蒸镀坩埚及蒸镀装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例涉及显示屏制造技术领域，公开了一种蒸镀坩埚，包括：坩埚本体，用于容纳蒸镀材料；过滤装置，设置在所述坩埚本体内，所述过滤装置包括中心部和围绕所述中心部的周边部，所述坩埚本体包括用于承载所述蒸镀材料的底壁，所述周边部朝远离所述底壁的方向倾斜设置；所述中心部用于阻挡所述蒸镀材料中的固体杂质，所述周边部贯通开设多个第一通孔，以使所述蒸镀材料汽化后通过所述过滤装置。本发明专利技术提供的蒸镀坩埚能够将蒸镀材料中的杂质过滤，且能够确保蒸镀材料汽化后顺利从蒸镀坩埚内喷出。喷出。喷出。

【技术实现步骤摘要】
蒸镀坩埚及蒸镀装置


[0001]本专利技术实施例涉及显示屏制造
，特别涉及一种蒸镀坩埚及蒸镀装置。

技术介绍

[0002]OLED(Organic Light-Emitting Diode)称为有机电致发光二极管。OLED显示技术具有全固态、主动发光、高对比度、超薄、低功耗、效应速度快、工作范围宽、易于实现柔性显示和3D显示等诸多优点，使它在目前在众多显示屏上得到应用，例如应用于电视机和移动显示设备上。现有OLED器件主要包括有机膜层和金属膜层。
[0003]现有技术中对OLED显示器件金属膜层或有机膜层蒸镀的装置质量有待提高，因此，有必要提供一种新的蒸镀坩埚来解决上述问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施方式的目的在于提供一种蒸镀坩埚及蒸镀装置，其能够将蒸镀材料中的杂质过滤，且能够确保蒸镀材料汽化后顺利从蒸镀坩埚内喷出。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术的实施方式提供了一种蒸镀坩埚，包括：
[0006]坩埚本体，用于容纳蒸镀材料；过滤装置，设置在所述坩埚本体内，所述过滤装置包括中心部和围绕所述中心部的周边部；所述坩埚本体包括用于承载所述蒸镀材料的底壁，所述周边部朝远离所述底壁的方向倾斜设置；所述中心部用于阻挡所述蒸镀材料中的固体杂质，所述周边部贯通开设多个第一通孔，以使所述蒸镀材料汽化后通过所述过滤装置。
[0007]另外，所述中心部贯通开设多个第二通孔，所述第二通孔的开口面积小于所述第一通孔的开口面积；优选地，所述第一通孔为圆形孔，所述第一通孔的孔径大于或等于2毫米；优选地，所述第二通孔为圆形孔，所述第二通孔的孔径小于或等于1毫米。通过在中心部贯通开设多个第二通孔，一方面能够起到泄压作用，进一步避免坩埚本体内的压力过大；另一方面，由于第二通孔的孔径小于第一通孔的孔径，从而能起到有效阻挡蒸镀材料的固体杂质的作用，避免固体杂质穿过第二通孔而掉落至待加工产品上。
[0008]另外，所述中心部的通孔开口率小于所述周边部的通孔开口率；优选地，在所述中心部，第二通孔的通孔开口率小于15％；优选地，在所述周边部，第一通孔的通孔开口率大于50％。通过此种方式，能够确保周边部的第一通孔的泄压能力，以及确保第二通孔能起到有效阻挡蒸镀材料的固体杂质的作用。
[0009]另外，所述第二通孔的通孔开口率和第一通孔的通孔开口率之和大于35％。由于第二通孔和第一通孔均能起到泄压作用，通过此种结构的设置，进一步确保了蒸镀坩埚的泄压能力。
[0010]另外，所述过滤装置在所述底壁上的正投影图形为第一图形，所述中心部在所述底壁上的正投影图形为第二图形，所述第一图形的中心与所述第二图形的中心重合；所述周边部在所述底壁上的正投影图形第三图形，所述第三图形为环绕所述第二图形的环形。
[0011]另外，所述第二图形的面积与所述第三图形的面积的比值在0.5-1.5之间。
[0012]另外，所述过滤装置具有第一腔室，所述过滤装置还包括与所述第一腔室围设成封闭空间的盖板，所述盖板上设有多个第三通孔。由于通过中心部过滤后，可能还有部分杂质随着气流穿过通孔往上移动，通过此种结构的设置，能够让蒸镀材料汽化后形成的气流再次通过盖板过滤，以进一步确保蒸镀坩埚能够将蒸镀材料中的杂质过滤。
[0013]另外，所述盖板包括正对所述中心部的中心区域和正对所述周边部的周边区域，所述周边区域用于阻挡穿过所述第一通孔的固体杂质，所述第三通孔位于所述中心区域。
[0014]另外，所述盖板为中空板，所述中空板包括与所述第一腔室围设成封闭空间的第一壁、与所述第一壁相对设置的第二壁，所述第三通孔设置在所述第一壁上，且所述第三通孔正对所述中心部，所述第一壁未设置所述第三通孔的区域用于阻挡穿过所述第一通孔的固体杂质；还包括第四通孔，所述第四通孔设置在所述第二壁上，所述第三通孔与所述第四通孔沿预设方向交替设置。
