晶圆加工用胶带制造技术

本实用新型专利技术涉及晶圆加工用胶带，包括本体部及上部剥离部，所述本体部包括粘贴层及包括颜料的基材层，所述上部剥离部包括上部剥离粘贴层及上部剥离基材层，通过热处理可强化所述粘贴层的粘贴力。粘贴层的粘贴力。粘贴层的粘贴力。

【技术实现步骤摘要】
晶圆加工用胶带
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2018年10月19日提交的韩国专利申请 No.10-2018-0125441的优先权和权益，其通过引用合并于此用于所有目的，如同在此完全阐述一样。


[0003]本技术涉及一种晶圆加工用胶带及其制造方法。

技术介绍

[0004]作为将半导体芯片附着(安装)在电路基板上的方法，有一种不使用如金属线或者球栅阵列(BGA)的中间媒介而通过利用芯片下面的电极图案进行直接熔接的方法，这称之为倒装芯片方法。
[0005]所述倒装芯片方法由于使用没有引线的无引线(leadless)半导体，使半导体封装件与芯片的尺寸相同，从而可实现小型化及轻量化，并具有可以对电极间的距离(pitch)进行微调的优点。
[0006]通常，倒装芯片方法中使用的工艺如下：(1)在晶圆表面形成电路，(2) 通过背磨(backgrinding)工艺根据所需的厚度对晶圆电路面的背面进行磨削， (3)在附着有划片胶带(dicing tape)的环状框架上固定晶圆，(4)为了进行划片切割(dicing saw)工艺，将晶圆切断/分离并将半导体芯片置于其上， (5)拾起(pick-up)分离的半导体芯片，并附着(安装)在基板上，(6)为了保护芯片的露出部分，通过利用密封树脂，例如EMC(Epoxy molding compound) 的模塑成型工艺覆盖(PKG化)芯片的露出部分，(7)将覆盖的芯片进行封装切割(package saw)，(8)并进行激光标记等后续工艺。
[0007]此时，在所述(2)的背磨工艺中，通常对晶圆的背面进行机械磨削，因此其背面会产生细微的痕迹。这种痕迹将成为在所述(4)的划片切割工艺或者所述(7)的封装切割工艺中产生裂缝的原因。因此，作为所述(2)的背磨的后段工艺需要进行用于去除细微痕迹的化学蚀刻工艺，从而会导致设备费用、设备运营费用增加。
[0008]此外，由于所述(6)的模塑成型工艺通常使用模具，所以模具上会积累 EMC的污渍，从而必然需要进行用于洗涤模具的工艺，由于这种洗涤工艺的设备和运营费用很高，进而使成本增加。此外，利用模具的工艺在形成薄且均匀的模塑上存在技术局限性。
[0009]因此，需要开发出一种能够防止因使用所述EMC而发生的模具污染及能够形成更薄且均匀的模塑的替代技术。
[0010]为了克服如上所述的问题，韩国专利申请第10-2008-7024140号提出了一种用于形成芯片用保护膜的薄片，该薄片具有由热固化性成份和粘贴剂聚合物成份构成的保护膜。
[0011]使用所述用于形成芯片用保护膜的薄片的工艺可取代使用EMC的模塑成型工艺，利用该工艺的倒装芯片的制造工艺在(2)的背磨工艺后将所述用于形成芯片用保护膜的薄片粘贴在电路背面之后，进行加热并形成固化保护膜，在该层叠的保护膜表面上进行激光
标记之后，进行如上所述的工艺(3)至(5)，在不需要额外进行工艺(6)的情况下进行工艺(7)及其之后的后序工艺，从而相比于现有技术，具有更加简单且费用更低廉的优点。
[0012]只是，当所述热固化性成份的固化不完整时，现有的用于形成保护膜的薄片在层压于晶圆的背面后，在运往下一道工艺的过程中存在因粘贴力减弱导致产品发生脱离的问题。此外，形成固化的热固化性保护膜层在进行划片工艺过程中根据树脂的固化状态可能产生裂缝或者碎片(chipping：在划片工艺过程中切断线撕扯的状态)等问题，在后续工艺的回焊(reflow)工艺中固化树脂的一部分发生破碎，并扩大到裂缝，从而晶圆表面可能被树脂的碎片或者粉末污染。这种情况下，所述工艺需要增加2次至3次的洗涤工艺，且存在所述树脂的碎片或者粉末污染回焊装置，从而增加仪器的维持/保修费用的问题。

