电阻器及电路基板制造技术

电阻器具备：绝缘基板；电阻体层，由电阻体材料形成；以及接合层，将所述绝缘基板与所述电阻体层进行接合。所述电阻器形成为，所述接合层的层电阻相对于所述电阻体层的层电阻的比为100以上。比为100以上。比为100以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电阻器及电路基板


[0001]本专利技术涉及电阻器及电路基板。

技术介绍

[0002]近年来，伴随着电子设备的高功能化，对用于安装电子部件的电路基板的高功率需求及高耐热需求提高。对此，提出以下方案：制作用钎料等将经活化处理的铜箔直接接合到陶瓷基板上的基板，在其上对形成为片状的电阻器(分流电阻元件)进行钎焊而得到电路基板(参照JPH11-097203A)。该电路基板中，电阻体形成为片状，因此电阻体产生的热易于经由基板进行放热。

技术实现思路

[0003]在上述的电路基板中，对电阻器与基板的接合使用了活性金属法，使用的钎料为导电性材料，一般形成为较厚。因此，在上述的电路基板中，尽管放热性较高，但钎料成为了使电阻特性不稳定的主要因素。在伴随着电子设备的高功能化而期待以更高水准使电阻特性稳定化的情况下，向电路基板安装电阻器还有进一步改良的余地。
[0004]本专利技术的目的在于提供能够以更高水准实现电阻特性的稳定化的电阻器及形成有该电阻器的电路基板。
[0005]作为本专利技术的一个方式的电阻器，具备：绝缘基板；电阻体层，由电阻体材料形成；以及接合层，将所述绝缘基板与所述电阻体层进行接合，所述电阻器形成为，所述接合层的层电阻相对于所述电阻体层的层电阻的比为100以上。
[0006]根据该实施方式，电阻体层经由接合层接合于绝缘基板，从而电阻体层的发热易于从热导率较高的绝缘基板放热。并且，形成为接合层的层电阻相对于电阻体层的层电阻的比(电阻比)为100以上，从而能够将电阻体的温度电阻特性的变动量抑制在规定范围以下，因此能够得到稳定的电阻特性。
[0007]因此，能够提供以更高水准实现电阻特性的稳定化的电阻器及形成有该电阻器的电路基板。
附图说明
[0008]图1是对本专利技术的实施方式涉及的电阻器进行说明的俯视图。
[0009]图2是对本专利技术的实施方式涉及的电阻器进行说明的剖面图。
[0010]图3是对电阻器的变形例进行说明的剖面图。
[0011]图4是对本专利技术的实施方式涉及的电路基板进行说明的俯视图。
[0012]图5A是对现有的分流电阻器进行说明的俯视图。
[0013]图5B是对现有的分流电阻器进行说明的剖面图。
具体实施方式
[0014][电阻器的说明][0015]使用附图对本专利技术的实施方式涉及的电阻器1进行详细说明。图1是对本专利技术的实施方式涉及的电阻器1进行说明的俯视图。图2是图1所示的II-II线的电阻器1的剖面图。
[0016]电阻器1具备：绝缘基板11；电阻体层12，由电阻体材料形成；以及接合层13，将绝缘基板11与电阻体层12进行接合。接合层13形成为，包含选自钛、铝、镍及铬中的至少一种金属。
[0017]在电阻器1中，形成为接合层13的层电阻相对于电阻体层12的层电阻比为100以上。另外，电阻器1具备两个导体层14，两个该导体层14以一部分与电阻体层12重合的方式配置在接合层13的表面上。电阻器1以每个导体层14与图1未示出的电路图案连接的方式而使用。
[0018]另外，如图2所示，对于本实施方式涉及的电阻器1，为了使电阻器1的正反面的热应力均衡，接合层13及导体层14形成于绝缘基板11的两面。
[0019]电阻器1的电阻值能够根据形成于绝缘基板11上的电阻体层12的厚度、电阻体层12的宽度W、分别配置于电阻体层12的两端部的导体层14的間隔L进行设定。
[0020]接下来按照层叠顺序对本实施方式涉及的电阻器1的各结构进行说明。
[0021]<绝缘基板>