[0015]相应的，本专利技术的实施例还提供了一种蒸镀装置，包括上述的蒸镀坩埚。
[0016]与现有技术相比，本专利技术的实施例具有如下优点：
[0017]通过在坩埚本体内设置过滤装置，尤其是过滤装置中的中心部能够有效阻挡蒸镀材料在蒸镀过程中产生的固体杂质。具体的说，由于周边部朝远离底壁的方向倾斜设置，也就是说，中心部与蒸镀材料最为接近，当蒸镀材料在加热条件下汽化时，气流的压力比较大，所含的杂质在气流的作用下易跟随气流往上移动，中心部能阻挡大部分固体杂质继续往上移动；通过在周边部设置第一通孔，一方面使汽化后的蒸镀材料能够顺利通过过滤装置，另一方面能够起到泄压作用，避免坩埚本体内的压力过大，从而提高了蒸镀坩埚的稳定性；此外，由于周边部相较于底壁倾斜设置，使得第一通孔的进气方向与蒸镀材料汽化后的出射方向是非平行关系，从而降低了蒸镀材料从过滤装置出射的难度，确保蒸镀材料汽化后顺利从蒸镀坩埚内喷出。
附图说明
[0018]一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。
[0019]图1是根据本专利技术第一实施例提供的蒸镀坩埚的结构示意图；
[0020]图2是根据本专利技术第一实施例提供的蒸镀坩埚的另一种结构示意图；
[0021]图3是根据本专利技术第一实施例提供的过滤装置的俯视图；
[0022]图4是根据本专利技术第一实施例提供的蒸镀坩埚的又一种结构示意图；
[0023]图5是根据本专利技术第一实施例提供的蒸镀坩埚的再一种结构示意图。
具体实施方式
[0024]当前OLED器件的制备过程中，通常采用蒸镀的方式制备OLED器件的各个膜层，但蒸镀过程中容易出现杂质堵塞蒸镀坩埚的问题。以蒸镀膜层为阴极为例，阴极膜层主要是蒸镀镱和镁/银膜层。但因镁、镱的材料特性，在镁、镱材料表面存在一层氧化物，在镁、镱材料蒸镀过程中，镁、镱材料表面的氧化物脱落后形成Ash(灰状物)，易从蒸镀坩埚内溢出，导
致蒸镀腔室内Particle(颗粒物)含量剧增，进而导致基板表面颗粒物量增加，直接降低产品良率。
[0025]因此，本专利技术的实施例通过在坩埚本体内设置过滤装置，过滤装置特殊的结构设计能够将蒸镀材料中的杂质过滤，且能够确保蒸镀材料汽化后顺利从蒸镀坩埚内喷出。
[0026]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术的各实施方式进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本专利技术各实施方式中，为了使读者更好地理解本专利技术而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本专利技术所要求保护的技术方案。
[0027]本专利技术的第一实施例涉及一种蒸镀坩埚100，具体结构如图1所示，包括：
[0028]坩埚本体1，用于容纳蒸镀材料；过滤装置2，设置在坩埚本体1内，过滤装置2包括中心部21和围绕中心部21的周边部22，坩埚本体1包括本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种蒸镀坩埚，其特征在于，包括：坩埚本体，用于容纳蒸镀材料；过滤装置，设置在所述坩埚本体内，所述过滤装置包括中心部和围绕所述中心部的周边部；所述坩埚本体包括用于承载所述蒸镀材料的底壁，所述周边部朝远离所述底壁的方向倾斜设置；所述中心部用于阻挡所述蒸镀材料中的固体杂质，所述周边部贯通开设多个第一通孔，以使所述蒸镀材料汽化后通过所述过滤装置。2.根据权利要求1所述的蒸镀坩埚，其特征在于，所述中心部贯通开设多个第二通孔，所述第二通孔的开口面积小于所述第一通孔的开口面积；优选地，所述第一通孔为圆形孔，所述第一通孔的孔径大于或等于2毫米；优选地，所述第二通孔为圆形孔，所述第二通孔的孔径小于或等于1毫米。3.根据权利要求2所述的蒸镀坩埚，其特征在于，所述中心部的通孔开口率小于所述周边部的通孔开口率；优选地，在所述中心部，第二通孔的通孔开口率小于15％；优选地，在所述周边部，第一通孔的通孔开口率大于50％。4.根据权利要求3所述的蒸镀坩埚，其特征在于，所述第二通孔的通孔开口率和第一通孔的通孔开口率之和大于35％。5.根据权利要求1所述的蒸镀坩埚，其特征在于，所述过滤装置在所述底壁上的正投影图形为第一图形，所述中心部在所述底壁上的正投影图形为第...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘全宝，王宝，毋炳辉，史治化，高松，邱林林，
申请(专利权)人：合肥维信诺科技有限公司，
类型：发明
国别省市：