电源并联输出控制电路及其控制方法技术

本发明专利技术提供了一种电源并联输出控制电路，包括运算放大器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、电容以及金属

【技术实现步骤摘要】
电源并联输出控制电路及其控制方法


[0001]本专利技术涉及控制电路领域，尤其涉及一种电源并联输出控制电路及其控制方法。

技术介绍

[0002]电源在并联使用时，为了防止输出电流倒流进入电源，通常每台电源的输出会串联一个二极管，但这样做，在大电流供电系统中，由于二极管导通压降大会产生大量损耗，所以通常采用MOSFET来代替二极管降低损耗，但传统的控制方法是，当MOSFET两端电压大于开通阈值时工作在开通状态，小于关断阈值时工作在关断状态，这样当系统负载较轻时，MOSFET会频繁地在开通与关断之间切换，导致输出震荡输出纹波电压变大。
[0003]现有技术中采用滞环控制，负载较轻时，MOSFET会频繁地在开通与关断之间切换，导致输出震荡输出纹波电压变大。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的之一在于提供一种电源并联输出控制电路及其控制方法，采用反馈控制，调节MOSFET门极电压，使得MOSFET工作两端电压稳定在设定值，能够解决负载较轻时输出震荡输出纹波电压变大的问题。
[0005]为了实现本专利技术的至少一个专利技术目的，本专利技术提供了一种电源并联输出控制电路，包括运算放大器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、电容以及金属-氧化物半导体场效应晶体管，所述第一电阻、所述第二电阻、所述第三电阻以及所述电容形成所述电源并联输出控制电路的阻抗网络，对所述电源并联输出控制电路进行滤波和反馈环路补偿，所述运算放大器实时调节所述金属-氧化物半导体场效应晶体管，从而所述电源并联输出控制电路的输入电压和输出电压的电压差在数值上恒定等于设定参考电压。
[0006]在一些实施例中，其中当所述电源并联输出控制电路的输入电压和输出电压的电压差在数值上小于设定参考电压时，所述运算放大器的输出电压降低，直至所述电源并联输出控制电路的输入电压和输出电压的电压差在数值上恒定等于设定参考电压。
[0007]在一些实施例中，其中当所述电源并联输出控制电路的输入电压和输出电压的电压差在数值上小于设定参考电压时，所述运算放大器控制所述金属-氧化物半导体场效应晶体管趋向关断，直至所述电源并联输出控制电路的输入电压和输出电压的电压差在数值上恒定等于设定参考电压。
[0008]在一些实施例中，其中当所述电源并联输出控制电路的输入电压和输出电压的电压差在数值上大于设定参考电压时，所述运算放大器的输出电压升高，直至所述电源并联输出控制电路的输入电压和输出电压的电压差在数值上恒定等于设定参考电压。
[0009]在一些实施例中，其中当所述电源并联输出控制电路的输入电压和输出电压的电压差在数值上大于设定参考电压时，所述运算放大器控制所述金属-氧化物半导体场效应晶体管趋向开通，直至所述电源并联输出控制电路的输入电压和输出电压的电压差在数值上恒定等于设定参考电压。
[0010]在一些实施例中，其中所述电源并联输出控制电路采用反馈控制，调节所述金属-氧化物半导体场效应晶体管的门极电压，使得所述金属-氧化物半导体场效应晶体管的工作两端电压稳定在设定值。
[0011]在一些实施例中，其中所述电源并联输出控制电路还包括实时监控电路模块，所述实时监控电路模块实时反馈所述电源并联输出控制电路的输入电压和输出电压的电压差。
[0012]在一些实施例中，其中当输入电压和输出电压的电压差和设定参考电压不相同时，所述实时监控电路模块报警反馈，从而能够监控所述运算放大器是否能够在正常工作状态下，实时调节所述金属-氧化物半导体场效应晶体管的驱动电压。
[0013]根据本专利技术的另一方面，还提供了一种电源并联输出控制电路的控制方法，包括以下步骤：
[0014]预先设定电源并联输出控制电路的设定参考电压值；
[0015]当电源并联输出控制电路的输入电压和输出电压的电压差值在数值上大于设定参考电压值时，运算放大器的输出电压升高，使得金属-氧化物半导体场效应晶体管趋向开通，电源并联输出控制电路的输出电压升高，直至电源并联输出控制电路的输入电压和输出电压的电压差在数值上恒定等于设定参考电压值；
[0016]以及
[0017]当电源并联输出控制电路的输入电压和输出电压的电压差值在数值上小于设定参考电压值时，运算放大器的输出电压降低，使得金属-氧化物半导体场效应晶体管趋向关断，电源并联输出控制电路的输出电压降低，直至电源并联输出控制电路的输入电压和输出电压的电压差在数值上恒定等于设定参考电压值。
