掺杂二维半导体纳米材料在表面拉曼散射增强中的应用制造技术

本发明专利技术涉及拉曼光谱分子检测材料技术领域，具体涉及一种掺杂二维半导体纳米材料作为表面拉曼散射增强活性基底的应用。针对现有技术中半导体材料基底表面增强拉曼散射灵敏度相对较低的问题，本发明专利技术提供了一种掺杂二维半导体纳米材料作为表面拉曼散射增强活性基底的应用，通过气相沉积方法在云母基底上直接生成掺硫二维层状结构硒化锡纳米片。该纳米片应用于表面增强拉曼光谱中具有很好的信号增强效果，检测灵敏度高并且制备方法简单可控，检测范围大、并且不与探针分子发生反应。并且不与探针分子发生反应。并且不与探针分子发生反应。

【技术实现步骤摘要】
掺杂二维半导体纳米材料在表面拉曼散射增强中的应用


[0001]本专利技术涉及拉曼光谱分子检测材料
，具体涉及一种掺杂二维半导体纳米材料作为表面拉曼散射增强活性基底的应用。

技术介绍

[0002]公开该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不必然被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已经成为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
[0003]表面增强拉曼散射(Surface enhanced Raman scattering,SERS)效应是指在特殊制备的基底表面利用基底与分子之间的强烈相互作用增强吸附分子拉曼散射信号的现象。1974年，Fieschmann等人首次利用粗糙化处理的银电极表面获得吸附在银电极表面上的单分子层吡啶分子的高质量的拉曼光谱。由于表面拉曼增强效应可有效的克服分子拉曼散射截面小、所获拉曼光谱强度低、灵敏度差的缺点，目前表面增强拉曼散射技术作为一种分析化合物在界面的吸附取向、吸附态的变化、界面信息的有效手段被广泛的用于在分析化学、催化、生物、化学检测分析等领域进行材料表面研究、结构分析等研究。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掺杂二维半导体纳米材料作为表面拉曼散射增强活性基底的应用，其特征在于，所述掺杂二维半导体纳米材料为掺杂二维硒化锡纳米片，其中，掺杂物为硫。2.如权利要求1所述的应用，其特征在于，所述掺杂二维硒化锡纳米片的厚度小于100nm。3.如权利要求1所述的应用，其特征在于，所述掺杂二维硒化锡纳米片的表面积为1-100μm。4.如权利要求1所述的应用，其特征在于，掺杂二维半导体纳米材料作为表面拉曼散射增强活性基底应用时，所述掺杂二维半导体纳米材料位于基底上进行使用。5.如权利要求4所述的应用，其特征在于，所述基底为层状结构；优选的，所述基底为单斜晶系的耐高温云母基片。6.如权利要求1所述的应用，其特征在于，所述掺杂二维硒化锡纳米片的制备方法为采用化学气相沉积方法生长得到掺杂二维硒化锡纳米片；所述气相沉积方法的具体步骤如下：将碘化锡粉末置于高温封闭管式炉中心高温区，一定配比的硫粉末和硒粉末放置在碘化锡粉末上方，将基底置于气流下方，在惰性气氛下加热使中心高温区温度达到500～700℃，待纳米片生长完成后停止加热。7.如权利要求6所述的应用，其特征在于，所述管式炉的炉管材料为刚...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘玫，田元，
申请(专利权)人：山东师范大学，
类型：发明
国别省市：