恒压发生电路制造技术

恒压发生电路(1A、1B)具备：运算放大器，具有反馈电路(10A、10B)，所述反馈电路(10A、10B)具有第1电阻(R11)并产生将恒压发生电路(1A、1B)的输出端子(T3)与基板电位之间的输出电压(Vout)通过第1电阻(R11)和第2电阻(R12)分压而成的反馈电压(Vfb)，该运算放大器将基准电压(Vref)与反馈电压(Vfb)的电压差放大而输出控制电压；以及输出晶体管(M11)，基于来自运算放大器的控制电压，对输出电压(Vout)进行控制。反馈电路(10A、10B)被构成为，还使来自基板电位的高频噪声成分重叠。电位的高频噪声成分重叠。电位的高频噪声成分重叠。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】恒压发生电路


[0001]本专利技术涉及例如包含具有反馈电路的差动放大电路的恒压发生电路。

技术介绍

[0002]报告有若将高频的电波向集成电路(以下，称为IC)照射，则该电波的噪声被施加给IC的端子，并引起误动作。在包含具有一般的反馈电路的差动放大电路的恒压发生电路中，反馈系统的环路频率是几百kHz，即使能够进行高速动作，也是几MHz左右。
[0003]报告有当在所述恒压发生电路的反馈电路中，环路频带外的高频交流信号被输入，并在该差动放大电路的反相输入与同相输入中传输的交流信号的振幅产生了差的情况下，被变换为直流偏移电压。已知这与IC的误动作相关联。