[0018]在一些实施例中，其中还包括以下步骤：实时监测并反馈电源并联输出控制电路的输入电压和输出电压的电压差值，当该电压差值和设定参考电压值不相同时，报警反馈，从而能够监控运算放大器是否能够在正常工作状态下，实时调节金属-氧化物半导体场效应晶体管的驱动电压。
附图说明
[0019]图1是根据本专利技术的一个优选实施例的一种电源并联输出控制电路的立体示意图。
具体实施方式
[0020]以下描述用于揭露本专利技术以使本领域技术人员能够实现本专利技术。以下描述中的优选实施例只作为举例，本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。在以下描述中界定的本专利技术的基本原理可以应用于其他实施方案、变形方案、改进方案、等同方案以及没有背离本专利技术的精神和范围的其他技术方案。
[0021]本领域技术人员应理解的是，在本专利技术的揭露中，术语“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系是基于附图所示的方位或位置关系，其仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此上述术
语不能理解为对本专利技术的限制。
[0022]可以理解的是，术语“一”应理解为“至少一”或“一个或多个”，即在一个实施例中，一个元件的数量可以为一个，而在另外的实施例中，该元件的数量可以为多个，术语“一”不能理解为对数量的限制。
[0023]如图1所示为基于本专利技术的优选实施例的一种电源并联输出控制电路。所述电源并联输出控制电路采用反馈控制，调节MOSFET门极电压，使得MOSFET工作两端电压稳定在设定值，能够解决负载较轻时输出震荡输出纹波电压变大问题。
[0024]具体地，如图1所示，在本专利技术的这个优选实施例中，Vref为设定参考电压；OP1为运算放大器；Vin为输入电压；Vout为输出电压；Z1、Z2、Z3电阻和电容构成了阻抗网络，用于滤波和反馈环路补偿，防止所述运算放大器OP1输出震荡。
[0025]在具体实施例中，当在数值上，Vin-Vout>Vref时，也就是说，当所述电源并联输出控制电路的输入电压和输出电压的电压差在数值上大于设定参考电压时，所述运算放大器OP1的输出电压会升高，使得MOSFETQ1趋向开通，Vout电压升高，使得Vin-Vout＝Vref，也就是说，使得所述电源并联输出控制电路的输入电压和输出电压的电压差在数值上等于设定参考电压。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电源并联输出控制电路，其特征在于，包括运算放大器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、电容以及金属-氧化物半导体场效应晶体管，所述第一电阻、所述第二电阻、所述第三电阻以及所述电容形成所述电源并联输出控制电路的阻抗网络，对所述电源并联输出控制电路进行滤波和反馈环路补偿，所述运算放大器实时调节所述金属-氧化物半导体场效应晶体管，从而所述电源并联输出控制电路的输入电压和输出电压的电压差在数值上恒定等于设定参考电压。2.如权利要求1所述的电源并联输出控制电路，其中当所述电源并联输出控制电路的输入电压和输出电压的电压差在数值上小于设定参考电压时，所述运算放大器的输出电压降低，直至所述电源并联输出控制电路的输入电压和输出电压的电压差在数值上恒定等于设定参考电压。3.如权利要求2所述的电源并联输出控制电路，其中当所述电源并联输出控制电路的输入电压和输出电压的电压差在数值上小于设定参考电压时，所述运算放大器控制所述金属-氧化物半导体场效应晶体管趋向关断，直至所述电源并联输出控制电路的输入电压和输出电压的电压差在数值上恒定等于设定参考电压。4.如权利要求1所述的电源并联输出控制电路，其中当所述电源并联输出控制电路的输入电压和输出电压的电压差在数值上大于设定参考电压时，所述运算放大器的输出电压升高，直至所述电源并联输出控制电路的输入电压和输出电压的电压差在数值上恒定等于设定参考电压。5.如权利要求4所述的电源并联输出控制电路，其中当所述电源并联输出控制电路的输入电压和输出电压的电压差在数值上大于设定参考电压时，所述运算放大器控制所述金属-氧化物半导体场效应晶体管趋向开通，直至所述电源并联输出控制电路的输入电压和输出电压的电压差在数值上恒定等于设定参考电压。6.如权利要求1所述的电源并联输出控制电路，其中所述电源并联输出控制电...

【专利技术属性】
技术研发人员：王鸿雁，陶军，
申请(专利权)人：上海熹源电气有限公司，
类型：发明
国别省市：