发光器件及其有机缓冲封装层与制作方法技术

本发明专利技术涉及一种发光器件及其有机缓冲封装层与制作方法，该制作方法通过等离子体增强化学气相沉积工艺制作有机缓冲封装层，先采用渐变的射频功率、射频频率或射频占空比形成第一缓冲层，再在第一缓冲层上形成第二缓冲层。以第一缓冲层制作过程中射频功率的变化为例，在第一阶段，因刚开始功率较高，有机源的汽化气体的解离率较高，更容易被分解，所形成的薄膜中不容易产生有机源不完全裂解或不均匀聚合形成的杂质、灰尘或非目标聚合物，第二阶段形成有机缓冲封装层的主体部分，这一阶段因总体功率较低，薄膜的含碳量较高，但因为前期在第一阶段时有较多的碳化物作铺垫，薄膜的沉积环境有所改变，此时即使功率较低，也不会产生杂质、灰尘或非目标聚合物。灰尘或非目标聚合物。灰尘或非目标聚合物。

【技术实现步骤摘要】
发光器件及其有机缓冲封装层与制作方法


[0001]本专利技术涉及发光器件领域，特别是涉及一种发光器件及其有机缓冲封装层与制作方法。

技术介绍

[0002]随着OLED的生产技术日益成熟，OLED的制作成本逐渐降低，成为一种可以与液晶显示竞争的技术。并且，OLED的优势逐渐凸显，其中可以实现柔性显示是其最大的特点。
[0003]柔性显示技术是将原本的两层玻璃基板，换成一层柔性基板和一层薄膜封装层，以实现可弯曲折叠的性能。由于柔性显示器在实际应用时会经常被弯折，因此要求弯折时薄膜封装膜层的应力越小越好。另一方面，由于OLED对水汽及其敏感、容易受水汽影响而失效，因此薄膜封装需要有较强的水氧阻挡能力(一般要求达到10-6
g/cm2·
day)。
[0004]为了达到同时兼顾水氧阻挡能力和抗弯折能力，目前使用较多的方案是用两层无机水氧阻挡层夹着一层有机缓冲封装层的叠层结构。然而，通过等离子体增强化学气相沉积工艺形成有机缓冲封装层时，在有机源流量过大，或者有机源与反应源比例过大、功率过小时，容易产生杂质颗粒，这主要是由于有机源的不完全裂解或不均匀聚合而产生的产物，该产物会存在于薄膜的内部及表面，影响封装效果。

