一种In-cell触控基板制造技术

本实用新型专利技术公布一种In

【技术实现步骤摘要】
一种In-cell触控基板


[0001]本技术涉及显示面板
，尤其涉及一种In-cell触控基板。

技术介绍

[0002]现有的In-Cell技术是指将触摸面板功能嵌入到液晶像素中的方法，从而实现触摸面板部件与液晶面板一体化的设计。如已规模化应用于量产中的Mid-com In-cell技术，相较于Out cell的设计，所带来的最大优势就在于屏幕的轻薄化。在制程方面，In-cell技术仅仅只是增加了VA(无机层)和CM(触控金属层)两个Layer。然而，在实际的量产过程中发现，In-cell技术中膜层的增加会影响器件的良率，如最上层的像素电极(在图1中的标号为14) 往往需要通过多道绝缘层的通孔与TFT器件的漏极(或者源极)相连接，结构如图1所示，从而对两电极之间的存储电容进行充电。而增加的膜层极易使绝缘层上的通孔的孔深变大，增加了像素电极断裂的风险。

技术实现思路

[0003]为此，需要提供一种In-cell触控基板，解决采用In-Cell技术制作的触控面板中像素电极容易断裂的问题。
[0004]为实现上述目的，本实施例提供了一种In-cell触控基板，包括：
[0005]在基板上设置有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源极、漏极和第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述源极和所述漏极；
[0006]在第一绝缘层上设置有有机平坦层，所述有机平坦层上设置有第一孔，所述第一绝缘层上设置有第二孔，所述第二孔的孔底为所述源极或者所述漏极，所述第一孔连通到第二孔；
[0007]在有机平坦层上设置有搭接金属层和触控金属层，所述搭接金属层通过所述第二孔连接所述源极或者所述漏极，触控金属层位于所述第一孔的一侧；
[0008]在触控金属层和搭接金属层上设置有第二绝缘层；
[0009]在第二绝缘层上设置有公共电极，所述公共电极通过第二绝缘层上的孔连接触控金属层；
[0010]在公共电极上设置有第三绝缘层；
[0011]在所述第三绝缘层上设置有像素电极，第三绝缘层上设置有第三孔，第三孔贯穿第二绝缘层且第三孔的孔底为搭接金属层，所述像素电极通过第三孔连接所述搭接金属层。
[0012]进一步地，所述第二孔的形状与第三孔的形状相同。
[0013]进一步地，所述薄膜晶体管为底栅结构，所述薄膜晶体管还包括栅极、栅极绝缘层和有源层；
[0014]所述栅极设置在所述基板上，所述栅极绝缘层设置在所述栅极上，所述有源层设置在所述栅极绝缘层上，且所述有源层位于所述栅极的上方，所述源极和所述漏极分别设
置在所述有源层上。
[0015]进一步地，所述像素电极为ITO。
[0016]区别于现有技术，上述技术方案中，第三孔的深度比现有技术中第三孔的深度浅得多。第三孔过深会导致像素电极位于孔内的长度变长，像素电极容易发生断裂，而本申请可以减小像素电极因为第三孔过深而发生断裂的风险，另一方面增加了器件的良率，赋予器件更强的竞争优势。
附图说明
[0017]图1为
技术介绍
所述触控基板的剖面结构示意图；
[0018]图2为本实施例在基板上制作薄膜晶体管的剖面结构示意图；
[0019]图3为本实施例在基板上制作有机平坦层的剖面结构示意图；
[0020]图4为本实施例在基板上制作第二孔的剖面结构示意图；
[0021]图5为本实施例在基板上制作搭接金属层和触控金属层的剖面结构示意图；
[0022]图6为本实施例在基板上制作第二绝缘层的剖面结构示意图；
[0023]图7为本实施例在基板上制作公共电极的剖面结构示意图；
[0024]图8为本实施例在基板上制作第三绝缘层的剖面结构示意图；
[0025]图9为本实施例在基板上制作像素电极的剖面结构示意图；
[0026]图10为本实施例所述第三孔的剖面结构示意图。
[0027]附图标记说明：
[0028]1、基板；
[0029]2、栅极；