技术实现思路

[0013]本技术是为解决如上所述问题而做出的，其目的在于提供一种晶圆加工用胶带，其附着在层叠有图案或者隆起物等的电极的晶圆等的背面，在固化时能够以不发生裂缝地在胶带表面进行激光标记的同时能够保护芯片露出的背面。
[0014]本技术的一实施例涉及的晶圆加工用胶带包括本体部和上部剥离部，所述本体部包括粘贴层及包括颜料的基材层，所述上部剥离部包括上部剥离粘贴层和上部剥离基材层，通过热处理可强化所述粘贴层的粘贴力。
[0015]本技术的一实施例中，所述热处理后所述粘贴层的粘贴力强度可大于所述上部剥离粘贴层的粘贴力强度。
[0016]本技术的一实施例中，所述晶圆加工用粘贴胶带可通过所述粘贴层附着在晶圆上，在进行所述热处理前，所述本体部可反复地附着于所述附着对象或者从所述附着对象去附着，但在进行所述热处理后，所述本体部可紧贴地固定于所述附着对象。
[0017]本技术的一实施例中，如果按照KST 1028，则在进行热处理前所述粘贴层的粘贴力可为30gf/25mm至300gf/25mm，但在进行热处理后，所述粘贴层的粘贴力可增至900gf/25mm以上。
[0018]本技术的一实施例中，所述粘贴层可包括热熔性粘贴剂。
[0019]本技术的一实施例中，所述热熔性粘贴剂可包括聚酯粘贴剂。
[0020]本技术的一实施例中，所述附着对象可为晶圆。
[0021]本技术的一实施例中，在进行所述热处理前，所述上部剥离部不易从所述本体部剥离，但在进行所述热处理后，所述上部剥离部可容易从所述本体部剥离。
[0022]本技术的一实施例中，在进行热处理前后，如果按照KS T 1028，则所述上部剥离粘贴层的粘贴力可为5gf/25mm至20gf/25mm。
[0023]本技术的一实施例中，所述上部剥离粘贴层可包括硅系粘贴剂。
[0024]本技术的一实施例中，所述热处理可在90℃至260℃下进行。
[0025]本技术的一实施例中，所述颜料可以是选自由炭黑、苯胺黑、氧化铁、二氧化锰、活性炭及其组合构成的群组中的任意一个。
[0026]本技术的一实施例中，以所述基材层的总重量为基准，所述颜料的含量可以是1重量％至10重量％的。
[0027]本技术的一实施例中，还可包括下部剥离部，所述下部剥离部包括下部剥离
基材层及下部剥离离型层。
[0028]本技术的一实施例中，如果按照KS T 1028，则所述下部剥离离型层的离型力可为5gf/25mm至50gf/25mm。
[0029]本技术的一实施例中，所述晶圆加工用粘贴胶带的厚度可为110μm至 140μm。
附图说明
[0030]图1是图示本技术的一实施例涉及的晶圆加工用胶带的截面图。
具体实施方式
[0031]本技术可进行各种变更且可具有各种形态，附图中给出了多个特定的实施例，本文中将对这些实施例进行详细说明。然而，这不是用于以特定的公开形态来限定本技术，而应理解为包括本技术思想和技术范围所涵盖的所有变更、等同物本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆加工用胶带，其包括本体部及上部剥离部，其特征在于，所述本体部包括粘贴层及包括颜料的基材层，所述上部剥离部包括上部剥离粘贴层及上部剥离基材层，通过热处理强化所述粘贴层的粘贴力。2.如权利要求1所述的晶圆加工用胶带，其特征在于，在进行所述热处理后，所述粘贴层的粘贴力强度大于所述上部剥离粘贴层的粘贴力强度。3.如权利要求1所述的晶圆加工用胶带，其特征在于，所述晶圆加工用胶带通过所述粘贴层附着在晶圆上，在进行所述热处理前，所述本体部可反复地附着在所述晶圆或者从所述晶圆去附着，但在进行所述热处理后，所述本体部紧贴地固定于所述晶圆。4.如权利要求1所述的晶圆加工用胶带，其特征在于，如果按照KS T 1028，则在进行热处理前所述粘贴层的粘贴力为30gf/25mm至300gf/25mm，但在进行热处理后所述粘贴层的粘贴力增至900gf/25mm以上。5.如权利要求1所述的晶圆加工用胶带，其特征在于，所述粘贴层包括热熔性粘贴剂。6.如权利要求5所述的晶圆加工用胶带，其特征在于，所述热熔性粘贴剂包括聚酯粘贴剂。7.如权利要求1所述的晶圆加工用胶带，其特征在于，在...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗丙淳，全成浩，
申请(专利权)人：MTI株式会社，
类型：新型
国别省市：