一种超低空载功耗快速充电器制造技术

本实用新型专利技术公开一种超低空载功耗快速充电器，其包括AC输入端、EMI滤波单元、输入整流滤波单元、变压器单元、输出整流滤波单元、DC输出端、启动电路单元、PWM主控单元、主开关管单元、稳压电路单元，该稳压电路单元包括有与变压器单元连接的第一二极管、与该第一二极管连接的第一MOS管以及并联连接于该第一二极管两端的第一电容和连接于该第一MOS管的G极和S极的第一电解电容，第一MOS管的G极接地，第一MOS管的D极连接第一二极管的阴极，该第一二极管的阳极与变压器单元连接，第一MOS管的S极和启动电路单元均连接PWM主控单元中PWM主控芯片的同一个引脚；第一MOS管为超高阈值电压耗尽型MOS管。型MOS管。型MOS管。

【技术实现步骤摘要】
一种超低空载功耗快速充电器

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[0001]本技术涉及充电
，特指一种超低空载功耗快速充电器。

技术介绍
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[0002]目前大多小功率开关电源，平均效率能满足欧洲能源之星要求，但空载功率却达不到欧洲能源之星的要求，目前家电类小于5W的电源的空载功率要求小于75mW,而在实际批量生产中则有相当比例空载功率达不到要求。
[0003]有鉴于此，本专利技术人提出以下技术方案。