技术实现思路

[0004]专利技术要解决的课题
[0005]然而，在包含具有反馈电路的差动放大电路的恒压发生电路中，当电源、接地电位、或者在输出中重叠了噪声时，由于该差动放大电路的反相输入和同相输入所相连的元件的阻抗的不同，因而在反相输入和同相输入中产生传输的噪声振幅的差，作为结果，呈现为直流偏移，存在引起动作故障的问题。
[0006]此外，特别地，当为了确保反馈系统的稳定性，在差动放大电路的反馈电路中使用相位补偿电容的情况下，在基板电位、电源、或者在输出中重叠高频噪声成分的情况下，可能使抗噪声性大幅劣化。
[0007]本专利技术的目的在于，解决以上的问题点，提供一种恒压发生电路，在包含具有反馈电路的差动放大电路的恒压发生电路中，即使在被输入反馈电路的环路频带外的高频噪声成分的情况下，也能够防止发生直流偏移。
[0008]用于解决课题的手段
[0009]本专利技术的一个方式所涉及的恒压发生电路的特征在于，具备：
[0010]运算放大器，具有反馈电路，所述反馈电路具有第1电阻并产生将恒压发生电路的输出端子与基板电位之间的输出电压通过所述第1电阻和第2电阻分压而成的反馈电压，该运算放大器将规定的基准电压与所述反馈电压的电压差放大而输出控制电压；以及
[0011]输出晶体管，基于来自所述运算放大器的控制电压，对输出电压进行控制，
[0012]所述反馈电路被构成为，还使来自所述基板电位的高频噪声成分重叠。
[0013]专利技术的效果
[0014]因此，根据本专利技术所涉及的恒压发生电路，即使在包含具有反馈电路的差动放大电路的恒压发生电路中，在反馈电路的环路频带外的高频噪声成分被输入的情况下，也能够防止直流偏移发生。
附图说明
[0015]图1是表示比较例所涉及的恒压发生电路1的结构的电路图。
[0016]图2是图1的恒压发生电路1的详细电路图。
[0017]图3是表示在图2的恒压发生电路1中的噪声路径P1、P2的小信号等效电路图。
[0018]图4是表示在图3的恒压发生电路1中的基板噪声电压Vn的噪声路径P2的小信号等效电路图。
[0019]图5是表示实施方式1所涉及的恒压发生电路1A的结构例的电路图。
[0020]图6是表示在图5的恒压发生电路1A中的噪声路径P1、P2的小信号等效电路图。
[0021]图7是表示在图6的恒压发生电路1A中的基板噪声电压Vn的噪声路径P2的小信号等效电路图。
[0022]图8是表示当在图6的恒压发生电路1A中基板噪声电压Vn的频率为规定条件时的、基板噪声电压Vn的噪声路径P2的小信号等效电路图。
[0023]图9是图6的恒压发生电路1A的相位补偿电路的电路图。
[0024]图10是表示实施方式2所涉及的恒压发生电路1B的结构例的电路图。
[0025]图11是表示在图10的恒压发生电路1B中的噪声路径P1、P2的小信号等效电路图。
[0026]图12是表示在图10的恒压发生电路1B中的基板噪声电压Vn的噪声路径P2的小信号等效电路图。
[0027]图13是表示关于实施例以及现有例的恒压发生电路的电波照射试验的实验结果，是表示输出电压Vout的频率特性的图表。
具体实施方式
[0028]以下，参照附图对比较例以及本专利技术所涉及的实施方式进行说明。此外，在以下的比较例以及各实施方式中，针对同样的结构要素赋予同一标号。
[0029](比较例)
[0030]首先，以下对比较例的结构以及动作、特别是直流偏移(offset)的发生进行说明。
[0031]图1是表示比较例所涉及的恒压发生电路1的结构的电路图，图2是图1的恒压发生电路1的详细电路图。在图1中，恒压发生电路1具有输入端子T1、接地端子T2、以及输出端子T3。恒压发生电路1具备基准电压发生电路2、所谓的运算放大器(差动放大器)即运算放大器3、P沟道MOS晶体管M11、反馈电路10、以及电阻R12而构成。这里，反馈电路10是分压电阻R11与电容器C11的并联电路。
[0032]在图1中，在输入端子T1与输出端子T3之间，连接有驱动晶体管或者输出晶体管即MOS晶体管M11，接地端子T2被接地。在输出端子T3与接地端子T2之间，连接有分压电阻R11以及R12的串联电路，分压电压Vfb从电阻R11与R12的连接部作为反馈电压而被输出到运算放大器3的同相输入端子。运算放大器3的输出端子与MOS晶体管M11的栅极连接，MOS晶体管M11的源极与输入端子T1连接，其漏极对输出电压Vout进行输出，并与输出端子T3以及反馈电路10的一端连接。此外，在反馈电压Vfb与输出电压Vout之间，连接有相位补偿电容即电容器C11。
[0033]基准电压发生电路2基于输入端子T1以及接地端子T2间的电压来发生规定的基准电压Vref，并输出给运算放大器3的反相输入端子。
[0034]在图2的基准电压发生电路2中，MOS晶体管M17的源极与接地端子T2连接，MOS晶体管M17的栅极与漏极连接。MOS晶体管M18的漏极与输入端子T1连接，MOS晶体管M18的源极与栅极被连接到MOS晶体管M17的栅极与源极。这里，将MOS晶体管M17的栅极与源极的连接点的电压作为基准电压Vref而输出给运算放大器的同相输入端子。
[0035]在构成运算放大器3的反相输入端子的MOS晶体管M13的栅极，被输入基准电压Vref；在构成运算放大器3的同相输入端子的MOS晶体管M14的栅极，被输入分压电压Vfb。MOS晶体管M13以及M14形成差动对，MOS晶体管M15以及M16形成电流反射镜电路而构成该差动对的负载。
[0036]此外，在MOS晶体管M15以及M16中，各源极分别与被输入的输入端子T1连接，各栅极相互连接，该栅极的连接部与MOS晶体管M16的漏极连接。此外，MOS晶体管M16的漏极与MOS晶体管M14的漏极连接，MOS晶体管M15的漏极与MOS晶体管M13的漏极连接，该各漏极构成运算放大器3的输出端子而将输出电压Vo1输出给驱动晶体管M11的栅极。
[0037]MOS晶体管M13以及M14的各源极相互连接，并与MOS晶体管M12的漏极连接，在MOS晶体管M12的栅极施加偏压Vbias1，MOS晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种恒压发生电路，其特征在于，具备：运算放大器，具有反馈电路，所述反馈电路具有第1电阻并产生将恒压发生电路的输出端子与基板电位之间的输出电压通过所述第1电阻和第2电阻分压而成的反馈电压，该运算放大器将规定的基准电压与所述反馈电压的电压差放大而输出控制电压；以及输出晶体管，基于来自所述运算放大器的控制电压，对输出电压进行控制，所述反馈电路被构成为，还使来自所述基板电位的高频噪声成分重叠。2.根据权利要求1所述的恒压发生电路，其特征在于，所述反馈电路通过使来自所述基板电位的高频噪声成分重叠，使在所述运算放大器的反相输入和同相输入中传输的各噪声振幅实质上一致。3.根据权利要求1或2所述的恒压发生...

【专利技术属性】
技术研发人员：日野高宏，
申请(专利权)人：理光微电子株式会社，
类型：发明
国别省市：