[0022]绝缘基板11是绝缘性及耐热性优异、适用于高功率用途及高发热用途的基板。绝缘基板11使用选自氧化铝、氮化硅及氮化铝的至少一种陶瓷材料而形成。这些材料中，从放热性及热循环耐久性的观点来看，优选使用氧化铝。另外，在要求更高的放热性的用途中，优选选择热导率大的氮化铝，在要求高热循环耐久性的用途中，优选选择氮化硅。
[0023]对于绝缘基板11的厚度，能够使用0.1mm以上1.0mm以下的基板。从作为基板的强度的观点来看，优选绝缘基板11的厚度为0.1mm以上。另外，从放热性的观点来看，优选为1.0mm以下。
[0024]<接合层>
[0025]接合层13将绝缘基板11与电阻体层12进行接合，配置于绝缘基板11上。
[0026]在本实施方式中，形成接合层13的材料为选自钛、铝、镍及铬的至少一种金属材料，能够以单体或合金的形式使用这些金属材料。另外也可以使用这些金属材料的氧化物。作为形成接合层13的金属材料，从提高与绝缘基板11的密接强度的观点来看，优选使用钛或铝，更优选使用钛。
[0027]本实施方式涉及的电阻器1中，能够使接合层13的厚度为50nm以上1000nm以下。为了得到绝缘基板11与电阻体层12的密接强度，优选使接合层13的厚度为50nm以上。另外，从电阻特性及性价比的观点来看，优选为1000nm以下。从密接强度及电阻特性的观点来看，更优选接合层13的厚度为上述范围中的50nm以上200nm以下。
[0028]作为在绝缘基板11的表面形成接合层13的方法，列举有电镀法、真空蒸镀法、离子镀法、飞溅法、气相生长法、冷喷法等。
[0029]<电阻体层>
[0030]电阻体层12由电阻体材料形成，配置在接合层13的规定位置。在本实施方式中，作为构成电阻体层12的电阻体材料，可使用含有选自铜、镍、锰中的至少一种金属的合金。另
外，作为电阻体材料，除了上述金属材料以外，通常只要是可构成电阻体的金属材料即可适用。
[0031]根据装入电路基板时的电阻器整体的厚度，电阻体层12的厚度可以为20μm以上1000μm以下。电阻器1的电阻值可根据该厚度、在绝缘基板11上形成的电阻体层12的宽度W、配置于电阻体层12的端部的导体层14的间隔L来设定。基于电路基板的尺寸和电阻值，电阻体层12的厚度更优选为上述范围中的50μm以上500μm以下。
[0032]将电阻器1用作例如电流检测用的电阻体(所谓的分流电阻)时，能够使可构成电阻体层12的电阻体材料中的Manganin(注册商标)合金(即、锰镍铜合金)、Zeranin(注册商标)合金(即、铜锰锗合金)、镍铬等电阻体材料作为主成分。
[0033]另外，从获得作为电阻体的良好性能的观点来看，能够使用Manganin(注册商标)合金、Zeranin(注册商标)合金。此外，从在接合层13上以上述厚度形成时的加工性的观点来看，优选使用Manganin(注册商标)合金。
[0034]作为在接合层13的表面形成电阻体层12的方法，列举有电镀法、真空蒸镀法、离子镀法、飞溅法、气相生长法、冷喷法等。
[0035]<导体层>
[0036]导体层14以夹着电阻体层12的方式配置在接合层13上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电阻器，具备：绝缘基板；电阻体层，由电阻体材料形成；以及接合层，将所述绝缘基板与所述电阻体层进行接合，所述电阻器形成为，所述接合层的层电阻相对于所述电阻体层的层电阻的比为100以上。2.如权利要求1所述的电阻器，其中，所述接合层形成为，含有选自钛、铝、镍及铬的至少一种金属材料。3.如权利要求2所述的电阻器，其中，所述电阻体材料为Manganin合金。4.如权利要求1至3中任意一项所述的电阻器，其中，所述电阻体层的厚度为20μm以上1000μm以下。5.如权利要求1至4中任意一项所述的电阻器，其中，所述接合层的厚度为50nm以上1000nm以下。6.如权利要求1至5中任意一项所述的电阻器，其中，所述接合层形成为，含有钛。7.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：松原周平，仲村圭史，
申请(专利权)人：KOA株式会社，
类型：发明
国别省市：