用于制造薄膜受激镜面阵列的方法技术

本发明专利技术包括一种制造适用于光学投影系统的Ｍ×Ｎ薄膜受激镜面阵列的方法，该方法的步骤包括：制备一个激励矩阵；形成薄膜蚀去层；在薄膜蚀去层的顶层处形成抗氧化层；形成空腔矩阵；设置弹性体层；在弹性体层中形成导体阵列；依次配置第二薄膜层、薄膜电致位移层和第一薄膜层，以形成多层结构；处理多层结构，直到将薄膜蚀去层暴露出来为止；除去薄膜蚀去层，以形成Ｍ×Ｎ薄膜受激镜面的阵列。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种适用于光学投影系统的Ｍ×Ｎ薄膜受激镜面的阵列，其特征在于该阵列包括：一个具有基底和一个Ｍ×Ｎ连接端子阵列的激励矩阵；一个形成在激励矩阵顶层处的钝化层；一个形成在钝化层顶层处的蚀刻阻止层；一个具有Ｍ×Ｎ受激镜面结构的阵列， 每一个受激镜面结构均包括有一个第一薄膜电极、一个薄膜电致位移元件、一个第二薄膜电极、一个弹性元件和一个抗氧化元件，薄膜电致位移元件配置在两个电极之间，而抗氧化元件配置在弹性元件之下，其中的每一个第二薄膜电极均通过导体与相应的连接端子相连接，作为每一个薄膜受激镜面中的信号电极，而每一个第一薄膜电极被用作为镜面以及设置在其中的偏置电极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：具明，严珉植，
申请(专利权)人：大宇电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]