半导体工程的反应副产物收集装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了适用于半导体工程的反应副产物收集装置，在反应副产物收集装置中，包括：外壳，采用圆筒管形态，配备有形成气体流入口的上板以及形成向内部延长凸出的气体排出口的下板，用于在对所流入的排出气体进行收容之后再进行排出；以及，流路变更式垂直型内部收集塔，以悬挂的形态安装于上述外壳内部，由用于对所流入的排出气体中的反应副产物进行收集的盘型收集部、扩散板、圆筒形收集部以及圆筒形过滤器收集部构成。筒形过滤器收集部构成。筒形过滤器收集部构成。

【技术实现步骤摘要】
半导体工程的反应副产物收集装置


[0001]本专利技术涉及一种半导体工程的反应副产物收集装置，尤其涉及一种安装在用于对从制造半导体的制程腔体排出的排出气体中所包含的反应副产物进行收集的反应物收集装置的后端，对第1次去除反应副产物之后的排出气体中所残留的微量的未被收集的反应副产物进行去除的第2次反应副产物收集装置。

技术介绍

[0002]通常，半导体制造工程大体上包括前工程(制造(Fabrication)工程)以及后工程(装配(Assembly)工程)。
[0003]上述前工程是指通过在各种制程腔体(Chamber)的内部重复执行在晶圆(Wafer)上沉积形成薄膜并对沉积形成的薄膜进行选择性蚀刻的过程而加工出特定图案的半导体芯片(Chip)制造工程。
[0004]此外，上述后工程是指通过对在上述前工程中在晶圆上制造出的芯片进行单独切割分离之后与引线框架进行结合而组装出成品的封装(package)工程。
[0005]具体来讲，上述前工程是指在晶圆上沉积形成薄膜或对在晶圆上沉积形成的薄膜进行蚀刻的工程，为此，将在根据不同的工程选择性地向制程腔体的内部注入如SiH4(硅烷，Silane)、砷化氢(Arsine)、氯化硼、氢气、WF6(六氟化钨，Tungsten hexafluoride)、TiCl4(四氯化钛，Titanium tetrachloride)、NH3(氨，Ammonia)等反应气体中的一种以上之后在高温下执行薄膜沉积工程。此时，在制程腔体的内部将产生大量的含有各种易燃气体、腐蚀性异物以及有毒成分的有害气体等。
[0006]为了能够在对如上所述的有害气体进行净化之后排出，在半导体制造装置中配备有用于将制程腔体转换成真空状态的真空泵以及用于在真空泵的后端对从制程腔体排出的排出气体进行净化之后再排出到大气的洗涤器(Scrubber)。
[0007]但是，因为洗涤器只能对气体形态的反应副产物进行净化和处理，因此当反应副产物在被排出到制程腔体的外部之后发生固化时，会造成如因为附着在排气管中而导致排出气体压力的上升、因为流入到真空泵而诱发泵的故障或因为有害气体逆流到制程腔体而导致晶圆受到污染等多种问题。
[0008]为此，半导体制造装置通过在制程腔体与真空泵之间安装反应副产物收集装置而对从制程腔体排出的排出气体进行凝聚。
[0009]如上所述的反应副产物收集装置通过泵管与制程腔体以及真空泵连接，从而对在制程腔体内进行反应之后排出的排出气体中所包含的粒子状反应副产物进行凝聚和收集。
[0010]但是，因为客户公司的工程发生变化且反应气体量呈现出增加的趋势，仅利用如上所述的反应副产物收集装置并不能完全地去除反应副产物，从而导致所排出的排出气体中有未被收集的粒子状反应副产物残留并因此进一步导致真空泵受损的问题。
[0011]在先技术文献
[0012]专利文献
[0013](专利文献1)韩国注册专利公报注册编号10-0717837(2007.05.07.)
[0014](专利文献2)韩国注册专利公报注册编号10-0862684(2008.10.02.)
[0015](专利文献3)韩国注册专利公报注册编号10-1447629(2014.09.29.)
[0016](专利文献4)韩国注册专利公报注册编号10-1806480(2017.12.01.)