[0030]3、栅极绝缘层；
[0031]4、有源层；
[0032]5、源极；
[0033]6、漏极；
[0034]7、第一绝缘层；
[0035]71、第二孔；
[0036]8、有机平坦层；
[0037]81、第一孔；
[0038]9、触控金属层；
[0039]10、搭接金属层；
[0040]11、第二绝缘层；
[0041]12、公共电极；
[0042]13、第三绝缘层；
[0043]131、第三孔；
[0044]14、像素电极。
具体实施方式
[0045]为详细说明技术方案的
技术实现思路
、构造特征、所实现目的及效果，以下结合具体实
施例并配合附图详予说明。
[0046]请参阅图1至图10，本实施例提供一种In-cell触控基板1制作方法，包括如下步骤：在基板1上制作薄膜晶体管；所述薄膜晶体管(Thin FilmTransistor,TFT)作为开关来控制线路的导通与否。所述薄膜晶体管包括源极5、漏极6和第一绝缘层7，所述第一绝缘层7覆盖所述源极5和所述漏极 6，所述第一绝缘层7在薄膜晶体管的最上方，用于保护薄膜晶体管免受水汽和氧气的入侵，让TFT器件维持较好的稳定性，结构如图2所示。要说明的是，所述基板1可以为玻璃基板1、塑料基板1或者其他现有的基板。
[0047]所述基板1会因薄膜晶体管层的制备而呈现凹凸不平，为了平坦化TFT 器件表面，制作有机平坦层8；在第一绝缘层7上制作有机平坦层8，有机平坦层8覆盖第一绝缘层7，结构如图3所示。有机平坦层8主要为有机材料，可以采用化学气相沉积法或者其它类似的方式来成膜有机平坦层8。
[0048]有机平坦层8制作完毕后，在有机平坦层8上制作第一孔81，第一孔81 处用于制作搭接金属层10；具体的，在基板1上涂布一层光阻，光阻会覆盖上方的有机平坦层8。使用光罩图形化光阻，即依次曝光光阻和显影光阻，使得要制作第一孔81的部位的光阻开口，然后以光阻为掩膜蚀刻有机平坦层8 至第一绝缘层7，形成所述第一孔81，结构如图3所示。第一孔81制作完毕后清除光阻，第一孔81的孔底为第一绝缘层7，且第一孔81位于所述源极5 或者所述漏极6的区域上方，是因为第一孔81要连通到所述源极5(或者漏极)。要说明的是，所述第一孔81的横截面形状如圆形、方形、三角形、椭圆形或者多边形等。
[0049]第一孔81制作完毕后，在第一孔81中的第一绝缘层7上制作第二孔71；第二孔71的制作步骤如第一孔81的制作步骤相同，也是经过涂布光阻，利用光罩对光阻进行曝光，然后图形化光阻，使得要制作第二孔71部位的光阻开口。而后以光阻为掩膜蚀刻第一绝缘层7至源极5(或者所述漏极6)，形成第二孔71，结构如图4所示。在第二孔71制作完毕后，清除光阻。第二孔 71的孔底为所述源极5(或者所述漏极)，第一孔81和第二孔71相连通，作为搭接金本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种In-cell触控基板，其特征在于，包括：在基板上设置有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源极、漏极和第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述源极和所述漏极；在第一绝缘层上设置有有机平坦层，所述有机平坦层上设置有第一孔，所述第一绝缘层上设置有第二孔，所述第二孔的孔底为所述源极或者所述漏极，所述第一孔连通到第二孔；在有机平坦层上设置有搭接金属层和触控金属层，所述搭接金属层通过所述第二孔连接所述源极或者所述漏极，触控金属层位于所述第一孔的一侧；在触控金属层和搭接金属层上设置有第二绝缘层；在第二绝缘层上设置有公共电极，所述公共电极通过第二绝缘层上的孔连接触控金属层；在公共电极上设置有第三绝缘层；在所述第三绝缘层上设置有像素...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟，黄志杰，苏智昱，
申请(专利权)人：福建华佳彩有限公司，
类型：新型
国别省市：