【技术实现步骤摘要】
具有悬臂结构的压电MEMS装置
[0001]政府权益声明
[0002]本专利技术是依据国防高级研究计划局授予的W911QX18C0021在政府支持下完成的。政府对本专利技术拥有某些权利。
技术介绍
[0003]本公开涉及微机电系统(MEMS)。更具体来说,本公开涉及具有悬臂式结构的MEMS。
[0004]MEMS悬臂是在一侧受约束的装置,并且并入有可用作传感器和致动器的压电材料。可通过使用附接到悬臂的特定质量将此类装置调谐到特定共振频率。MEMS悬臂可能会意外地感测到次频率模式,所述次频率模式会使悬臂以扭转或摇摆运动方式移动而非以主要竖直运动方式移动。响应于次频率模式进行的此类移动被称为“寄生感测(parasitic sensing)”。寄生感测可干扰MEMS装置的操作并造成悬臂断裂。调谐到较低振动频率的悬臂需要较高的检测质量,并且较容易断裂。
技术实现思路
[0005]一种MEMS装置包括第一层、第二层、第一系留部分、第二系留部分和MEMS装置主体。所述第一层连接到所述第二层。所述MEMS装置主体连接到所述第一系留部分和所述第二系留部分。所述MEMS装置主体还包括第一悬臂、第二悬臂和弹簧。所述第一悬臂附接到所述第一系留部分。所述第二悬臂附接到所述第二系留部分。所述弹簧与所述第一悬臂和所述第二悬臂可操作地连通。
[0006]一种换能器包括支撑框架和MEMS装置。所述支撑框架还包括支撑晶片、结合材料、第一侧壁、第二侧壁、第三侧壁、第四侧壁和腔。所述结合材料具有高度H。所述第一侧壁通过所述结合材料附 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种MEMS装置,其包括:第一层;第二层,其连接到所述第一层;第一系留部分;第二系留部分;以及MEMS装置主体,其连接到所述第一系留部分和所述第二系留部分,所述MEMS装置主体包括:第一悬臂,其附接到所述第一系留部分;第二悬臂,其附接到所述第二系留部分;以及弹簧,其与所述第一悬臂和所述第二悬臂可操作地连通。2.根据权利要求1所述的MEMS装置,其中所述MEMS装置被制造为单个件,所述第一层是压电材料且所述第二层是衬底材料。3.根据权利要求1所述的MEMS装置,其还包括:第一边缘,其与所述MEMS装置主体并排、附接到所述第一系留部分和所述第二系留部分两者;第一狭槽,其在所述第一边缘与所述MEMS装置主体之间;第二边缘,其与所述MEMS装置主体并排且与所述第一边缘相对,且附接到所述第一系留部分和所述第二系留部分两者;以及第二狭槽,其在所述第二边缘与所述MEMS装置主体之间。4.根据权利要求1所述的MEMS装置,其还包括:第一检测质量,其连接到所述第一悬臂的所述第二层的底部;以及第二检测质量,其连接到所述第二悬臂的所述第二层的底部。5.根据权利要求4所述的MEMS装置,其中所述第一检测质量等于所述第一悬臂的第一质量,且所述第二检测质量等于所述第二悬臂的第二质量。6.根据权利要求1所述的MEMS装置,其中所述弹簧还包括:一组切口,其延伸穿过所述弹簧的所述第一层和所述第二层。7.根据权利要求6所述的MEMS装置,其中所述组切口被切割成迂回图案。8.一种换能器,其包括:支撑框架,其包括:支撑晶片;结合材料,其具有高度H;第一侧壁,其通过所述结合材料附接到所述支撑晶片;第二侧壁,其在所述第一侧壁的对面、通过所述结合材料附接到所述支撑晶片;第三侧壁,其与所述第一侧壁和所述第二侧壁相邻,且通过所述结合材料附接到所述支撑晶片;第四侧壁,其在所述第三侧壁的对面并与所述第一侧壁和所述第二侧壁相邻,且通过所述结合材料附接到所述支撑晶片;以及腔,其形成在所述支撑框架中、由所述第一侧壁、所述第二侧壁、所述第三侧壁、所述第四侧壁和所述支撑晶片形成;以及
MEMS装置,其由所述支撑框架支撑且悬置在所述腔上方,所述MEMS装置包括:第一层;第二层,其连接到所述第一层;第一系留部分;第二系留部分;以及MEMS装置主体,其连接到所述第一系留部分和所述第二系留部分,所述MEMS装置主体包括:第一悬臂,其附接到所述第一系留部分;第二悬臂,其附接到所述第二系留部分;以及弹簧,其与所述第一悬臂和所述第二悬臂可操作地连通。9.根据权利要求8所述的换能器,其还包括:所述支撑框架还包括:第一附接位点,其在所述第一侧壁的顶部处,所述第一悬臂以机械方式附接到所述第一附接位点;第二附接位点,其在所述第二侧壁的顶部处,所述第二悬臂以机械方式附接到所述第二附接位点;第三附接位点,其在所述第三侧壁的顶部处;以及第四附接位点,其在所述第四侧壁的顶部处。10.根据权利要求9所述的换能器,其中所述MEMS装置还包括:第一边缘,其与所述MEMS装置主体并排,其中所述第一边缘...
【专利技术属性】
技术研发人员:D多塞夫,DP波塔塞克,MA奇尔德里斯,
申请(专利权)人:罗斯蒙特航天公司,
类型:发明
国别省市:
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