一种熔融石英电视、近红外双波段分光膜及其制备方法技术

本发明专利技术属于光学薄膜制造技术领域，具体涉及一种熔融石英电视、近红外双波段分光膜及其制备方法。本发明专利技术采用膜层设计软件设计并优化熔融石英电视、近红外双波段分光膜膜系，该膜系在45

【技术实现步骤摘要】
一种熔融石英电视、近红外双波段分光膜及其制备方法


[0001]本专利技术属于光学薄膜制造
，具体涉及一种熔融石英电视、近红外双波段分光膜及其制备方法。

技术介绍

[0002]目前机载光电产品朝着体积小，重量轻，探测距离远、分辨精度高的方向发展，熔融石英基底分光镜为机载光电系统中关键零件，镀分光膜后可实现同路光束一部分能量反射另一部分透射，为实现该光学特性，熔融石英基底表面要求镀制0.6μm～0.9μm、0.95μm～1.7μm两个波段的分光膜。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术提供一种熔融石英电视、近红外双波段分光膜的膜系结构及制备方法。由熔融石英基底和在45
°
入射角0.6μm～0.9μm波段透过率≤2％、0.95μm～1.7μm近红外波段透射率≥97％分光膜两部分构成。
[0004]为了达到上述技术目的，本专利技术所采用的具体技术方案为：
[0005]本专利技术提出一种熔融石英电视、近红外双波段分光膜，所述分光膜的膜系为82层，奇数膜层均为Ta2O5，偶数膜层均为SiO2，第1层几何厚度为35.11
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2nm，第2层几何厚度为141.67
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2nm，第3层几何厚度为81.43
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2nm，第4层几何厚度为73.17
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2nm，第5层几何厚度为70.56
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2nm，第6层几何厚度为87.08
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2nm，第7层几何厚度为79.81
±<br/>2nm，第8层几何厚度为140.10
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2nm，第9层几何厚度为89.87
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2nm，第10层几何厚度为98.01
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2nm，第11层几何厚度为78.13
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2nm，第12层几何厚度为66.83
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2nm，第13层几何厚度为79.01
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2nm，第14层几何厚度为124.75
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2nm，第15层几何厚度为87.28
±
2nm，第16层几何厚度为134.35
±
2nm，第17层几何厚度为87.12
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2nm，第18层几何厚度为96.72
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2nm，第19层几何厚度为72.86
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2nm，第20层几何厚度为89.18
±
2nm，第21层几何厚度为78.60
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2nm，第22层几何厚度为105.08
±
2nm，第23层几何厚度为71.12
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2nm，第24层几何厚度为114.65
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2nm，第25层几何厚度为83.34
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2nm，第26层几何厚度为127.92
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2nm，第27层几何厚度为89.16
±
2nm，第28层几何厚度为190.05
±
2nm，第29层几何厚度为39.04
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2nm，第30层几何厚度为303.88
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2nm，第31层几何厚度为68.86
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2nm，第32层几何厚度为137.71
±
2nm，第33层几何厚度为106.13
±
2nm，第34层几何厚度为185.28
±
2nm，第35层几何厚度为50.99
±
2nm，第36层几何厚度为219.17
±
2nm，第37层几何厚度为74.20
±
2nm，第38层几何厚度为73.37
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2nm，第39层几何厚度为378.08
±
2nm，第40层几何厚度为74.28
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2nm，第41层几何厚度为91.76
±
2nm，第42层几何厚度为151.33
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2nm，第43层几何厚度为95.75
±
2nm，第44层几何厚度为149.86
±
2nm，第45层几何厚度为98.96
±
2nm，第46层几何厚度为156.10
±
2nm，第47层几何厚度为121.01
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2nm，第48层几何厚度为109.27
±
2nm，第49层几何厚度为130.01
±
2nm，第50层几何厚度为148.98
±
2nm，第51层几何厚度为95.70
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2nm，第52层几何厚度为155.69
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2nm，第53层几何厚度为101.57
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2nm，第54层几何厚度为153.54
±
2nm，第55层几何厚度为
98.18
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2nm，第56层几何厚度为90.45
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2nm，第57层几何厚度为96.30
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2nm，第58层几何厚度为41.98
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2nm，第59层几何厚度为109.03
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2nm，第60层几何厚度为120.67
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2nm，第61层几何厚度为90.23
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2nm，第62层几何厚度为156.79
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2nm，第63层几何厚度为102.25
±
2nm，第64层几何厚度为156.97
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2nm，第65层几何厚度为88.72
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2nm，第66层几何厚度为112.38
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2nm，第67层几何厚度为263.57
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2nm，第68层几何厚度为45.53
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2nm，第69层几何厚度为108.66
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2nm，第70层几何厚度为159.91
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2nm，第71层几何厚度为98.47
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2nm，第72层几何厚度为141.75
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2nm，第73层几何厚度为91.14
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2nm，第74层几何厚度为152.12
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2nm，第75层几何厚度为93.48
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2nm，第76层几何厚度为30.60
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2nm，第77层几何厚度为283.02
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2nm，第78层几何厚度为136.79
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2nm，第79层几何厚度为80.00
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2nm，第80层几何厚度为135.57
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2nm，第81层几何厚度为109.01
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2nm，第82层几何厚度为275.51
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2nm。