技术实现思路
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[0004]本技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种超低空载功耗快速充电器。
[0005]为了解决上述技术问题，本技术采用了下述技术方案：该超低空载功耗快速充电器包括依次连接的AC输入端、EMI滤波单元、输入整流滤波单元、变压器单元以及输出整流滤波单元、与该输入整流滤波单元连接的DC输出端、与该输入整流滤波单元连接的启动电路单元、与该启动电路单元连接的PWM主控单元、连接于该PWM主控单元与变压器单元之间的主开关管单元、与该变压器单元连接并为PWM主控单元提供稳定电压的稳压电路单元，该稳压电路单元包括有与变压器单元连接的第一二极管、与该第一二极管连接的第一MOS管以及并联连接于该第一二极管两端的第一电容和连接于该第一MOS管的G极和S极的第一电解电容，该第一MOS管的G极接地，该第一MOS管的D极连接第一二极管的阴极，该第一二极管的阳极与变压器单元连接，该第一MOS管的S极和启动电路单元均连接所述PWM主控单元中PWM主控芯片的同一个引脚；所述第一MOS管为超高阈值电压耗尽型MOS管。
[0006]进一步而言，上述技术方案中，所述第一MOS管型号为DMZ0615E；所述PWM主控芯片的型号为IW1760。
[0007]进一步而言，上述技术方案中，所述第一二极管的阳极还连接电阻R17和电阻R18后接地，且该电阻R17和电阻R18之间的连接线连接所述PWM主控芯片；所述第一二极管的阳极还连接电阻R15和电阻R16后接地，且该电阻R15和电阻R16之间的连接线连接所述PWM主控芯片。
[0008]进一步而言，上述技术方案中，所述启动电路单元包括有第二MOS管Q2、与该第二MOS管Q2的D极连接的电阻R25和电阻R1、与该第二MOS管Q2的S极连接的电阻R13，该第二MOS管Q2的G极连接所述PWM主控芯片，该电阻R1连接所述输入整流滤波单元，该电阻R13连接所述PWM主控芯片及第一MOS管的S极；所述第二MOS管Q2为超高阈值电压耗尽型MOS管。
[0009]进一步而言，上述技术方案中，所述第二MOS管Q2的型号为CSF501D。
[0010]进一步而言，上述技术方案中，所述变压器单元包括有与该输入整流滤波单元连接的吸收回路单元和与该吸收回路单元连接的变压器，该变压器连接所述第一二极管的阳极，该吸收回路单元和变压器均连接所述主开关管单元。
[0011]进一步而言，上述技术方案中，所述主开关管单元包括有主开关管以及与该主开关管的G极依次连接的电阻R23和二极管D3，该电阻R23和二极管D3两端并联连接有电阻R24，该主开关管的D极连接所述吸收回路单元和变压器，该主开关管的S极连接电阻R9后接地。
[0012]进一步而言，上述技术方案中，所述主开关管为MOS管，其型号为10N65V。
[0013]采用上述技术方案后，本技术与现有技术相比较具有如下有益效果：本技术中的稳压电路单元采用超高阈值电压耗尽型MOS管，其代替了传统的由电阻、电容、三极管和齐纳二极管构成的稳压电路，其省略了齐纳二极管静态功耗，减小了空载功率的损耗，且减少电子元器件，节省成本，还可满足欧洲能源之星的要求，令本技术具有极强的市场竞争力。另外，本技术中的启动电路单元也采用超高阈值电压耗尽型MOS管，该超高阈值电压耗尽型MOS管由导通变化截止时无电流通过，则没有任何损耗，减小了空载功率的损耗，进一步提高市场竞争力。
附图说明：
[0014]图1是本技术的电路图。
具体实施方式：
[0015]下面结合具体实施例和附图对本技术进一步说明。
[0016]见图1所示，为一种超低空载功耗快速充电器，其包括依次连接的AC输入端1、EMI滤波单元2、输入整流滤波单元3、变压器单元4以及输出整流滤波单元5、与该输入整流滤波单元3连接的DC输出端6、与该输入整流滤波单元3连接的启动电路单元7、与该启动电路单元7连接的PWM主控单元8、连接于该PWM主控单元8与变压器单元4之间的主开关管单元9、与该变压器单元4连接并为PWM主控单元8提供稳定电压的稳压电路单元10，该稳压电路单元10包括有与变压器单元4连接的第一二极管101、与该第一二极管101连接的第一MOS管102以及并联连接于该第一二极管101两端的第一电容103和连接于该第一MOS管102的G极和S极的第一电解电容104，该第一MOS管102的G极接地，该第一MOS管102的D极连接第一二极管101的阴极，该第一二极管101的阳极与变压器单元4连接，该第一MOS管102的S极和启动电路单元7均连接所述PWM主控单元8中PWM主控芯片81的同一个引脚；所述第一MOS管102为超高阈值电压耗尽型MOS管。
[0017]所述第一MOS管102型号为DMZ0615E；所述PWM主控芯片81的型号为IW1760。
[0018]所述第一二极管101的阳极还连接电阻R17和电阻R18后接地，且该电阻R17和电阻R18之间的连接线连接所述PWM主控芯片81。所述第一二极管101的阳极还连接电阻R15和电阻R16后接地，且该电阻R15和电阻R16之间的连接线连接所述PWM主控芯片81。
[0019]所述启动电路单元7包括有第二MOS管Q2、与该第二MOS管Q2的D极连接的电阻R25和电阻R1、与该第二MOS管Q2的S极连接的电阻R13，该第二MOS管Q2的G极连接所述PWM主控芯片81，该电阻R1连接所述输入整流滤波单元3，该电阻R13连接所述PWM主控芯片81及第一MOS管102的S极；所述第二MOS管Q2为超高阈值电压耗尽型MOS管。
[0020]所述第二MOS管Q2的型号为CSF501D。
[0021]所述变压器单元4包括有与该输入整流滤波单元3连接的吸收回路单元41和与该
吸收回路单元41连接的变压器42，该变压器42连接所述第一二极管101的阳极，该吸收回路单元41和变压器42均连接所述主开关管单元9。
[0022]所述主开关管单元9包括有主开关管91以及与该主开关管91的G极依次连接的电阻R23和二极管D3，该电阻R23和二极管D3两端并联连接有电阻R24，该主开关管91的D极连接所述吸收回路单元41和变压器42，该主开关管91的S极连接电阻R9后接地。
[0023]所述主开关管91为MOS管，其型号为10N65V。
[0024]本技术的工作原理为：在AC电压输入AC输入端1时，通过EMI滤波单元进行EMI滤波，并通过输入整流滤波本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超低空载功耗快速充电器，其特征在于：其包括依次连接的AC输入端(1)、EMI滤波单元(2)、输入整流滤波单元(3)、变压器单元(4)以及输出整流滤波单元(5)、与该输入整流滤波单元(3)连接的DC输出端(6)、与该输入整流滤波单元(3)连接的启动电路单元(7)、与该启动电路单元(7)连接的PWM主控单元(8)、连接于该PWM主控单元(8)与变压器单元(4)之间的主开关管单元(9)、与该变压器单元(4)连接并为PWM主控单元(8)提供稳定电压的稳压电路单元(10)，该稳压电路单元(10)包括有与变压器单元(4)连接的第一二极管(101)、与该第一二极管(101)连接的第一MOS管(102)以及并联连接于该第一二极管(101)两端的第一电容(103)和连接于该第一MOS管(102)的G极和S极的第一电解电容(104)，该第一MOS管(102)的G极接地，该第一MOS管(102)的D极连接第一二极管(101)的阴极，该第一二极管(101)的阳极与变压器单元(4)连接，该第一MOS管(102)的S极和启动电路单元(7)均连接所述PWM主控单元(8)中PWM主控芯片(81)的同一个引脚；所述第一MOS管(102)为超高阈值电压耗尽型MOS管。2.根据权利要求1所述的一种超低空载功耗快速充电器，其特征在于：所述第一MOS管(102)型号为DMZ0615E；所述PWM主控芯片(81)的型号为IW1760。3.根据权利要求2所述的一种超低空载功耗快速充电器，其特征在于：所述第一二极管(101)的阳极还连接电阻R17和电阻R18后接地，且该电阻R17和电阻R18之间的连接线连接所述PWM主控芯片(81)；所述第一二极管(101...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴仁强，杨芬，李嘉龙，
申请(专利权)人：东莞启益电器机械有限公司，
类型：新型
国别省市：