电子发射体、电子发射体制备方法及医疗设备技术

技术编号:27319680 阅读:19 留言:0更新日期:2021-02-10 09:58
本申请涉及一种电子发射体、电子发射体制备方法及医疗设备。发射本体结构设置于基底结构的表面,两者作为一个整体进行转动和振动。通过将发射本体结构设置于基底结构的表面,可以对发射本体结构受到的应力进行缓冲,避免了发射本体结构受到外因而发生形变。当当X射线管在工作中高速转动和靶盘的高频振动情况下,所述电子发射体的基底结构对发射本体结构起到支撑和缓解应力作用,结构强度更加稳定。进而,通过本申请提供的电子发射体能大幅度提高电子发射体的结构稳定性。当在高离心力和振动较大的复杂工况下,电子发射体具有很好地束流稳定性,束斑质量好。束斑质量好。束斑质量好。

【技术实现步骤摘要】
电子发射体、电子发射体制备方法及医疗设备


[0001]本申请涉及医疗设备
,特别是涉及一种电子发射体、电子发射体制备方法及医疗设备。

技术介绍

[0002]X射线管是一种高真空器件,能够应用于医学设备中,其基本原理为利用阴极的热发射电子束在高压电场的作用下高速飞向阳极靶面,靶面受电子轰击,产生X射线。在医疗领域中X射线能够检测人体组织,进而帮助医生判断患者的病情状况。其中,电子发射体为X射线管的重要组成部件。
[0003]然而,传统的电子发射体都是对钨板直接进行线割或激光加工获得,需要切削掉部分材料,导致整块钨板发射体结构强度降低。当X射线管在工作中高速转动和靶盘的高频振动情况下,较高的离心力和高频振动,使得电子发射体产生局部变形,从而降低了束流稳定性,不利于X射线管的使用。

技术实现思路

[0004]基于此,有必要针对上述问题,提供一种电子发射体、电子发射体制备方法及医疗设备。
[0005]一种电子发射体,所述电子发射体包括基底结构与发射本体结构。所述发射本体结构设置于所述基底结构的表面。所述发射本体结构用于在高压电场作用下发射电子。
[0006]在一个实施例中,所述电子发射体还包括粘接辅助结构。所述粘接辅助结构设置于所述基底结构与所述发射本体结构之间。
[0007]在一个实施例中,所述发射本体结构包括多个子发射体结构。多个所述子发射体结构首尾依次连接,形成蛇形结构。所述蛇形结构具有多个间隙。
[0008]在一个实施例中,沿所述基底结构的长度方向,多个所述间隙的宽度相同。
[0009]在一个实施例中,每个所述子发射体结构为曲线结构或直线结构。
[0010]在一个实施例中,所述发射本体结构采用三维打印方法、物理镀膜方法或化学镀膜方法设置于所述基底结构的表面。
[0011]在一个实施例中,每个所述子发射体结构的肋宽c为0.05毫米至10毫米;每个所述子发射体结构的厚度b为5纳米至50微米;所述间隙的宽度a为0.02毫米至1毫米。
[0012]在一个实施例中,一种电子发射体制备方法,包括:
[0013]提供基底结构;
[0014]在所述基底结构的表面制备发射本体结构;
[0015]所述发射本体结构用于在高压电场作用下发射电子。
[0016]在一个实施例中,采用三维打印方法、物理镀膜方法或化学镀膜方法,在所述基底结构的表面制备所述发射本体结构。
[0017]在一个实施例中,一种医疗设备,包括上述实施例中任一项所述的电子发射体。
[0018]上述电子发射体、电子发射体制备方法及医疗设备,所述发射本体结构设置于所述基底结构的表面,两者作为一个整体进行转动和振动。从而,当X射线管在工作中高速转动和靶盘的高频振动情况下,所述电子发射体通过将所述发射本体结构设置于所述基底结构的表面,可以对所述发射本体结构受到的应力进行缓冲,避免了所述发射本体结构受到外因(如受力、湿度、温度场变化等)而发生形变。
[0019]所述基底结构对所述发射本体结构起到支撑和缓解应力作用,结构强度更加稳定。进而,通过本申请提供的所述电子发射体能大幅度提高电子发射体的结构稳定性。当在高离心力和振动较大的复杂工况下,所述电子发射体具有很好地束流稳定性,束斑质量好。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案,下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0021]图1为本申请提供的一个实施例中电子发射体的整体结构示意图。
[0022]图2为本申请提供的一个实施例中电子发射体的整体结构的侧面示意图。
[0023]图3为本申请提供的另一个实施例中电子发射体的整体结构的侧面示意图。
[0024]图4为本申请提供的一个实施例中电子发射体的发射本体结构示意图。
[0025]图5为本申请提供的一个实施例中电子发射体的发射本体结构示意图。
[0026]图6为本申请提供的另一个实施例中电子发射体的发射本体结构示意图。
[0027]附图标记说明:
[0028]电子发射体100、基底结构10、发射本体结构20、粘接辅助结构30、子发射体结构210、缝隙220、第一子发射体结构211、第二子发射体结构212、第三子发射体结构213、第四子发射体结构214、第五子发射体结构215。
具体实施方式
[0029]为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进,因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。
[0030]在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。
[0031]此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是至少两个,例如两个,三个等,除非另有明确具体的限定。
[0032]在本申请中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系,除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0033]在本申请中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触,或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0034]需要说明的是,当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子发射体,其特征在于,所述电子发射体包括:基底结构;发射本体结构,设置于所述基底结构的表面,所述发射本体结构用于在高压电场作用下发射电子。2.根据权利要求1所述的电子发射体,其特征在于,所述电子发射体还包括:粘接辅助结构,设置于所述基底结构与所述发射本体结构之间。3.根据权利要求1所述的电子发射体,其特征在于,所述发射本体结构包括多个子发射体结构;多个所述子发射体结构首尾依次连接,形成蛇形结构;所述蛇形结构具有多个间隙。4.根据权利要求3所述的电子发射体,其特征在于,沿所述基底结构的长度方向,多个所述间隙的宽度相同。5.根据权利要求3所述的电子发射体,其特征在于,每个所述子发射体结构为曲线结构或直线结构。6.根据权利要求1所述的电子发射体,其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员:肖鑫张曦马新星
申请(专利权)人:上海联影医疗科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1
相关领域技术
  • 暂无相关专利