在选择性蚀刻工艺中提高选择性的方法技术

处理方法包括以蚀刻剂蚀刻金属氮化物层。蚀刻剂可例如为WCl5、WOCl4或TaCl5。也公开了改善蚀刻工艺选择性的方法。善蚀刻工艺选择性的方法。善蚀刻工艺选择性的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在选择性蚀刻工艺中提高选择性的方法


[0001]本公开内容涉及蚀刻薄膜的方法。特别地，本公开内容涉及用于金属栅极应用的选择性蚀刻金属氮化物膜的工艺。

技术介绍

[0002]半导体产业迅速地发展具有越来越小晶体管尺寸的芯片以获得每单位面积更多的功能性。随着器件尺寸持续缩减，器件之间的间隙/空间也持续缩减，增加了将器件与另一器件实体上隔离的困难度。对于以包括间隙填充、硬掩模与间隔物应用的现存方法实施而言，在器件之间的高深宽比沟槽/空间/间隙中的以高质量介电材料通常成形为不规则形状的填充变得极具挑战。
[0003]通过在基板表面上产生复杂图案化材料层的工艺而能够制造集成电路。在基板上产生图案化材料需要用于移除暴露材料的受控方法。通常具有蚀刻一种材料快于另一种材料的蚀刻工艺是有用的。据说此蚀刻工艺为对于第一材料为选择性。由于材料、电路与工艺的多样性，已经发展出选择性移除广泛范围材料的一或多种材料的蚀刻工艺。
[0004]金属氮化物(例如，TaN与TiN)广泛地使用在金属栅极作为高k及n型金属封顶(capping)、p型金属、或蚀刻中止层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种蚀刻方法，包含：提供基板，所述基板上具有金属氮化物膜，所述金属氮化物膜包含第一金属的原子与氮原子；及将所述金属氮化物膜暴露于蚀刻剂与氢气的协流以蚀刻所述金属氮化物膜，所述蚀刻剂具有实验式，所述实验式包含第二金属的一或多个原子、氧的一或多个原子、及卤素的一或多个原子。2.如权利要求1所述的方法，其中所述金属氮化物膜包含TaN或TiN。3.如权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻剂实质上不包含等离子体。4.如权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻剂中卤素的所述一或多个原子基本上由氯组成。5.如权利要求1所述的方法，其中所述第一金属与所述第二金属是不同的。6.如权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻剂基本上由WOCl4组成。7.如权利要求1所述的方法，其中实质上无第二金属沉积在所述基板上。8.如权利要求1所述的方法，其中所述金属氮化物膜包含TaN及所述基板进一步包含TiN膜，且蚀刻所述金属氮化物膜的步骤移除相较于所述TiN膜更大厚度的所述金属氮化物膜。9.一种选择性蚀刻方法，包含：提供基板，所述基板包含TaN材料与TiN材...

【专利技术属性】
技术研发人员：张闻宇，杨逸雄，马里奥，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：