[0006]进一步的，所述分光膜的第1层几何厚度为35.11nm，第2层几何厚度为141.67nm，第3层几何厚度为81.43nm，第4层几何厚度为73.17nm，第5层几何厚度本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种熔融石英电视、近红外双波段分光膜，其特征在于：所述分光膜的膜系为82层，奇数膜层均为Ta2O5，偶数膜层均为SiO2，第1层几何厚度为35.11
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2nm，第2层几何厚度为141.67
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2nm，第3层几何厚度为81.43
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2nm，第4层几何厚度为73.17
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2nm，第5层几何厚度为70.56
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2nm，第6层几何厚度为87.08
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2nm，第7层几何厚度为79.81
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2nm，第8层几何厚度为140.10
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2nm，第9层几何厚度为89.87
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2nm，第10层几何厚度为98.01
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2nm，第11层几何厚度为78.13
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2nm，第12层几何厚度为66.83
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2nm，第13层几何厚度为79.01
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2nm，第14层几何厚度为124.75
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2nm，第15层几何厚度为87.28
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2nm，第16层几何厚度为134.35
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2nm，第17层几何厚度为87.12
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2nm，第18层几何厚度为96.72
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2nm，第19层几何厚度为72.86
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2nm，第20层几何厚度为89.18
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2nm，第21层几何厚度为78.60
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2nm，第22层几何厚度为105.08
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2nm，第23层几何厚度为71.12
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2nm，第24层几何厚度为114.65
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2nm，第25层几何厚度为83.34
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2nm，第26层几何厚度为127.92
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2nm，第27层几何厚度为89.16
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2nm，第28层几何厚度为190.05
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2nm，第29层几何厚度为39.04
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2nm，第30层几何厚度为303.88
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2nm，第31层几何厚度为68.86
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2nm，第32层几何厚度为137.71
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2nm，第33层几何厚度为106.13
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2nm，第34层几何厚度为185.28
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2nm，第35层几何厚度为50.99
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2nm，第36层几何厚度为219.17
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2nm，第37层几何厚度为74.20
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2nm，第38层几何厚度为73.37
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2nm，第39层几何厚度为378.08
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2nm，第40层几何厚度为74.28
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2nm，第41层几何厚度为91.76
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2nm，第42层几何厚度为151.33
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2nm，第43层几何厚度为95.75
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2nm，第44层几何厚度为149.86
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2nm，第45层几何厚度为98.96
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2nm，第46层几何厚度为156.10
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2nm，第47层几何厚度为121.01
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2nm，第48层几何厚度为109.27
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2nm，第49层几何厚度为130.01
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2nm，第50层几何厚度为148.98
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2nm，第51层几何厚度为95.70
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2nm，第52层几何厚度为155.69
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2nm，第53层几何厚度为101.57
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2nm，第54层几何厚度为153.54
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2nm，第55层几何厚度为98.18
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2nm，第56层几何厚度为90.45
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2nm，第57层几何厚度为96.30
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2nm，第58层几何厚度为41.98
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2nm，第59层几何厚度为109.03
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2nm，第60层几何厚度为120.67
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2nm，第61层几何厚度为90.23
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2nm，第62层几何厚度为156.79
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2nm，第63层几何厚度为102.25
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2nm，第64层几何厚度为156.97
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2nm，第65层几何厚度为88.72
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2nm，第66层几何厚度为112.38
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2nm，第67层几何厚度为263.57
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2nm，第68层几何厚度为45.53
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2nm，第69层几何厚度为108.66
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2nm，第70层几何厚度为159.91
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2nm，第71层几何厚度为...

【专利技术属性】
技术研发人员：李鹏，展亚鸽，陈志航，
申请(专利权)人：中国航空工业集团公司洛阳电光设备研究所，
类型：发明
国别省市：