【技术实现步骤摘要】
二维FeNb3Se
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纳米片的制备
[0001]本专利技术属于二维材料制备
，具体涉及二维FeNb3Se
10
纳米片的制备。
技术介绍
[0002]小带隙或零带隙二维材料由于其在近红外波段和红外波段具有强烈的吸收，因此在军事、生物医学等方面具有重要的应用，比如基于小带隙二维材料开发的红外光电探测器可以将红外光信号转换为电信号进而可以应用到军事中的红外光探测中，基于小带隙二维材料可以将红外光转换为热能量的特性可以使其应用到光热治疗创伤和光热杀癌细胞等领域。然而，当前已开发的小带隙或零带隙二维材料相对较少，特别是三元二维材料，其主要集中在黑磷、二碲化钨等少数几种材料，且已知的几种小带隙或零带隙二维材料的热稳定性较差，如原子层厚的黑磷和二碲化钨只能在空气中存在不到10分钟的时间，这极大的影响了该类材料的应用。因此，开发新型的小带隙或零带隙二维材料已成为了该方向的当务之急。
技术实现思路
[0003]为了克服上述现有技术的不足，本专利技术提出了一种二维FeNb3Se>10
纳米本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种二维FeNb3Se
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纳米片的制备方法，其特征在于，通过DMF辅助超声剥离法将FeNb3Se
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块状晶体剥离成FeNb3Se
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纳米片。2.根据权利要求1所述的一种二维FeNb3Se
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纳米片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、采用高温固相法合成FeNb3Se
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块状晶体；S2、采用DMF辅助超声剥离法剥离FeNb3Se
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块状晶体，得到FeNb3Se
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纳米片。3.根据权利要求2所述的一种二维FeNb3Se
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纳米片的制备方法，其特征在于，所述高温固相法合成FeNb3Se
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块状晶体为：将Fe、Nb、Se三种元素进行真空封装，进行第一次高温反应，反应后降至室温并进行研磨处理，研磨后再次进行真空封装，进行第二次高温反应，最后得到FeNb3Se
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块状晶体。4.根据权利要求3所述的一种二维FeNb3Se
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纳米片的制备方法，其特征在于，所述Fe、Nb、Se三种元素的摩尔比为(1-3):(1-3):(8-12)。5.根据权利要求3所述的一种二维FeNb3Se
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