垂直腔面发射激光器发光阵列及其控制方法技术

本申请涉及激光器技术领域，公开了一种垂直腔面发射激光器发光阵列及其控制方法，发光芯片表具有至少两个分区的所述垂直腔面发射激光器的发射光偏振方向互不相同。通过控制不同分区垂直腔面发射激光器发射光的光功率，得到不同偏振方向且不同功率大小的发射光，通过矢量叠加来得到各种不同的偏振方向的出射光。在后续的系统中可以通过调整出射光的偏振方向至最大信噪比的偏振方向，以使得信号的信噪比达到最高的水平。比达到最高的水平。比达到最高的水平。

【技术实现步骤摘要】
垂直腔面发射激光器发光阵列及其控制方法


[0001]本专利技术一般涉及激光器
，具体涉及一种垂直腔面发射激光器发光阵列及其控制方法。

技术介绍

[0002]在光电领域中，光电探测器将探测到的光转换为电信号做后续分析，在这个过程中会有外界光噪声的引入，降低信号的质量，因此需要降低噪声光强或提高信号光强来提高信噪比。具体是在实际使用的过程中，将光的偏振方向调整至最大信噪比的偏振方向，但目前光电探测器中芯片上的VCSEL不能控制偏振方向或者只有一种偏振方向，无法很好地提高信噪比。

技术实现思路

[0003]鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种垂直腔面发射激光器发光阵列及其控制方法。
[0004]第一方面，本专利技术提供一种垂直腔面发射激光器发光阵列，包括：至少一个发光芯片；所述发光芯片表具有至少两个分区，每个所述分区内设有多个垂直腔面发射激光器；同一分区内的各所述垂直腔面发射激光器的发射光偏振方向相同，且具有至少两个分区的所述垂直腔面发射激光器的发射光偏振方向互不相同。
[0005]在一个实施例中，各所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种垂直腔面发射激光器发光阵列，其特征在于，包括：至少一个发光芯片；所述发光芯片表具有至少两个分区，每个所述分区内设有多个垂直腔面发射激光器；同一分区内的各所述垂直腔面发射激光器的发射光偏振方向相同，且具有至少两个分区的所述垂直腔面发射激光器的发射光偏振方向互不相同。2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器发光阵列，其特征在于，各所述分区内的所述垂直腔面发射激光器规则排列或不规则排列。3.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器发光阵列，其特征在于，各所述分区形状相同。4.根据权利要求1或2所述的垂直腔面发射激光器发光阵列，其特征在于，各所述分区内设置的所述垂直腔面发射激光器数量相同。5.根据权利要求3所述的垂直腔面发射激光器发光阵列，其特征在于，所述发光芯片为正方形，所述发光芯片沿所述正方形相对两边的中线分为两个分区，两个所述分区内所述垂直腔面发射激光器的发射光偏振方向互不相同。6.根据权利要求3所述的垂直腔面发射激光器发光...

【专利技术属性】
技术研发人员：张穗，沈志强，
申请(专利权)人：深圳博升光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：