技术实现思路

[0017]本专利技术的目的在于解决如上所述的现有问题而提供一种为了在半导体制造工程中安装在第1次反应副产物收集装置以及真空泵之间而对从上一个工程的第1次反应物收集装置排出的排出气体中所包含的未被收集的反应副产物进行再次去除，利用位于中央部的扩散板构成位于上部的盘型收集部和位于下部的圆筒型收集部以及圆筒型过滤器收集部，从而通过对排出气体的移动流路进行变更而使得排出气体能够在经过较长的移动路径的过程中实现足够的反应副产物收集时间以及多段收集过程的反应副产物收集装置。
[0018]为了达成如上所述的目的并解决现有问题，本专利技术提供一种半导体工程用流路方向转换式反应副产物收集装置，其特征在于：在将经过用于对从半导体工程的制程腔体排出的排出气体中的反应副产物进行收集的第1次反应副产物收集装置之后的排出气体中所包含的未被收集的反应副产物进行再次收集并供应到真空泵的反应副产物收集装置中，包括：
[0019]外壳，采用圆筒管形态，配备有形成气体流入口的上板以及形成向内部延长凸出的气体排出口的下板，用于在对所流入的排出气体进行收容之后再进行排出；以及，流路变更式垂直型内部收集塔，以悬挂的形态安装于上述外壳内部，用于对所流入的排出气体中的反应副产物进行收集；
[0020]其中，上述流路变更式垂直型内部收集塔，其特征在于，包括：盘型收集部，以与外壳的上板间隔一定距离的方式安装，由上下多段构成的多个圆板构成，用于在向下方供应排出气体的同时对反应副产物进行收集；扩散板，用于在将通过盘型收集部向下方供应的排出气体供应到侧方向的同时对反应副产物进行收集；圆筒形收集部，用于在将向侧方向供应的排出气体供应到下方的同时对反应副产物进行收集之后再使排出气体通过下部开口流入；以及，圆筒形过滤器收集部，以围绕气体排出部的上部周围周边的方式安装，用于对反应副产物进行最终收集。
[0021]作为较佳的实施例，上述盘型收集部能够由借助于间隔支撑杆上下间隔一定距离的多个圆板多段焊接构成并在各个圆板中排列形成多个相同大小的气孔。
[0022]作为较佳的实施例，在上述各个圆板中，在位于上部的圆板上形成的气孔能够大于在位于下部的圆板上形成的气孔。
[0023]作为较佳的实施例，在上述各个圆板上形成的气孔与在上下相邻的圆板上形成的气孔能够以位置不一致的交错方式形成。
[0024]作为较佳的实施例，上述扩散板，能够包括：密封盘，用于对排出气体的下向流动进行阻隔；以及，多个导向板，在上述密封盘的上部面以放射形排列安装，用于将排出气体的流动分配到侧方向。
[0025]作为较佳的实施例，上述密封盘的上侧面能够通过与盘型收集部的间隔支撑杆焊接而一体化，而底面能够通过与圆筒形收集部的圆筒管上部以及圆筒形过滤器收集部的上
侧面焊接而一体化。
[0026]作为较佳的实施例，上述导向板的长度能够小于密封板盘的半径且能够被加工成下端扁平而上端具有从密封盘的中心点向周围一侧逐渐变大的倾斜角的形态，安装起始点能够被配置在与密封盘的中心间隔一定距离的位置，而结束点能够被排列配置在与密封盘的周围间隔一定距离的内侧位置。
[0027]作为较佳的实施例，上述圆筒形收集部，能够包括：圆筒管，对排出气体的侧方向流入进行阻隔并仅向下部开口下向供应流入；
[0028]多个环形板，在上述圆筒管的周围沿着上下方向以一定的间隔多段排列焊接。
[0029]作为较佳的实施例，上述环形板能够沿着圆周方向形成多个气孔。
[0030]作为较佳的实施例，上述圆筒形过滤器收集部能够以被焊接到扩散本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体工程的反应副产物收集装置，其特征在于：在将经过用于对从半导体工程的制程腔体排出的排出气体中的反应副产物进行收集的第1次反应副产物收集装置之后的排出气体中所包含的未被收集的反应副产物进行再次收集并供应到真空泵的反应副产物收集装置中，包括：外壳，采用圆筒管形态，配备有形成气体流入口的上板以及形成向内部延长凸出的气体排出口的下板，用于在对所流入的排出气体进行收容之后再进行排出；以及，流路变更式垂直型内部收集塔，以悬挂的形态安装于上述外壳内部，用于对所流入的排出气体中的反应副产物进行收集；其中，上述流路变更式垂直型内部收集塔，其特征在于，包括：盘型收集部，以与外壳的上板间隔一定距离的方式安装，由上下多段构成的多个圆板构成，用于在向下方供应排出气体的同时对反应副产物进行收集；扩散板，用于在将通过盘型收集部向下方供应的排出气体供应到侧方向的同时对反应副产物进行收集；圆筒形收集部，用于在将向侧方向供应的排出气体供应到下方的同时对反应副产物进行收集之后再使排出气体通过下部开口流入；以及，圆筒形过滤器收集部，以围绕气体排出部的上部周围周边的方式安装，用于对反应副产物进行最终收集。2.根据权利要求1所述的半导体工程的反应副产物收集装置，其特征在于：上述盘型收集部由借助于间隔支撑杆上下间隔一定距离的多个圆板多段焊接构成并在各个圆板中排列形成多个相同大小的气孔。3.根据权利要求2所述的半导体工程的反应副产物收集装置，其特征在于：在上述各个圆板中，在位于上部的圆板上形成的气孔大于在位于下部的圆板上形成的气孔。4.根据权利要求2所述的半导体工程的反应副产物收集装置，其特征在于：在上述各个圆板上形成的气孔与在上下相邻的圆板上形成的气孔以位置不一致的交错方式形成。5.根据权利要求1所述的半导体工程的反应...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵宰孝，李在濬，韩明必，
申请(专利权)人：未来宝株式会社，
类型：发明
国别省市：