一种双模式射频收发开关制造技术

本公开的实施例提供了双模式射频收发开关。所述双模式射频收发开关包括第一射频端口TX_OUT、第二射频端口TX_IN、第三射频端口RITO、第四射频端口RX_IN、第五射频端口RX_OUT、第一传输线TL1、第二传输线TL2、第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4、第五NMOS管M5。所述双模式射频收发开关可工作于多种模式、低损耗、低成本、高隔离度、高线性度。线性度。线性度。

【技术实现步骤摘要】
一种双模式射频收发开关


[0001]本公开的实施例一般涉及射频集成电路
，并且更具体地，涉及一种双模式射频收发开关。

技术介绍

[0002]射频收发开关是无线通信系统中的重要元件，通过选择不同链路实现接收模式和发射模式之间的转换。传统的射频收发开关只有一个工作模式。
[0003]另外，传统收发开关通常采用增大晶体管宽度的方法降低插入损耗，然而晶体管宽度增大时寄生电容增大，导致发射端与接收端隔离度变差。当输入信号功率较大时，施加在各个元件上的电压摆幅变化较大，导致元件线性度较差。
[0004]随着无线通信技术的发展，对射频收发开关的性能提出了更高的要求，因此，可工作于多种模式、低损耗、低成本、高隔离度、高线性度的射频收发开关是必要的。

技术实现思路

[0005]根据本公开的实施例，提供了一种双模式射频收发开关。该双模式射频收发开关包括第一射频端口TX_OUT、第二射频端口TX_IN、第三射频端口RITO、第四射频端口RX_IN、第五射频端口RX_OUT、第一传输线TL1、第二传输线TL2、第一NMOS管M1、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双模式射频收发开关，其特征在于，包括：第一射频端口TX_OUT、第二射频端口TX_IN、第三射频端口RITO、第四射频端口RX_IN、第五射频端口RX_OUT、第一传输线TL1、第二传输线TL2、第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4、第五NMOS管M5；其中，第一NMOS管M1的漏极连接第一射频端口TX_OUT、第二射频端口TX_IN和第一传输线TL1的一端，源极连接第二NMOS管M2的漏极；第二NMOS管M2的源极接地；第三NMOS管M3的漏极连接第三射频端口RITO、第一传输线TL1的另一端和第二传输线TL2的一端，源极连接第四NMOS管M4的漏极；第四NMOS管M4的源极接地；第五NMOS管M5的漏极连接第四射频端口RX_IN、第五射频端口RX_OUT和第二传输线TL2的另一端，源极接地。2.根据权利要求1所述的双模式射频收发开关，其特征在于，第一NMOS管M1、第二NMOS管M2，第三NMOS管M3、第四NMOS管M4、第五NMOS管为深N阱NMOS管。3.根据权利要求1所述的双模式射频收发开关，其特征在于，第一传输线TL1、第二传输线TL2长度为四分之一波长。4.根据权利要求1所述的双模式射频收发开关，其特征在于，第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4、第五NMOS管M5采用晶体管寄生优化技术，在栅极分别通过串联电阻连接对应的地控制端；衬底分别通过串联电阻接地。5.根据权利要求1所述的双模式射频收发开关...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘志哲，陈林辉，邓惠中，杜景超，孙迪，洪祥，
申请(专利权)人：拓维电子科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：