向应力(N)为1以上的、羟乙基纤维素、聚环氧乙烷或它们的组合。
[0023]项4.
[0024]如项2所述的研磨用组合物，其是含有无机粒子、水和水溶性高分子的研磨用组合物，其中，
[0025]上述水溶性高分子为0.25质量(wt/wt)％水溶液在剪切速率10000(1/S)下的法向应力(N)为1以上的、羟乙基纤维素、聚环氧乙烷或它们的组合。
[0026]专利技术效果
[0027]本专利技术提供即使不显著降低研磨速率也能够改善基板的平坦性的研磨方法。
附图说明
[0028]图1示出用于在研磨基板时测定研磨量、以及研磨速率和平坦性的测定点(39个点)。
具体实施方式
[0029]以下，进一步详细地对本专利技术中包含的各实施方式进行说明。本专利技术优选包含研磨组合物及其制造方法等，但并不限定于此，本专利技术包含本说明书中所公开的、本领域技术人员能够认识到的全部内容。
[0030]本专利技术所包含的研磨用组合物含有无机粒子、水和特定的水溶性高分子。以下，有时将该研磨用组合物记为“本专利技术的研磨用组合物”。
[0031]该特定的水溶性高分子是1质量(wt/wt)％水溶液在剪切速率10000(1/S)下的法向应力为1以上的水溶性高分子(以下，有时将该水溶性高分子记为“水溶性高分子(i)”)。另外，该水溶性高分子也可以是0.25质量(wt/wt)％水溶液在剪切速率10000(1/S)下的法向应力为1以上的水溶性高分子(以下，有时将该水溶性高分子记为“水溶性高分子(ii)”)。另外，有时将水溶性高分子(i)和(ii)统称为“本专利技术的水溶性高分子”。
[0032]本专利技术的水溶性高分子是在制成特定浓度的水溶液时在剪切速率10000(1/S)下的法向应力为1以上的水溶性高分子。水溶性高分子(i)的该特定浓度为1质量(wt/wt)％，水溶性高分子(ii)的该特定浓度为0.25质量(wt/wt)％。另外，本说明书中，只要没有特别说明，质量％表示(wt/wt)％。另外，剪切速率10000(1/S)下的法向应力通过利用流变仪对上述浓度的水溶性高分子水溶液进行测定(在40mmφ平行板、间隙100μm、25℃的条件下对剪切速率0.01～10000(1/s)的范围测定稳态粘度)而求出。
[0033]水溶性高分子(i)的1质量％水溶液在剪切速率10000(1/S)下的法向应力(N)优选为约1～约5000，更优选为约20～约4000。该范围的下限例如可以为约30、40、50、60、70、80、90、100、110、120、130、140、150、160、170、180、190、200、210、220、230、240或250。另外，该范围的上限例如可以为约3500、3000、2500、2000、1500或1000。
[0034]水溶性高分子(ii)的0.25质量％水溶液在剪切速率10000(1/S)下的法向应力(N)优选为约1～约8000，更优选为约1000～约7000。该范围的下限例如可以为约1500、2000、2500、3000、3500或4000。另外，该范围的上限例如可以为约6500或6000。
[0035]作为水溶性高分子(i)，更具体而言，优选例如1质量(wt/wt)％水溶液在剪切速率10000(1/S)下的法向应力(N)为1以上的羟乙基纤维素、聚环氧乙烷或它们的组合。有时将该水溶性高分子记为“水溶性高分子(ia)”。
[0036]另外，作为水溶性高分子(ii)，更具体而言，优选例如0.25质量(wt/wt)％水溶液在剪切速率10000(1/S)下的法向应力(N)为1以上的羟乙基纤维素、聚环氧乙烷或它们的组合。有时将该水溶性高分子记为“水溶性高分子(iia)”。
[0037]作为相当于水溶性高分子(ia)的羟乙基纤维素，可以列举例如CF-V、CF-W、CF-X和CF-Y(以上为住友精化株式会社制造)、Natrosol系列(Ashland公司制造)(例如Natrosol 250)、Cellosize QP系列、WP系列、ER系列(DOW公司制造)、Tylose系列(信越化学工业制造)(例如H6000YP2、H4000P2)以及SE600(大赛璐精细化工株式会社制造)等。另外，作为相当于水本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种研磨用组合物，其是含有无机粒子、水和水溶性高分子的研磨用组合物，其中，所述水溶性高分子为1质量(wt/wt)％水溶液在剪切速率10000(1/S)下的法向应力(N)为1以上的水溶性高分子。2.一种研磨用组合物，其是含有无机粒子、水和水溶性高分子的研磨用组合物，其中，所述水溶性高分子为0.25质量(wt/wt)％水溶液在剪切速率10000(1/S)下的法向应力(N)为1以上的水溶性高分子。3.如权利要求1所述的研磨用组合物，其是含有无...

【专利技术属性】
技术研发人员：增田刚，西口英明，
申请(专利权)人：住友精化株式会社，
类型：发明
国别省市：