技术实现思路

[0005]基于此，有必要提供一种发光器件及其有机缓冲封装层与制作方法，以解决通过等离子体增强化学气相沉积工艺形成有机缓冲封装层时容易产生杂质颗粒的问题。
[0006]一种发光器件的有机缓冲封装层的制作方法，所述有机缓冲封装层包括第一缓冲层及覆盖第一缓冲层的第二缓冲层，所述有机缓冲封装层制作方法包括以下步骤：
[0007]通过等离子体增强化学气相沉积工艺经由第一阶段形成所述第一缓冲层；
[0008]通过等离子体增强化学气相沉积工艺经由第二阶段在所述第一缓冲层上形成所述第二缓冲层；
[0009]在所述第一阶段，射频功率逐渐减小，在所述第二阶段，射频功率不高于所述第一阶段的最小射频功率；或者
[0010]在所述第一阶段，射频频率逐渐增大，在所述第二阶段，射频频率不低于所述第一阶段的最大射频频率；或者
[0011]在所述第一阶段，射频占空比逐渐减小，在所述第二阶段，射频占空比不高于所述第一阶段的最小射频占空比。
[0012]在其中一个实施例中，在所述第一阶段，射频功率从9.0kW/m2～9.4kW/m2逐渐减小至7.0kW/m2～7.4kW/m2，在所述第二阶段，射频功率为4.7kW/m2～6.2kW/m2；或者
[0013]在所述第一阶段，射频频率从3.0MHz～3.56MHz逐渐增大至11.0MHz～12.0MHz，在所述第二阶段，射频频率为13.0MHz～13.56MHz；或者
[0014]在所述第一阶段，射频占空比从90％～100％逐渐减小至40％～50％，在所述第二
阶段，射频占空比为30％～40％。
[0015]在其中一个实施例中，所述制作方法还包括：
[0016]通过等离子体增强化学气相沉积工艺经由第三阶段在所述第二缓冲层上形成第三缓冲层；
[0017]在所述第一阶段，射频功率逐渐减小，在所述第三阶段，射频功率逐渐增大，在所述第二阶段，射频功率不高于所述第一阶段的最小射频功率及所述第三阶段的最小射频功率；或者
[0018]在所述第一阶段，射频频率逐渐增大，在所述第三阶段，射频频率逐渐减小，在所述第二阶段，射频频率不低于所述第一阶段的最大射频频率及所述第三阶段的最大射频频率；或者
[0019]在所述第一阶段，射频占空比逐渐减小，在所述第三阶段，射频占空比逐渐增大，在所述第二阶段，射频占空比不高于所述第一阶段的最小射频占空比及所述第三阶段的最小射频占空比。
[0020]在其中一个实施例中，在所述第三阶段，射频功率从7.0kW/m2～7.4kW/m2逐渐增大至9.0kW/m2～9.4kW/m2；或者
[0021]在所述第三阶段，射频频率从11.0MHz～12.0MHz逐渐减小至3.0MHz～3.56MHz；或者
[0022]在所述第三阶段，射频占空比从40％～50％逐渐增大至90％～100％。
[0023]在其中一个实施例中，在所述第一阶段，射频功率、射频频率或射频占空比的变化为阶梯式渐变。
[0024]在其中一个实施例中，所述有机缓冲封装层的材料选自碳氧化硅、聚对二甲苯、聚丙烯、聚苯乙烯或聚酰亚胺中的一种或多种。
[0025]在其中一个实施例中，所述第一缓冲层的厚度为0.1μm～1μm，所述第二缓冲层的厚度为1μm～5μm，所述第三缓冲层的的厚度为0.1μm～1μm。
[0026]一种发光器件，其特征在于，包括：
[0027]发光器件主体，所述发光器件主体包括基板、第一电极层、发光功能层以及第二电极层，所述第一电极层设置在所述基板上，所述发光功能层设置在所述第一电极层上，所述第二电极层设置在所述发光功能层上；
[0028]封装层，所述封装层设置于所述第二电极层上，所述封装层包括有机缓冲封装层，所述有机缓冲封装层采用上述任一实施例所述的发光器件的有机缓冲封装层的制作方法制得。
[0029]在其中一个实施例中，所述封装层还包括第一无机封装层和第二无机封装层，所述第一无机封装层设置在所述第二电极层上，所述有机缓冲封装层设置在所述第一无机封装层上，所述第二无机封装层设置在所述有机缓冲封装层上。
[0030]在其中一个实施例中，所述第一无机封装层和所述第二无机封装层的材料选自氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝和二氧化钛中的一种或多种。
[0031]上述发光器件及其有机缓冲封装层与制作方法，有机缓冲封装层通过等离子体增强化学气相沉积工艺制作，先采用渐变的射频功率、射频频率或射频占空比形成第一缓冲层，再在第一缓冲层上形成第二缓冲层。以第一缓冲层制作过程中射频功率的变化为例，在
第一阶段，因刚开始功率较高，有机源的汽化气体的解离率较高，更容易被分解，所形成的薄膜中不容易产生有机源不完全裂解或不均匀聚合形成的杂质颗粒，第二阶段形成有机缓冲封装层的主体部分，这一阶段因总体功率较低，薄膜的含碳量较高，但因为前期在第一阶段时有较多的碳化物作铺垫，薄膜的沉积环境有所改变，此时即使功率较低，也不会产生杂质颗粒。
附图说明
[0032]图1为一实施例的发光器件的结构示意图；
[0033]图2为图1所示发光器件的制作流程示意图；
[0034]图3为在第二电极层上制作第一无机封装层的示意图；
[0035]图4为在第一无机封装层上制作第一缓冲层的示意图；
[0036]图5为在第一缓冲层上制作第二缓冲层的示意图；
[0037]图6为在第二缓冲层上制作第三缓冲层的示意图；
[0038]图7为实施例1中制作有机缓冲封装层过程中射频功率的变化曲线图；
[0039]图8为实施例1中制作有机缓冲封装层过程中射频频率的变化曲线图。
具体实施方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件的有机缓冲封装层的制作方法，其特征在于，所述有机缓冲封装层包括第一缓冲层及覆盖第一缓冲层的第二缓冲层，所述有机缓冲封装层制作方法包括以下步骤：通过等离子体增强化学气相沉积工艺经由第一阶段形成所述第一缓冲层；通过等离子体增强化学气相沉积工艺经由第二阶段在所述第一缓冲层上形成所述第二缓冲层；在所述第一阶段，射频功率逐渐减小，在所述第二阶段，射频功率不高于所述第一阶段的最小射频功率；或者在所述第一阶段，射频频率逐渐增大，在所述第二阶段，射频频率不低于所述第一阶段的最大射频频率；或者在所述第一阶段，射频占空比逐渐减小，在所述第二阶段，射频占空比不高于所述第一阶段的最小射频占空比。2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述第一阶段，射频功率从9.0kW/m2～9.4kW/m2逐渐减小至7.0kW/m2～7.4kW/m2，在所述第二阶段，射频功率为4.7kW/m2～6.2kW/m2；或者在所述第一阶段，射频频率从3.0MHz～3.56MHz逐渐增大至11.0MHz～12.0MHz，在所述第二阶段，射频频率为13.0MHz～13.56MHz；或者在所述第一阶段，射频占空比从90％～100％逐渐减小至40％～50％，在所述第二阶段，射频占空比为30％～40％。3.如权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，还包括：通过等离子体增强化学气相沉积工艺经由第三阶段在所述第二缓冲层上形成第三缓冲层；在所述第一阶段，射频功率逐渐减小，在所述第三阶段，射频功率逐渐增大，在所述第二阶段，射频功率不高于所述第一阶段的最小射频功率及所述第三阶段的最小射频功率；或者在所述第一阶段，射频频率逐渐增大，在所述第三阶段，射频频率逐渐减小，在所述第二阶段，射频频率不低于所述第一阶段的最大射频频率及所述第三阶段的最大射频频率；或者在所述第一阶段，射频占空比逐渐减小，在所述第三阶段，射频占空比逐渐增大，在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李松举，宋晶尧，付东，
申请(专利权)人：广东聚华印刷显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：