一种功率开关管的电流检测电路制造技术

本发明专利技术涉及一种功率开关管的电流检测电路，至少包括第一电阻、第一二极管、第二二极管、第三二极管、稳压二极管、三极管以及功率开关管，三极管与功率开关管的漏极连接以监测功率开关管漏极的压降从而实现对功率开关管的电流的检测，并且三极管的集电极通过由第一电阻与第一二极管并联构建的支路连接以使得第一电阻和第一二极管并联节点中与三极管的集电极连接的第一节点作为反馈功率开关管电流是否过大的反馈信号，在三极管的发射极直接与功率开关管的漏极连接的情况下，在三极管的基极与发射极之间并联彼此正负极相反的第三二极管和稳压二极管，并在三极管的集电极与第一节点之间串联第二二极管。节点之间串联第二二极管。节点之间串联第二二极管。

【技术实现步骤摘要】
一种功率开关管的电流检测电路


[0001]本专利技术涉及电力电子
，尤其涉及一种功率开关管的电流检测电路。

技术介绍

[0002]随着功率开关管的应用越来越广泛，如何保证功率开关管在导通过程中的可靠性就越来越重要。由于功率开关管在应用时通常有大电流通过，若电流超过功率开关管的承受极限，则会导致开关管的损坏。那么为了保证器件的可靠性，必须对功率开关管的电流进行连续的检测，并能够提供反馈信号。现有技术一般采用在功率开关管所在的支流上加入电阻，通过采样电阻上的压降来反映支路上的电流。但是采样电阻会增加二外的功率损耗。另一种方法是利用功率开关管上漏极-源极电压的变化来采样流经该功率开关管的电流。
[0003]例如，公开号的为CN207117586U的中国专利文献公开了一种MOS管过流保护电路，用于MOS管连接，所述MOS管过流保护电路包括电容、充电电路、放电电路与MOS管断开电路。MOS管断开电路串联在所述电容与MOS管的G极之间，用于在所述电容的充电电压超过预设稳压值时将MOS管的G极电压降低，从而使得MOS截止。其中，所述MOS管断开本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率开关管的电流检测电路，其特征在于，至少包括第一电阻(R1)、第一二极管(D1)、第二二极管(D2)、第三二极管(D3)、稳压二极管(D4)、三极管(Q1)以及功率开关管(Q2)，其中，所述三极管(Q1)与所述功率开关管(Q2)的漏极连接以监测所述功率开关管(Q2)漏极的压降从而实现对所述功率开关管(Q2)的电流的检测，并且所述三极管(Q1)的集电极通过由所述第一电阻(R1)与第一二极管(D1)并联构建的支路连接以使得所述第一电阻(R1)和第一二极管(D1)并联节点中与所述三极管(Q1)的集电极连接的第一节点作为反馈所述功率开关管(Q2)电流是否过大的反馈信号，其中，在所述三极管(Q1)的发射极直接与所述功率开关管(Q2)的漏极连接的情况下，在所述三极管(Q1)的基极与发射极之间并联彼此正负极相反的第三二极管(D3)和所述稳压二极管(D4)，并在所述三极管(Q1)的集电极与所述第一节点之间串联所述第二二极管(D2)。2.根据权利要求1所述的电流检测电路，其特征在于，所述电流检测电路还包括第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、电容(C1)，其中，驱动信号与所述功率开关管(Q2)的栅极连接，并且所述驱动信号分别进入所述第二电阻(R2)以及进入第一电阻(R1)与第一二极管(D1)并联节点中相对所述第一节点的第二节点，其中，所述第一节点通过所述电容(C1)接地以滤波和RC延时。3.根据权利要求2所述的电流检测电路，其特征在于，所述第二电阻(R2)分别与所述三极管(Q1)和所述第三电阻(R3)连接，其中，所述三极管(Q1)的基极与所述第二电阻(R2)连接，并且所述三极管(Q1)与第三电阻(R3)并联，所述第三电阻(R3)相对所述第二电阻(R2)的一端接地。4.根据权利要求3所述的电流检测电路，其特征在于，所述第一二极管(D1)和第二二极管(D2)的正极分别与所述电容(C1)连接，其中，在不发出所述驱动信号的情况下，所述电容(C1)的电流流经所述第一节点分别进入所述第一二极管(D1)和第二二极管(D2)，其中，所述第一二极管(D1)和所述第二二极管(D2)处于导通状态，进而所述电容(C1)的电流流经所述第一二极管(D1)、第二二极管(D2)和第一电阻(R1)进行放电以使得所述反馈信号变为低电平状态。5.根据权利要求4所述的电流检测电路，其特征在于，在不发出所述驱动信号的情况下，所述功率开关管(Q2)处于截止状态进而使得所述功率管(Q2)漏极处的第二电压(V2)处于高电平，其中，在发出所述驱动信号的情况下，所述驱动信号驱动所述功率开关管(Q2)处于导通状态，并且所述驱动信号并分别进入所述第二电阻(R2)...

【专利技术属性】
技术研发人员：王明恩，姚欣，李飞，
申请(专利权)人：郑州嘉晨电器有限公司，
类型：发明
国别省市：